Frequenza operativa massima Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 6 Variabili
Funzioni utilizzate
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
Variabili utilizzate
Frequenza operativa massima - (Misurato in Hertz) - La frequenza operativa massima si riferisce alla frequenza più alta alla quale il dispositivo può funzionare in modo affidabile ed eseguire le funzioni previste.
Frequenza di taglio MESFET - (Misurato in Hertz) - La frequenza di taglio MESFET rappresenta la frequenza alla quale il guadagno di corrente (o transconduttanza) del transistor inizia a diminuire in modo significativo.
Resistenza allo scarico - (Misurato in Ohm) - La resistenza di drenaggio è la resistenza equivalente vista dal terminale di drenaggio di un FET.
Resistenza alla fonte - (Misurato in Ohm) - La resistenza della sorgente si riferisce alla resistenza associata al terminale sorgente del transistor.
Resistenza in ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso si riferisce alla resistenza presentata al terminale di ingresso del dispositivo.
Resistenza alla metallizzazione del cancello - (Misurato in Ohm) - La resistenza alla metallizzazione del gate è la resistenza associata al contatto metallico o allo strato di metallizzazione sul terminale del gate di un MESFET.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Frequenza di taglio MESFET: 6252.516 Hertz --> 6252.516 Hertz Nessuna conversione richiesta
Resistenza allo scarico: 3.2 Ohm --> 3.2 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza alla fonte: 5 Ohm --> 5 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza in ingresso: 4 Ohm --> 4 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza alla metallizzazione del cancello: 5.254 Ohm --> 5.254 Ohm Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg)) --> 6252.516/2*sqrt(3.2/(5+4+5.254))
Valutare ... ...
fmax = 1481.26045269158
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1481.26045269158 Hertz --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
1481.26045269158 1481.26 Hertz <-- Frequenza operativa massima
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

10+ Amplificatori a transistor Calcolatrici

Guadagno di potenza del convertitore in basso dato il fattore di degradazione
​ Partire Guadagno di potenza del down converter = Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2
Ottieni il fattore di degradazione per MESFET
​ Partire Guadagno fattore di degradazione = Frequenza di uscita/Frequenza del segnale*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2
Fattore di rumore GaAs MESFET
​ Partire Fattore di rumore = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso)
Frequenza operativa massima
​ Partire Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))
Potenza massima consentita
​ Partire Potenza massima consentita = 1/(Reattanza*Frequenza limite del tempo di transito^2)*(Campo elettrico massimo*Massima velocità di deriva della saturazione/(2*pi))^2
Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde
​ Partire Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde = (Frequenza limite del tempo di transito/Frequenza del guadagno di potenza)^2*Impedenza di uscita/Impedenza di ingresso
Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET
​ Partire Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))
Angolo di transito
​ Partire Angolo di transito = Frequenza angolare*Lunghezza dello spazio di deriva/Velocità di deriva del portatore
Frequenza di taglio MESFET
​ Partire Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)
Frequenza massima di oscillazione
​ Partire Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)

Frequenza operativa massima Formula

Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))
fmax = fco/2*sqrt(Rd/(Rs+Ri+Rg))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!