Taux net de changement dans la bande de conduction Calculatrice

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Porteurs de semi-conducteurs

✖Taux de recombinaison de génération thermique qui sont équilibrés de sorte que la densité nette des porteurs de charge reste constante.ⓘ Génération thermique [TG]			+10% -10%
✖La concentration de porteurs intrinsèques est utilisée pour décrire la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un matériau semi-conducteur intrinsèque ou non dopé à l'équilibre thermique.ⓘ Concentration de transporteur intrinsèque [n_i]			+10% -10%

✖La proportionnalité pour la recombinaison est désignée par le symbole αr.ⓘ Taux net de changement dans la bande de conduction [α_r]

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Formule

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Taux net de changement dans la bande de conduction

Formule

`"α"_{"r"} = "TG"/("n"_{"i"}^2)`

Exemple

`"1.2E^-6m³/s"="8.7e10"/(("2.7e8/m³")^2)`

Calculatrice

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Taux net de changement dans la bande de conduction Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Proportionnalité pour la recombinaison = Génération thermique/(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
α_r = TG/(n_i^2)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Proportionnalité pour la recombinaison - (Mesuré en Mètre cube par seconde) - La proportionnalité pour la recombinaison est désignée par le symbole αr.
Génération thermique - Taux de recombinaison de génération thermique qui sont équilibrés de sorte que la densité nette des porteurs de charge reste constante.
Concentration de transporteur intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de porteurs intrinsèques est utilisée pour décrire la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un matériau semi-conducteur intrinsèque ou non dopé à l'équilibre thermique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Génération thermique: 87000000000 --> Aucune conversion requise
Concentration de transporteur intrinsèque: 270000000 1 par mètre cube --> 270000000 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

α_r = TG/(n_i^2) --> 87000000000/(270000000^2)

Évaluer ... ...

α_r = 1.19341563786008E-06

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.19341563786008E-06 Mètre cube par seconde --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.19341563786008E-06 ≈ 1.2E-6 Mètre cube par seconde <-- Proportionnalité pour la recombinaison

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 20 Bande d'énergie Calculatrices

Concentration de transporteur intrinsèque

Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité effective d'état dans la bande de Valence*Densité effective d'état dans la bande de conduction)*exp(-Déficit énergétique/(2*[BoltZ]*Température))

Durée de vie du transporteur

Aller Durée de vie du transporteur = 1/(Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de trous dans la bande de cantonnière+Concentration d'électrons dans la bande de conduction))

Concentration d'électrons à l'état d'équilibre

Aller Concentration de transporteur à l'état d'équilibre = Concentration d'électrons dans la bande de conduction+Concentration excessive de porteurs

Énergie de l'électron étant donné la constante de Coulomb

Aller Énergie de l'électron = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longueur potentielle du puits^2)

Durée de vie de la recombinaison

Aller Durée de vie de la recombinaison = (Proportionnalité pour la recombinaison*Concentration de trous dans la bande de cantonnière)^-1

Concentration dans la bande de conduction

Aller Concentration d'électrons dans la bande de conduction = Densité effective d'état dans la bande de conduction*Fonction de Fermi

Densité effective d'état

Aller Densité effective d'état dans la bande de conduction = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Fonction de Fermi

Fonction Fermi

Aller Fonction de Fermi = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Densité effective d'état dans la bande de conduction

État de densité efficace dans la bande de Valence

Aller Densité effective d'état dans la bande de Valence = Concentration de trous dans la bande de cantonnière/(1-Fonction de Fermi)

Concentration de trous dans la bande de Valence

Aller Concentration de trous dans la bande de cantonnière = Densité effective d'état dans la bande de Valence*(1-Fonction de Fermi)

Coefficient de distribution

Aller Coefficient de répartition = Concentration d'impuretés dans le solide/Concentration d'impuretés dans le liquide

Concentration liquide

Aller Concentration d'impuretés dans le liquide = Concentration d'impuretés dans le solide/Coefficient de répartition

Taux net de changement dans la bande de conduction

Aller Proportionnalité pour la recombinaison = Génération thermique/(Concentration de transporteur intrinsèque^2)

Taux de génération thermique

Aller Génération thermique = Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de transporteur intrinsèque^2)

Concentration excessive de porteurs

Aller Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison

Taux de génération optique

Aller Taux de génération optique = Concentration excessive de porteurs/Durée de vie de la recombinaison

Énergie de la bande de Valence

Aller Énergie de la bande de Valence = Énergie de bande de conduction-Déficit énergétique

Énergie de bande de conduction

Aller Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence

Déficit énergétique

Aller Déficit énergétique = Énergie de bande de conduction-Énergie de la bande de Valence

Énergie photoélectronique

Aller Énergie photoélectronique = [hP]*Fréquence de la lumière incidente

Taux net de changement dans la bande de conduction Formule

Proportionnalité pour la recombinaison = Génération thermique/(Concentration de transporteur intrinsèque^2)
α_r = TG/(n_i^2)

Comment trouver la concentration d'un trou ?

Calculer la concentration d'électrons et de trous dans le Si intrinsèque à température ambiante si sa conductivité électrique est de 4x10-4 Mho/M. Étant donné que la mobilité de l'électron = 0,14 m2/V-sec et la mobilité des trous = 0,04 m2/ - Physique appliquée 1. 0,14 m2/V-sec et la mobilité des trous = 0,04 m2/V-sec.

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