Netto veranderingssnelheid in geleidingsband Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Thermische generatie recombinatiesnelheden die zo gebalanceerd zijn dat de netto ladingsdragerdichtheid constant blijft.ⓘ Thermische generatie [TG]			+10% -10%
✖Intrinsieke draaggolfconcentratie wordt gebruikt om de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsiek of ongedoteerd halfgeleidermateriaal bij thermisch evenwicht te beschrijven.ⓘ Intrinsieke dragerconcentratie [n_i]			+10% -10%

✖Proportionaliteit voor recombinatie wordt aangegeven met het symbool αr.ⓘ Netto veranderingssnelheid in geleidingsband [α_r]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband

Formule

`"α"_{"r"} = "TG"/("n"_{"i"}^2)`

Voorbeeld

`"1.2E^-6m³/s"="8.7e10"/(("2.7e8/m³")^2)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband Formules Pdf PDF Image

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Evenredigheid voor recombinatie = Thermische generatie/(Intrinsieke dragerconcentratie^2)
α_r = TG/(n_i^2)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Evenredigheid voor recombinatie - (Gemeten in Kubieke meter per seconde) - Proportionaliteit voor recombinatie wordt aangegeven met het symbool αr.
Thermische generatie - Thermische generatie recombinatiesnelheden die zo gebalanceerd zijn dat de netto ladingsdragerdichtheid constant blijft.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke draaggolfconcentratie wordt gebruikt om de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsiek of ongedoteerd halfgeleidermateriaal bij thermisch evenwicht te beschrijven.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Thermische generatie: 87000000000 --> Geen conversie vereist
Intrinsieke dragerconcentratie: 270000000 1 per kubieke meter --> 270000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

α_r = TG/(n_i^2) --> 87000000000/(270000000^2)

Evalueren ... ...

α_r = 1.19341563786008E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.19341563786008E-06 Kubieke meter per seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.19341563786008E-06 ≈ 1.2E-6 Kubieke meter per seconde <-- Evenredigheid voor recombinatie

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband » Netto veranderingssnelheid in geleidingsband

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 20 Energieband Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Vloeistofconcentratie

Gaan Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Verdelingscoëfficiënt

Concentratie in geleidingsband

Gaan Elektronenconcentratie in geleidingsband = Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband*Fermi-functie

Effectieve staatsdichtheid

Gaan Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Fermi-functie

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Concentratie van gaten in de valentieband

Gaan Gaten Concentratie in Valance Band = Effectieve staatsdichtheid in valentieband*(1-Fermi-functie)

Recombinatielevensduur

Gaan Levensduur recombinatie = (Evenredigheid voor recombinatie*Gaten Concentratie in Valance Band)^-1

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband

Gaan Evenredigheid voor recombinatie = Thermische generatie/(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Thermische generatiesnelheid

Gaan Thermische generatie = Evenredigheid voor recombinatie*(Intrinsieke dragerconcentratie^2)

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Optische generatiesnelheid

Gaan Optische generatiesnelheid = Overmatige dragerconcentratie/Levensduur recombinatie

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Valentieband energie

Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Netto veranderingssnelheid in geleidingsband Formule

Evenredigheid voor recombinatie = Thermische generatie/(Intrinsieke dragerconcentratie^2)
α_r = TG/(n_i^2)

Hoe vind je de concentratie van een gat?

Bereken de elektronen- en gatconcentratie in intrinsiek Si bij kamertemperatuur als de elektrische geleidbaarheid 4x10-4 Mho/M is. Gegeven dat mobiliteit van elektronen= 0,14 m2/V-sec en mobiliteit van gaten=0,04m2/ - Technische Natuurkunde 1. 0,14m2/V-sec en mobiliteit van gaten=0,04m2/V-sec.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!