Tasso netto di variazione della banda di conduzione calcolatrice

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✖Tassi di ricombinazione della generazione termica bilanciati in modo che la densità netta del portatore di carica rimanga costante.ⓘ Generazione termica [TG]			+10% -10%
✖La concentrazione portante intrinseca viene utilizzata per descrivere la concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un materiale semiconduttore intrinseco o non drogato all'equilibrio termico.ⓘ Concentrazione portante intrinseca [n_i]			+10% -10%

✖La proporzionalità per la ricombinazione è indicata dal simbolo αr.ⓘ Tasso netto di variazione della banda di conduzione [α_r]

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Formula

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Tasso netto di variazione della banda di conduzione

Formula

`"α"_{"r"} = "TG"/("n"_{"i"}^2)`

Esempio

`"1.2E^-6m³/s"="8.7e10"/(("2.7e8/m³")^2)`

Calcolatrice

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Tasso netto di variazione della banda di conduzione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)
α_r = TG/(n_i^2)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Proporzionalità per la ricombinazione - (Misurato in Metro cubo al secondo) - La proporzionalità per la ricombinazione è indicata dal simbolo αr.
Generazione termica - Tassi di ricombinazione della generazione termica bilanciati in modo che la densità netta del portatore di carica rimanga costante.
Concentrazione portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione portante intrinseca viene utilizzata per descrivere la concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un materiale semiconduttore intrinseco o non drogato all'equilibrio termico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Generazione termica: 87000000000 --> Nessuna conversione richiesta
Concentrazione portante intrinseca: 270000000 1 per metro cubo --> 270000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

α_r = TG/(n_i^2) --> 87000000000/(270000000^2)

Valutare ... ...

α_r = 1.19341563786008E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.19341563786008E-06 Metro cubo al secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.19341563786008E-06 ≈ 1.2E-6 Metro cubo al secondo <-- Proporzionalità per la ricombinazione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 20 Banda Energetica Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Concentrazione di elettroni in stato stazionario

Partire Concentrazione di portatori di stato stazionario = Concentrazione elettronica in banda di conduzione+Concentrazione in eccesso di portatori

Energia dell'elettrone data la costante di Coulomb

Partire Energia dell'elettrone = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Concentrazione in banda di conduzione

Partire Concentrazione elettronica in banda di conduzione = Densità di stato effettiva in banda di conduzione*Funzione di Fermi

Densità effettiva di stato

Partire Densità di stato effettiva in banda di conduzione = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Funzione di Fermi

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Concentrazione dei buchi nella banda di valenza

Partire Concentrazione dei buchi nella banda di Valance = Densità di stato effettiva in banda di valenza*(1-Funzione di Fermi)

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Ricombinazione a vita

Partire Ricombinazione a vita = (Proporzionalità per la ricombinazione*Concentrazione dei buchi nella banda di Valance)^-1

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Concentrazione liquida

Partire Concentrazione di impurità nel liquido = Concentrazione di impurità nel solido/Coefficiente di distribuzione

Tasso netto di variazione della banda di conduzione

Partire Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)

Tasso di generazione termica

Partire Generazione termica = Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione portante intrinseca^2)

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Velocità di generazione ottica

Partire Velocità di generazione ottica = Concentrazione in eccesso di portatori/Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia della banda di valenza

Partire Energia della banda di valenza = Energia della banda di conduzione-Divario Energetico

Divario energetico

Partire Divario Energetico = Energia della banda di conduzione-Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Tasso netto di variazione della banda di conduzione Formula

Proporzionalità per la ricombinazione = Generazione termica/(Concentrazione portante intrinseca^2)
α_r = TG/(n_i^2)

Come trovi la concentrazione di un buco?

Calcolare la concentrazione di elettroni e fori in Si intrinseco a temperatura ambiente se la sua conduttività elettrica è 4x10-4 Mho/M. Dato che Mobilità dell'elettrone= 0.14m2/V-sec e Mobilità delle lacune=0.04m2/ - Fisica Applicata 1. 0.14m2/V-sec e mobilità delle lacune=0.04m2/V-sec.

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