Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

⤿

Nośniki półprzewodnikowe

Złącze SSD

✖Współczynniki rekombinacji generowania ciepła, które są zrównoważone, dzięki czemu gęstość nośnika ładunku netto pozostaje stała.ⓘ Wytwarzanie ciepła [TG]			+10% -10%
✖Samoistne stężenie nośników jest używane do opisania stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) w samoistnym lub niedomieszkowanym materiale półprzewodnikowym w równowadze termicznej.ⓘ Wewnętrzne stężenie nośnika [n_i]			+10% -10%

✖Proporcjonalność dla rekombinacji jest oznaczona symbolem αr.ⓘ Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa [α_r]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa

Formuła

`"α"_{"r"} = "TG"/("n"_{"i"}^2)`

Przykład

`"1.2E^-6m³/s"="8.7e10"/(("2.7e8/m³")^2)`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Zespół energetyczny Formuły PDF PDF Image

Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Proporcjonalność dla rekombinacji = Wytwarzanie ciepła/(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)
α_r = TG/(n_i^2)
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Proporcjonalność dla rekombinacji - (Mierzone w Metr sześcienny na sekundę) - Proporcjonalność dla rekombinacji jest oznaczona symbolem αr.
Wytwarzanie ciepła - Współczynniki rekombinacji generowania ciepła, które są zrównoważone, dzięki czemu gęstość nośnika ładunku netto pozostaje stała.
Wewnętrzne stężenie nośnika - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Samoistne stężenie nośników jest używane do opisania stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) w samoistnym lub niedomieszkowanym materiale półprzewodnikowym w równowadze termicznej.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Wytwarzanie ciepła: 87000000000 --> Nie jest wymagana konwersja
Wewnętrzne stężenie nośnika: 270000000 1 na metr sześcienny --> 270000000 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

α_r = TG/(n_i^2) --> 87000000000/(270000000^2)

Ocenianie ... ...

α_r = 1.19341563786008E-06

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1.19341563786008E-06 Metr sześcienny na sekundę --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1.19341563786008E-06 ≈ 1.2E-6 Metr sześcienny na sekundę <-- Proporcjonalność dla rekombinacji

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Urządzenia półprzewodnikowe » Zespół energetyczny » Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 20 Zespół energetyczny Kalkulatory

Wewnętrzne stężenie nośnika

Iść Wewnętrzne stężenie nośnika = sqrt(Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa)*exp(-Przerwa energetyczna/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Iść Żywotność przewoźnika = 1/(Proporcjonalność dla rekombinacji*(Koncentracja dziur w paśmie Valance'a+Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa))

Energia elektronu przy danej stałej Coulomba

Iść Energia elektronu = (Liczba kwantowa^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potencjalna długość studni^2)

Koncentracja elektronów w stanie ustalonym

Iść Stężenie nośników w stanie stacjonarnym = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa+Nadmierne stężenie nośnika

Koncentracja w paśmie przewodnictwa

Iść Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa = Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa*Funkcja Fermiego

Efektywna gęstość stanu

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Funkcja Fermiego

Funkcja Fermiego

Iść Funkcja Fermiego = Koncentracja elektronów w paśmie przewodnictwa/Efektywna gęstość stanu w paśmie przewodnictwa

Efektywny stan gęstości w paśmie walencyjnym

Iść Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym = Koncentracja dziur w paśmie Valance'a/(1-Funkcja Fermiego)

Koncentracja dziur w paśmie walencyjnym

Iść Koncentracja dziur w paśmie Valance'a = Efektywna gęstość stanu w paśmie walencyjnym*(1-Funkcja Fermiego)

Żywotność rekombinacji

Iść Żywotność rekombinacji = (Proporcjonalność dla rekombinacji*Koncentracja dziur w paśmie Valance'a)^-1

Współczynnik dystrybucji

Iść Współczynnik dystrybucji = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Stężenie zanieczyszczeń w cieczy

Stężenie w płynie

Iść Stężenie zanieczyszczeń w cieczy = Stężenie zanieczyszczeń w ciele stałym/Współczynnik dystrybucji

Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa

Iść Proporcjonalność dla rekombinacji = Wytwarzanie ciepła/(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość wytwarzania ciepła

Iść Wytwarzanie ciepła = Proporcjonalność dla rekombinacji*(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)

Szybkość generacji optycznej

Iść Szybkość generacji optycznej = Nadmierne stężenie nośnika/Żywotność rekombinacji

Nadmierne stężenie nośnika

Iść Nadmierne stężenie nośnika = Szybkość generacji optycznej*Żywotność rekombinacji

Energia pasma przewodnictwa

Iść Energia pasma przewodnictwa = Przerwa energetyczna+Energia pasma walencyjnego

Energia pasma walencyjnego

Iść Energia pasma walencyjnego = Energia pasma przewodnictwa-Przerwa energetyczna

Przerwa energetyczna

Iść Przerwa energetyczna = Energia pasma przewodnictwa-Energia pasma walencyjnego

Energia fotoelektronów

Iść Energia fotoelektronów = [hP]*Częstotliwość padającego światła

Szybkość zmian netto w paśmie przewodnictwa Formułę

Proporcjonalność dla rekombinacji = Wytwarzanie ciepła/(Wewnętrzne stężenie nośnika^2)
α_r = TG/(n_i^2)

Jak znaleźć koncentrację dziury?

Oblicz stężenie elektronów i dziur w samoistnym Si w temperaturze pokojowej, jeśli jego przewodność elektryczna wynosi 4x10-4 Mho/M. Biorąc pod uwagę, że ruchliwość elektronów= 0,14m2/V-s i ruchliwość dziur=0,04m2/ - Fizyka Stosowana 1. 0,14m2/V-s i ruchliwość dziur=0,04m2/V-s.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!