MCM de tres números

Calculadora Tasa neta de cambio en la banda de conducción

Ingenieria Financiero Física Mates Más >>

↳

Electrónica Ciencia de los Materiales Civil Eléctrico Más >>

⤿

Dispositivos de estado sólido Amplificadores Antena y propagación de ondas Circuitos integrados (CI)Más >>

⤿

Banda de energía y portador de carga Electrones y agujeros Portadores de semiconductores Unión SSD

✖Tasas de recombinación de generación térmica que están equilibradas para que la densidad neta del portador de carga permanezca constante.ⓘ Generación Térmica [TG]			+10% -10%
✖La concentración de portadores intrínsecos se utiliza para describir la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un material semiconductor intrínseco o no dopado en equilibrio térmico.ⓘ Concentración de portador intrínseco [n_i]			+10% -10%

✖La proporcionalidad para la recombinación se indica con el símbolo αr.ⓘ Tasa neta de cambio en la banda de conducción [α_r]

⎘ Copiar

👎

Fórmula

LaTeX

Reiniciar

👍

Descargar Banda de energía y portador de carga Fórmulas PDF PDF Image

Tasa neta de cambio en la banda de conducción Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)
α_r = TG/(n_i^2)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Proporcionalidad para la recombinación - (Medido en Metro cúbico por segundo) - La proporcionalidad para la recombinación se indica con el símbolo αr.
Generación Térmica - Tasas de recombinación de generación térmica que están equilibradas para que la densidad neta del portador de carga permanezca constante.
Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores intrínsecos se utiliza para describir la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un material semiconductor intrínseco o no dopado en equilibrio térmico.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Generación Térmica: 87000000000 --> No se requiere conversión
Concentración de portador intrínseco: 270000000 1 por metro cúbico --> 270000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

α_r = TG/(n_i^2) --> 87000000000/(270000000^2)

Evaluar ... ...

α_r = 1.19341563786008E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.19341563786008E-06 Metro cúbico por segundo --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.19341563786008E-06 ≈ 1.2E-6 Metro cúbico por segundo <-- Proporcionalidad para la recombinación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Aquí estás -

Inicio » Ingenieria » Electrónica » Dispositivos de estado sólido » Banda de energía y portador de carga » Tasa neta de cambio en la banda de conducción

Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< Banda de energía y portador de carga Calculadoras

Concentración de electrones en estado estacionario

LaTeX Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores

Energía del electrón dada la constante de Coulomb

LaTeX Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)

Energía de la banda de valencia

LaTeX Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía

Brecha de energía

LaTeX Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia

Tasa neta de cambio en la banda de conducción Fórmula

LaTeX Vamos

Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)
α_r = TG/(n_i^2)

¿Cómo se encuentra la concentración de un agujero?

Calcule la concentración de electrones y huecos en el Si intrínseco a temperatura ambiente si su conductividad eléctrica es 4x10-4 Mho/M. Dado que la Movilidad de los Electrones= 0.14m2/V-seg y la Movilidad de los Agujeros=0.04m2/ - Física Aplicada 1. 0.14m2/V-seg y la movilidad de los agujeros=0.04m2/V-seg.

Inicio

GRATIS PDF

🔍 Búsqueda

Categorías

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!