Calculadora Tasa neta de cambio en la banda de conducción

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Portadores de semiconductores

Unión SSD

✖Tasas de recombinación de generación térmica que están equilibradas para que la densidad neta del portador de carga permanezca constante.ⓘ Generación Térmica [TG]			+10% -10%
✖La concentración de portadores intrínsecos se utiliza para describir la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un material semiconductor intrínseco o no dopado en equilibrio térmico.ⓘ Concentración de portador intrínseco [n_i]			+10% -10%

✖La proporcionalidad para la recombinación se indica con el símbolo αr.ⓘ Tasa neta de cambio en la banda de conducción [α_r]

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Fórmula

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Tasa neta de cambio en la banda de conducción

Fórmula

`"α"_{"r"} = "TG"/("n"_{"i"}^2)`

Ejemplo

`"1.2E^-6m³/s"="8.7e10"/(("2.7e8/m³")^2)`

Calculadora

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Tasa neta de cambio en la banda de conducción Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)
α_r = TG/(n_i^2)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Proporcionalidad para la recombinación - (Medido en Metro cúbico por segundo) - La proporcionalidad para la recombinación se indica con el símbolo αr.
Generación Térmica - Tasas de recombinación de generación térmica que están equilibradas para que la densidad neta del portador de carga permanezca constante.
Concentración de portador intrínseco - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de portadores intrínsecos se utiliza para describir la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un material semiconductor intrínseco o no dopado en equilibrio térmico.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Generación Térmica: 87000000000 --> No se requiere conversión
Concentración de portador intrínseco: 270000000 1 por metro cúbico --> 270000000 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

α_r = TG/(n_i^2) --> 87000000000/(270000000^2)

Evaluar ... ...

α_r = 1.19341563786008E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.19341563786008E-06 Metro cúbico por segundo --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1.19341563786008E-06 ≈ 1.2E-6 Metro cúbico por segundo <-- Proporcionalidad para la recombinación

(Cálculo completado en 00.006 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 20 Banda de energía Calculadoras

Concentración de portador intrínseco

Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))

Concentración de electrones en estado estacionario

Vamos Concentración de portadores en estado estacionario = Concentración de electrones en banda de conducción+Exceso de concentración de portadores

Energía del electrón dada la constante de Coulomb

Vamos Energía del electrón = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longitud potencial del pozo^2)

Vida útil de la recombinación

Vamos Vida útil de la recombinación = (Proporcionalidad para la recombinación*Concentración de agujeros en la banda de cenefa)^-1

Concentración en Banda de Conducción

Vamos Concentración de electrones en banda de conducción = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción*Función de Fermi

Densidad Efectiva de Estado

Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción = Concentración de electrones en banda de conducción/Función de Fermi

Función Fermi

Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción

Estado de densidad efectiva en la banda de valencia

Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)

Concentración de Agujeros en la Banda de Valencia

Vamos Concentración de agujeros en la banda de cenefa = Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*(1-Función de Fermi)

Coeficiente de distribución

Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido

Concentracion liquida

Vamos Concentración de impurezas en líquido = Concentración de impurezas en sólidos/Coeficiente de distribución

Tasa neta de cambio en la banda de conducción

Vamos Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)

Tasa de generación térmica

Vamos Generación Térmica = Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de portador intrínseco^2)

Exceso de concentración de portadores

Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación

Tasa de generación óptica

Vamos Tasa de generación óptica = Exceso de concentración de portadores/Vida útil de la recombinación

Energía de la banda de valencia

Vamos Energía de la banda de valencia = Energía de banda de conducción-Brecha de energía

Energía de banda de conducción

Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia

Brecha de energía

Vamos Brecha de energía = Energía de banda de conducción-Energía de la banda de valencia

Energía de fotoelectrones

Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Tasa neta de cambio en la banda de conducción Fórmula

Proporcionalidad para la recombinación = Generación Térmica/(Concentración de portador intrínseco^2)
α_r = TG/(n_i^2)

¿Cómo se encuentra la concentración de un agujero?

Calcule la concentración de electrones y huecos en el Si intrínseco a temperatura ambiente si su conductividad eléctrica es 4x10-4 Mho/M. Dado que la Movilidad de los Electrones= 0.14m2/V-seg y la Movilidad de los Agujeros=0.04m2/ - Física Aplicada 1. 0.14m2/V-seg y la movilidad de los agujeros=0.04m2/V-seg.

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