Nettoänderungsrate im Leitungsband Taschenrechner

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✖Rekombinationsraten der thermischen Erzeugung, die so ausgeglichen sind, dass die Nettoladungsträgerdichte konstant bleibt.ⓘ Thermische Erzeugung [TG]			+10% -10%
✖Mit der intrinsischen Ladungsträgerkonzentration wird die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen oder undotierten Halbleitermaterial im thermischen Gleichgewicht beschrieben.ⓘ Intrinsische Trägerkonzentration [n_i]			+10% -10%

✖Die Proportionalität für die Rekombination wird durch das Symbol αr bezeichnet.ⓘ Nettoänderungsrate im Leitungsband [α_r]

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Formel

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Nettoänderungsrate im Leitungsband

Formel

`"α"_{"r"} = "TG"/("n"_{"i"}^2)`

Beispiel

`"1.2E^-6m³/s"="8.7e10"/(("2.7e8/m³")^2)`

Taschenrechner

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Nettoänderungsrate im Leitungsband Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Verhältnismäßigkeit für Rekombination = Thermische Erzeugung/(Intrinsische Trägerkonzentration^2)
α_r = TG/(n_i^2)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Verhältnismäßigkeit für Rekombination - (Gemessen in Kubikmeter pro Sekunde) - Die Proportionalität für die Rekombination wird durch das Symbol αr bezeichnet.
Thermische Erzeugung - Rekombinationsraten der thermischen Erzeugung, die so ausgeglichen sind, dass die Nettoladungsträgerdichte konstant bleibt.
Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Mit der intrinsischen Ladungsträgerkonzentration wird die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen oder undotierten Halbleitermaterial im thermischen Gleichgewicht beschrieben.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Thermische Erzeugung: 87000000000 --> Keine Konvertierung erforderlich
Intrinsische Trägerkonzentration: 270000000 1 pro Kubikmeter --> 270000000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

α_r = TG/(n_i^2) --> 87000000000/(270000000^2)

Auswerten ... ...

α_r = 1.19341563786008E-06

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.19341563786008E-06 Kubikmeter pro Sekunde --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.19341563786008E-06 ≈ 1.2E-6 Kubikmeter pro Sekunde <-- Verhältnismäßigkeit für Rekombination

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 20 Energieband Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Trägerlebensdauer

Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))

Energie des Elektrons bei gegebener Coulomb-Konstante

Gehen Energie des Elektrons = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Steady-State-Elektronenkonzentration

Gehen Steady-State-Carrier-Konzentration = Elektronenkonzentration im Leitungsband+Überschüssige Trägerkonzentration

Flüssigkeitskonzentration

Gehen Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verteilungskoeffizient

Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

Rekombinationslebensdauer

Gehen Rekombinationslebensdauer = (Verhältnismäßigkeit für Rekombination*Lochkonzentration im Volantband)^-1

Nettoänderungsrate im Leitungsband

Gehen Verhältnismäßigkeit für Rekombination = Thermische Erzeugung/(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Konzentration im Leitungsband

Gehen Elektronenkonzentration im Leitungsband = Effektive Zustandsdichte im Leitungsband*Fermi-Funktion

Effektive Staatsdichte

Gehen Effektive Zustandsdichte im Leitungsband = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Fermi-Funktion

Wärmeerzeugungsrate

Gehen Thermische Erzeugung = Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Intrinsische Trägerkonzentration^2)

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Konzentration von Löchern im Valenzband

Gehen Lochkonzentration im Volantband = Effektive Zustandsdichte im Valenzband*(1-Fermi-Funktion)

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Optische Erzeugungsrate

Gehen Optische Erzeugungsrate = Überschüssige Trägerkonzentration/Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Valenzbandenergie

Gehen Valenzbandenergie = Leitungsbandenergie-Energielücke

Energielücke

Gehen Energielücke = Leitungsbandenergie-Valenzbandenergie

Nettoänderungsrate im Leitungsband Formel

Verhältnismäßigkeit für Rekombination = Thermische Erzeugung/(Intrinsische Trägerkonzentration^2)
α_r = TG/(n_i^2)

Wie findet man die Konzentration eines Lochs?

Berechnen Sie die Elektronen- und Löcherkonzentration in intrinsischem Si bei Raumtemperatur, wenn seine elektrische Leitfähigkeit 4x10-4 Mho/M beträgt. Angenommen, die Mobilität von Elektronen = 0,14 m2/V-s und die Mobilität von Löchern = 0,04 m2/ - Applied Physics 1. 0,14 m2/V-s und die Mobilität von Löchern = 0,04 m2/V-s.

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