✖La capacité de charge de l'onduleur CMOS est définie comme des capacités combinées dans une capacité linéaire groupée équivalente.ⓘ Capacité de charge [Cload] | | | +10% -10% |
✖La transconductance du PMOS dans le CMOS est définie comme la multiplication de la mobilité des électrons, le rapport largeur/longueur du PMOS et la capacité de l'oxyde.ⓘ Transconductance du PMOS [Kp] | | | +10% -10% |
✖La tension d'alimentation du CMOS est définie comme la tension d'alimentation fournie à la borne source du PMOS.ⓘ Tension d'alimentation [VDD] | | | +10% -10% |
✖La tension de seuil du PMOS avec polarisation corporelle est définie comme la valeur de la tension de grille minimale requise pour le PMOS lorsque le substrat n'est pas au potentiel de terre.ⓘ Tension seuil du PMOS avec polarisation corporelle [VT,p] | | | +10% -10% |