Rayon de la nième orbite de l'électron Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Rayon de la nième orbite de l'électron = ([Coulomb]*Nombre quantique^2*[hP]^2)/(Masse de particules*[Charge-e]^2)
rn = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2)
Cette formule utilise 3 Constantes, 3 Variables
Constantes utilisées
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[Coulomb] - Constante de Coulomb Valeur prise comme 8.9875E+9
[hP] - constante de Planck Valeur prise comme 6.626070040E-34
Variables utilisées
Rayon de la nième orbite de l'électron - (Mesuré en Mètre) - Rayon de la nième orbite d'électron est défini comme le rayon de la nième ou dernière orbite présente dans la coquille.
Nombre quantique - Le nombre quantique est une valeur numérique qui décrit un aspect particulier de l'état quantique d'un système physique.
Masse de particules - (Mesuré en Kilogramme) - La masse de particule est définie comme la masse totale de la particule considérée.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Nombre quantique: 2 --> Aucune conversion requise
Masse de particules: 1.34E-05 Kilogramme --> 1.34E-05 Kilogramme Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
rn = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2) --> ([Coulomb]*2^2*[hP]^2)/(1.34E-05*[Charge-e]^2)
Évaluer ... ...
rn = 4.58868096352768E-14
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
4.58868096352768E-14 Mètre -->4.58868096352768E-08 Micromètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
4.58868096352768E-08 4.6E-8 Micromètre <-- Rayon de la nième orbite de l'électron
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
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Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

18 Électrons Calculatrices

Fonction d'onde dépendante de Phi
​ Aller Φ Fonction d'onde dépendante = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Nombre quantique d'onde*Angle de fonction d'onde))
Ordre de diffraction
​ Aller Ordre de diffraction = (2*Espace de greffe*sin(Angle d'incidence))/Longueur d'onde du rayon
Composant de trou
​ Aller Composant de trou = Composant électronique*Efficacité d'injection de l'émetteur/(1-Efficacité d'injection de l'émetteur)
État quantique
​ Aller L'énergie à l'état quantique = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masse de particules*Longueur potentielle du puits^2)
Rayon de la nième orbite de l'électron
​ Aller Rayon de la nième orbite de l'électron = ([Coulomb]*Nombre quantique^2*[hP]^2)/(Masse de particules*[Charge-e]^2)
Densité du flux électronique
​ Aller Densité de flux d'électrons = (Électron de libre parcours moyen/(2*Temps))*Différence de concentration d'électrons
Chemin libre moyen
​ Aller Électron de libre parcours moyen = (Densité de flux d'électrons/(Différence de concentration d'électrons))*2*Temps
Conductance CA
​ Aller Conductance CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Température))*Courant électrique
Composant électronique
​ Aller Composant électronique = ((Composant de trou)/Efficacité d'injection de l'émetteur)-Composant de trou
Différence de concentration d'électrons
​ Aller Différence de concentration d'électrons = Concentration d'électrons 1-Concentration d'électrons 2
Densité totale du courant porteur
​ Aller Densité totale de courant porteur = Densité de courant électronique+Densité de courant de trou
Densité de courant électronique
​ Aller Densité de courant électronique = Densité totale de courant porteur-Densité de courant de trou
Densité de courant de trou
​ Aller Densité de courant de trou = Densité totale de courant porteur-Densité de courant électronique
Temps moyen passé par trou
​ Aller Temps moyen passé par trou = Taux de génération optique*Décroissance des porteurs majoritaires
Multiplication d'électrons
​ Aller Multiplication d'électrons = Nombre d'électrons hors région/Nombre d'électrons dans la région
Électron dans la région
​ Aller Nombre d'électrons dans la région = Nombre d'électrons hors région/Multiplication d'électrons
Électron hors région
​ Aller Nombre d'électrons hors région = Multiplication d'électrons*Nombre d'électrons dans la région
Amplitude de la fonction d'onde
​ Aller Amplitude de la fonction d'onde = sqrt(2/Longueur potentielle du puits)

15 Porteurs de semi-conducteurs Calculatrices

Concentration de transporteur intrinsèque
​ Aller Concentration de transporteur intrinsèque = sqrt(Densité effective d'état dans la bande de Valence*Densité effective d'état dans la bande de conduction)*exp(-Déficit énergétique/(2*[BoltZ]*Température))
Durée de vie du transporteur
​ Aller Durée de vie du transporteur = 1/(Proportionnalité pour la recombinaison*(Concentration de trous dans la bande de cantonnière+Concentration d'électrons dans la bande de conduction))
État quantique
​ Aller L'énergie à l'état quantique = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masse de particules*Longueur potentielle du puits^2)
Rayon de la nième orbite de l'électron
​ Aller Rayon de la nième orbite de l'électron = ([Coulomb]*Nombre quantique^2*[hP]^2)/(Masse de particules*[Charge-e]^2)
Densité du flux électronique
​ Aller Densité de flux d'électrons = (Électron de libre parcours moyen/(2*Temps))*Différence de concentration d'électrons
Fonction Fermi
​ Aller Fonction de Fermi = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Densité effective d'état dans la bande de conduction
État de densité efficace dans la bande de Valence
​ Aller Densité effective d'état dans la bande de Valence = Concentration de trous dans la bande de cantonnière/(1-Fonction de Fermi)
Coefficient de distribution
​ Aller Coefficient de répartition = Concentration d'impuretés dans le solide/Concentration d'impuretés dans le liquide
Concentration excessive de porteurs
​ Aller Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison
Densité de courant électronique
​ Aller Densité de courant électronique = Densité totale de courant porteur-Densité de courant de trou
Temps moyen passé par trou
​ Aller Temps moyen passé par trou = Taux de génération optique*Décroissance des porteurs majoritaires
Densité de courant de trou
​ Aller Densité de courant de trou = Densité totale de courant porteur-Densité de courant électronique
Multiplication d'électrons
​ Aller Multiplication d'électrons = Nombre d'électrons hors région/Nombre d'électrons dans la région
Énergie de bande de conduction
​ Aller Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence
Énergie photoélectronique
​ Aller Énergie photoélectronique = [hP]*Fréquence de la lumière incidente

Rayon de la nième orbite de l'électron Formule

Rayon de la nième orbite de l'électron = ([Coulomb]*Nombre quantique^2*[hP]^2)/(Masse de particules*[Charge-e]^2)
rn = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2)

Comment trouver le rayon de l'orbite d'un électron ?

Utilisez la formule 𝑟_𝑛 = 𝑎₀ 𝑛², où 𝑟_𝑛 est le rayon orbital d'un électron au niveau d'énergie 𝑛 d'un atome d'hydrogène et 𝑎₀ est le rayon de Bohr, pour calculer le rayon orbital d'un électron qui est au niveau d'énergie 𝑛 = 3 d'un atome d'hydrogène. Utilisez une valeur de 5,29 × 10⁻¹¹ m pour le rayon de Bohr.

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