Radio de la enésima órbita del electrón Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)
rn = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2)
Esta fórmula usa 3 Constantes, 3 Variables
Constantes utilizadas
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
[Coulomb] - constante de culombio Valor tomado como 8.9875E+9
[hP] - constante de planck Valor tomado como 6.626070040E-34
Variables utilizadas
Radio de la enésima órbita del electrón - (Medido en Metro) - El radio de la n-ésima órbita del electrón se define como el radio de la n-ésima o última órbita presente en la capa.
Número cuántico - Número cuántico es un valor numérico que describe un aspecto particular del estado cuántico de un sistema físico.
Masa de partícula - (Medido en Kilogramo) - La masa de partícula se define como la masa total de la partícula considerada.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Número cuántico: 2 --> No se requiere conversión
Masa de partícula: 1.34E-05 Kilogramo --> 1.34E-05 Kilogramo No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
rn = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2) --> ([Coulomb]*2^2*[hP]^2)/(1.34E-05*[Charge-e]^2)
Evaluar ... ...
rn = 4.58868096352768E-14
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
4.58868096352768E-14 Metro -->4.58868096352768E-08 Micrómetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
4.58868096352768E-08 4.6E-8 Micrómetro <-- Radio de la enésima órbita del electrón
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
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Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
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18 electrones Calculadoras

Función de onda dependiente de Phi
​ Vamos Φ función de onda dependiente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Número cuántico de onda*Ángulo de función de onda))
Orden de Difracción
​ Vamos Orden de Difracción = (2*Espacio de injerto*sin(Ángulo de incidencia))/Longitud de onda del rayo
Densidad de flujo de electrones
​ Vamos Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones
Componente de agujero
​ Vamos Componente de agujero = Componente de electrones*Eficiencia de inyección del emisor/(1-Eficiencia de inyección del emisor)
Camino libre medio
​ Vamos Electrón de camino libre medio = (Densidad de flujo de electrones/(Diferencia en la concentración de electrones))*2*Tiempo
Radio de la enésima órbita del electrón
​ Vamos Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)
Estado cuántico
​ Vamos Energía en Estado Cuántico = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa de partícula*Longitud potencial del pozo^2)
Componente de electrones
​ Vamos Componente de electrones = ((Componente de agujero)/Eficiencia de inyección del emisor)-Componente de agujero
Conductancia de CA
​ Vamos Conductancia de CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corriente eléctrica
Densidad total de la corriente del portador
​ Vamos Densidad de corriente total del portador = Densidad de corriente de electrones+Densidad de corriente del agujero
Densidad de corriente de electrones
​ Vamos Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente del agujero
Densidad actual del agujero
​ Vamos Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones
Diferencia en la concentración de electrones
​ Vamos Diferencia en la concentración de electrones = Concentración de electrones 1-Concentración de electrones 2
Multiplicación de electrones
​ Vamos Multiplicación de electrones = Número de electrones fuera de la región/Número de electrones en la región
Electrón fuera de la región
​ Vamos Número de electrones fuera de la región = Multiplicación de electrones*Número de electrones en la región
electrón en la región
​ Vamos Número de electrones en la región = Número de electrones fuera de la región/Multiplicación de electrones
Tiempo medio gastado por hoyo
​ Vamos Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario
Amplitud de la función de onda
​ Vamos Amplitud de la función de onda = sqrt(2/Longitud potencial del pozo)

15 Portadores de semiconductores Calculadoras

Concentración de portador intrínseco
​ Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))
Carrier Lifetime
​ Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))
Densidad de flujo de electrones
​ Vamos Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones
Radio de la enésima órbita del electrón
​ Vamos Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)
Estado cuántico
​ Vamos Energía en Estado Cuántico = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa de partícula*Longitud potencial del pozo^2)
Función Fermi
​ Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción
Estado de densidad efectiva en la banda de valencia
​ Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)
Densidad de corriente de electrones
​ Vamos Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente del agujero
Densidad actual del agujero
​ Vamos Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones
Coeficiente de distribución
​ Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido
Multiplicación de electrones
​ Vamos Multiplicación de electrones = Número de electrones fuera de la región/Número de electrones en la región
Exceso de concentración de portadores
​ Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación
Tiempo medio gastado por hoyo
​ Vamos Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario
Energía de banda de conducción
​ Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia
Energía de fotoelectrones
​ Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Radio de la enésima órbita del electrón Fórmula

Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)
rn = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2)

¿Cómo se encuentra el radio de la órbita de un electrón?

Usa la fórmula 𝑟_𝑛 = 𝑎₀ 𝑛², donde 𝑟_𝑛 es el radio orbital de un electrón en el nivel de energía 𝑛 de un átomo de hidrógeno y 𝑎₀ es el radio de Bohr, para calcular el radio orbital de un electrón que está en el nivel de energía 𝑛 = 3 de un átomo de hidrógeno. Utilice un valor de 5,29 × 10⁻¹¹ m para el radio de Bohr.

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