Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)
rn = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2)
Diese formel verwendet 3 Konstanten, 3 Variablen
Verwendete Konstanten
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19
[Coulomb] - Coulomb-Konstante Wert genommen als 8.9875E+9
[hP] - Planck-Konstante Wert genommen als 6.626070040E-34
Verwendete Variablen
Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons - (Gemessen in Meter) - Der Radius der n-ten Elektronenbahn ist definiert als der Radius der n-ten oder letzten in der Hülle vorhandenen Umlaufbahn.
Quantenzahl - Die Quantenzahl ist ein numerischer Wert, der einen bestimmten Aspekt des Quantenzustands eines physikalischen Systems beschreibt.
Teilchenmasse - (Gemessen in Kilogramm) - Die Partikelmasse ist definiert als die Gesamtmasse des betrachteten Partikels.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Quantenzahl: 2 --> Keine Konvertierung erforderlich
Teilchenmasse: 1.34E-05 Kilogramm --> 1.34E-05 Kilogramm Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
rn = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2) --> ([Coulomb]*2^2*[hP]^2)/(1.34E-05*[Charge-e]^2)
Auswerten ... ...
rn = 4.58868096352768E-14
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
4.58868096352768E-14 Meter -->4.58868096352768E-08 Mikrometer (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
4.58868096352768E-08 4.6E-8 Mikrometer <-- Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Phi-abhängige Wellenfunktion
​ Gehen Φ abhängige Wellenfunktion = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Wellenquantenzahl*Wellenfunktionswinkel))
Ordnung der Beugung
​ Gehen Ordnung der Beugung = (2*Veredelungsraum*sin(Einfallswinkel))/Wellenlänge von Ray
Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons
​ Gehen Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)
Mittlerer freier Pfad
​ Gehen Mittleres freies Wegelektron = (Elektronenflussdichte/(Unterschied in der Elektronenkonzentration))*2*Zeit
Elektronenflussdichte
​ Gehen Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration
AC-Leitfähigkeit
​ Gehen AC-Leitfähigkeit = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatur))*Elektrischer Strom
Quantenzustand
​ Gehen Energie im Quantenzustand = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Teilchenmasse*Mögliche Bohrlochlänge^2)
Lochkomponente
​ Gehen Lochkomponente = Elektronenkomponente*Emitter-Injektionseffizienz/(1-Emitter-Injektionseffizienz)
Elektronenkomponente
​ Gehen Elektronenkomponente = ((Lochkomponente)/Emitter-Injektionseffizienz)-Lochkomponente
Elektron außerhalb der Region
​ Gehen Anzahl der Elektronen außerhalb der Region = Elektronenmultiplikation*Anzahl der Elektronen in der Region
Elektronenvervielfachung
​ Gehen Elektronenmultiplikation = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Anzahl der Elektronen in der Region
Elektron in der Region
​ Gehen Anzahl der Elektronen in der Region = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Elektronenmultiplikation
Unterschied in der Elektronenkonzentration
​ Gehen Unterschied in der Elektronenkonzentration = Elektronenkonzentration 1-Elektronenkonzentration 2
Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch
​ Gehen Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay
Gesamtträgerstromdichte
​ Gehen Gesamtträgerstromdichte = Elektronenstromdichte+Lochstromdichte
Elektronenstromdichte
​ Gehen Elektronenstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Lochstromdichte
Lochstromdichte
​ Gehen Lochstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Elektronenstromdichte
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​ Gehen Amplitude der Wellenfunktion = sqrt(2/Mögliche Bohrlochlänge)

15 Halbleiterträger Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration
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Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons
​ Gehen Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)
Elektronenflussdichte
​ Gehen Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration
Quantenzustand
​ Gehen Energie im Quantenzustand = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Teilchenmasse*Mögliche Bohrlochlänge^2)
Verteilungskoeffizient
​ Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit
Elektronenvervielfachung
​ Gehen Elektronenmultiplikation = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Anzahl der Elektronen in der Region
Fermi-Funktion
​ Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband
Zustand der effektiven Dichte im Valenzband
​ Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)
Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch
​ Gehen Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay
Übermäßige Trägerkonzentration
​ Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer
Photoelektronenenergie
​ Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts
Elektronenstromdichte
​ Gehen Elektronenstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Lochstromdichte
Lochstromdichte
​ Gehen Lochstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Elektronenstromdichte
Leitungsbandenergie
​ Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons Formel

Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)
rn = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2)

Wie findet man den Radius der Bahn eines Elektrons?

Verwenden Sie die Formel 𝑟_𝑛 = 𝑎₀ 𝑛², wobei 𝑟_𝑛 der Bahnradius eines Elektrons im Energieniveau 𝑛 eines Wasserstoffatoms und 𝑎₀ der Bohr-Radius ist, um den Bahnradius eines Elektrons zu berechnen, das sich im Energieniveau 𝑛 = 3 von a befindet Wasserstoffatom. Verwenden Sie für den Bohr-Radius einen Wert von 5,29 × 10⁻¹¹ m.

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