Радиус N-й орбиты электрона Калькулятор

✖Квантовое число — это числовое значение, описывающее конкретный аспект квантового состояния физической системы.ⓘ Квантовое число [n]			+10% -10%
✖Масса частицы определяется как полная масса рассматриваемой частицы.ⓘ Масса частицы [M]			+10% -10%

✖Радиус n-й орбиты электрона определяется как радиус n-й или последней орбиты, присутствующей в оболочке.ⓘ Радиус N-й орбиты электрона [r_n]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Радиус N-й орбиты электрона

Формула

`"r"_{"n"} = ("[Coulomb]"*"n"^2*"[hP]"^2)/("M"*"[Charge-e]"^2)`

Пример

`"4.6E^-8μm"=("[Coulomb]"*("2")^2*"[hP]"^2)/("1.34e-5kg"*"[Charge-e]"^2)`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроны Формулы PDF PDF Image

Радиус N-й орбиты электрона Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Радиус n-й орбиты электрона = ([Coulomb]*Квантовое число^2*[hP]^2)/(Масса частицы*[Charge-e]^2)
r_n = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2)
В этой формуле используются 3 Константы, 3 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
[Coulomb] - Постоянная Кулона Значение, принятое как 8.9875E+9
[hP] - Постоянная Планка Значение, принятое как 6.626070040E-34

Используемые переменные

Радиус n-й орбиты электрона - (Измеряется в метр) - Радиус n-й орбиты электрона определяется как радиус n-й или последней орбиты, присутствующей в оболочке.
Квантовое число - Квантовое число — это числовое значение, описывающее конкретный аспект квантового состояния физической системы.
Масса частицы - (Измеряется в Килограмм) - Масса частицы определяется как полная масса рассматриваемой частицы.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Квантовое число: 2 --> Конверсия не требуется
Масса частицы: 1.34E-05 Килограмм --> 1.34E-05 Килограмм Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

r_n = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2) --> ([Coulomb]*2^2*[hP]^2)/(1.34E-05*[Charge-e]^2)

Оценка ... ...

r_n = 4.58868096352768E-14

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

4.58868096352768E-14 метр -->4.58868096352768E-08 микрометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

4.58868096352768E-08 ≈ 4.6E-8 микрометр <-- Радиус n-й орбиты электрона

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Твердотельные устройства » Электроны » Радиус N-й орбиты электрона

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 18 Электроны Калькуляторы

Фи-зависимая волновая функция

Идти Φ Зависимая волновая функция = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Волновое квантовое число*Угол волновой функции))

проводимость переменного тока

Идти проводимость переменного тока = ([Charge-e]/([BoltZ]*Температура))*Электрический ток

Плотность электронного потока

Идти Плотность потока электронов = (Электрон со средним свободным пробегом/(2*Время))*Разница в концентрации электронов

Длина свободного пробега

Идти Электрон со средним свободным пробегом = (Плотность потока электронов/(Разница в концентрации электронов))*2*Время

Компонент отверстия

Идти Компонент отверстия = Электронная составляющая*Эффективность инжекции эмиттера/(1-Эффективность инжекции эмиттера)

Порядок дифракции

Идти Порядок дифракции = (2*Пространство для прививки*sin(Угол падения))/Длина волны луча

Квантовое состояние

Идти Энергия в квантовом состоянии = (Квантовое число^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Масса частицы*Потенциальная длина скважины^2)

Электронная составляющая

Идти Электронная составляющая = ((Компонент отверстия)/Эффективность инжекции эмиттера)-Компонент отверстия

Радиус N-й орбиты электрона

Идти Радиус n-й орбиты электрона = ([Coulomb]*Квантовое число^2*[hP]^2)/(Масса частицы*[Charge-e]^2)

Среднее время, затрачиваемое на отверстие

Идти Среднее время, затрачиваемое на отверстие = Скорость оптической генерации*Затухание основной несущей

Разница в концентрации электронов

Идти Разница в концентрации электронов = Электронная концентрация 1-Электронная концентрация 2

Электронное умножение

Идти Электронное умножение = Количество электронов вне области/Количество электронов в области

Электрон вне региона

Идти Количество электронов вне области = Электронное умножение*Количество электронов в области

Электрон в регионе

Идти Количество электронов в области = Количество электронов вне области/Электронное умножение

Полная плотность тока несущей

Идти Суммарная плотность несущего тока = Плотность электронного тока+Плотность тока отверстия

Плотность электронного тока

Идти Плотность электронного тока = Суммарная плотность несущего тока-Плотность тока отверстия

Плотность тока отверстия

Идти Плотность тока отверстия = Суммарная плотность несущего тока-Плотность электронного тока

Амплитуда волновой функции

Идти Амплитуда волновой функции = sqrt(2/Потенциальная длина скважины)

< 15 Полупроводниковые носители Калькуляторы

Концентрация внутреннего носителя

Идти Концентрация внутреннего носителя = sqrt(Эффективная плотность состояний в валентной зоне*Эффективная плотность состояний в зоне проводимости)*exp(-Энергетический разрыв/(2*[BoltZ]*Температура))

Срок службы оператора связи

Идти Срок службы перевозчика = 1/(Пропорциональность для рекомбинации*(Концентрация отверстий в полосе обшивки+Концентрация электронов в зоне проводимости))

Плотность электронного потока

Квантовое состояние

Идти Энергия в квантовом состоянии = (Квантовое число^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Масса частицы*Потенциальная длина скважины^2)

Радиус N-й орбиты электрона

Идти Радиус n-й орбиты электрона = ([Coulomb]*Квантовое число^2*[hP]^2)/(Масса частицы*[Charge-e]^2)

Функция Ферми

Идти Функция Ферми = Концентрация электронов в зоне проводимости/Эффективная плотность состояний в зоне проводимости

Эффективное состояние плотности в валентной зоне

Идти Эффективная плотность состояний в валентной зоне = Концентрация отверстий в полосе обшивки/(1-Функция Ферми)

Среднее время, затрачиваемое на отверстие

Идти Среднее время, затрачиваемое на отверстие = Скорость оптической генерации*Затухание основной несущей

Коэффициент распределения

Идти Коэффициент распределения = Концентрация примесей в твердом теле/Концентрация примесей в жидкости

Избыточная концентрация носителя

Идти Избыточная концентрация носителя = Скорость оптической генерации*Время жизни рекомбинации

Электронное умножение

Идти Электронное умножение = Количество электронов вне области/Количество электронов в области

Плотность электронного тока

Идти Плотность электронного тока = Суммарная плотность несущего тока-Плотность тока отверстия

Плотность тока отверстия

Идти Плотность тока отверстия = Суммарная плотность несущего тока-Плотность электронного тока

Энергия зоны проводимости

Идти Энергия зоны проводимости = Энергетический разрыв+Энергия валентной полосы

Фотоэлектронная энергия

Идти Фотоэлектронная энергия = [hP]*Частота падающего света

Радиус N-й орбиты электрона формула

Радиус n-й орбиты электрона = ([Coulomb]*Квантовое число^2*[hP]^2)/(Масса частицы*[Charge-e]^2)
r_n = ([Coulomb]*n^2*[hP]^2)/(M*[Charge-e]^2)

Как найти радиус орбиты электрона?

Используйте формулу 𝑟_𝑛 = 𝑎₀ 𝑛², где 𝑟_𝑛 — радиус орбиты электрона на энергетическом уровне 𝑛 атома водорода, а 𝑎₀ — радиус Бора, чтобы вычислить радиус орбиты электрона, находящегося на энергетическом уровне 𝑛 = 3 атома водорода. атом водорода. Используйте значение 5,29 × 10⁻¹¹ м для радиуса Бора.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!