Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI

Conception VLSI analogique

✖Le coefficient DIBL dans un appareil cmos est généralement représenté de l'ordre de 0,1.ⓘ Coefficient DIBL [η]			+10% -10%
✖Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.ⓘ Potentiel de drainage vers la source [V_ds]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%

✖La tension de seuil dibl est définie comme la tension minimale requise par la jonction source du potentiel corporel, lorsque la source est au potentiel corporel.ⓘ Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps [V_t0]

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Formule

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Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps

Formule

`"V"_{"t0"} = "η"*"V"_{"ds"}+"V"_{"t"}`

Exemple

`"0.59V"="0.2"*"1.45V"+"0.3V"`

Calculatrice

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Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de seuil DIBL = Coefficient DIBL*Potentiel de drainage vers la source+Tension de seuil
V_t0 = η*V_ds+V_t
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Tension de seuil DIBL - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil dibl est définie comme la tension minimale requise par la jonction source du potentiel corporel, lorsque la source est au potentiel corporel.
Coefficient DIBL - Le coefficient DIBL dans un appareil cmos est généralement représenté de l'ordre de 0,1.
Potentiel de drainage vers la source - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Coefficient DIBL: 0.2 --> Aucune conversion requise
Potentiel de drainage vers la source: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_t0 = η*V_ds+V_t --> 0.2*1.45+0.3

Évaluer ... ...

V_t0 = 0.59

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.59 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.59 Volt <-- Tension de seuil DIBL

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Fabrication VLSI » Optimisation des matériaux VLSI » Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI

Aller Densité de charge de la région d'épuisement global = -(1-((Étendue latérale de la région d'épuisement avec source+Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain)/(2*Longueur du canal)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentration d'accepteur*abs(2*Potentiel des surfaces))

Coefficient d'effet corporel

Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI

Aller Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tension intégrée de jonction)/([Charge-e]*Concentration d'accepteur))

Jonction Tension intégrée VLSI

Aller Tension intégrée de jonction = ([BoltZ]*Température/[Charge-e])*ln(Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs/(Concentration intrinsèque)^2)

Capacité parasitaire totale de la source

Aller Capacité parasite de la source = (Capacité entre la jonction du corps et la source*Zone de diffusion de la source)+(Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale*Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source)

Courant de saturation des canaux courts VLSI

Aller Courant de saturation des canaux courts = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*Capacité d'oxyde par unité de surface*Tension de source de drain de saturation

Courant de jonction

Aller Courant de jonction = (Puissance statique/Tension du collecteur de base)-(Courant sous-seuil+Conflit actuel+Courant de porte)

Potentiel de surface

Aller Potentiel des surfaces = 2*Différence potentielle du corps source*ln(Concentration d'accepteur/Concentration intrinsèque)

Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte

Aller Longueur de la porte = Capacité de porte/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Largeur du portail)

Capacité d'oxyde de porte

Aller Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Coefficient DIBL

Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps

Aller Tension de seuil DIBL = Coefficient DIBL*Potentiel de drainage vers la source+Tension de seuil

Pente sous-seuil

Aller Pente sous-seuil = Différence potentielle du corps source*Coefficient DIBL*ln(10)

Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète = Capacité d'oxyde par unité de surface*Facteur d'échelle

Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète = Épaisseur d'oxyde de porte/Facteur d'échelle

Capacité de porte

Aller Capacité de porte = Frais de canal/(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension de seuil

Aller Tension de seuil = Tension porte à canal-(Frais de canal/Capacité de porte)

Charge de canal

Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète = Profondeur de jonction/Facteur d'échelle

Tension critique

Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Longueur du canal après mise à l'échelle complète = Longueur du canal/Facteur d'échelle

Capacité de porte intrinsèque

Aller Capacité de chevauchement de porte MOS = Capacité de la porte MOS*Largeur de transition

Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI

Aller Largeur du canal après mise à l'échelle complète = Largeur de canal/Facteur d'échelle

Mobilité à Mosfet

Aller Mobilité dans MOSFET = K Premier/Capacité de la couche d'oxyde de grille

K-Prime

Aller K Premier = Mobilité dans MOSFET*Capacité de la couche d'oxyde de grille

Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps Formule

Tension de seuil DIBL = Coefficient DIBL*Potentiel de drainage vers la source+Tension de seuil
V_t0 = η*V_ds+V_t

Qu'est-ce que l'abaissement de la barrière induite par le drain (DIBL) ?

La tension de drain Vds crée un champ électrique qui affecte la tension de seuil. Cet effet d'abaissement de barrière induit par le drain (DIBL) est particulièrement prononcé dans les transistors à canal court. L'abaissement de barrière induit par le drain fait augmenter Ids avec Vds en saturation, à peu près de la même manière que la modulation de longueur de canal. Encore une fois, c'est un fléau pour la conception analogique mais insignifiant pour la plupart des circuits numériques. Plus significativement, DIBL augmente les fuites sous le seuil à Vds élevé.

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