Gain de tension du FET Calculatrice

✖La transconductance directe d'un JFET est maximale à une tension de grille nulle et diminue à mesure que la tension de grille augmente.ⓘ Transconductance directe [G_m]			+10% -10%
✖La résistance de drainage d'un JFET peut être réduite en utilisant un JFET avec une largeur et une longueur de canal plus larges. Les JFET avec des largeurs et des longueurs de canal plus larges ont une résistance plus faible.ⓘ Résistance aux fuites [R_drain]			+10% -10%

✖Le gain de tension d'un JFET est déterminé par la transconductance du JFET et la résistance de charge. Mesure du courant de drain.ⓘ Gain de tension du FET [A_v]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Gain de tension du FET

Formule

`"A"_{"v"} = -"G"_{"m"}*"R"_{"drain"}`

Exemple

`"-307.69236V"=-"2564.103S"*"0.12Ω"`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Électronique de puissance Formule PDF PDF Image

Gain de tension du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites
A_v = -G_m*R_drain
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Gain de tension - (Mesuré en Volt) - Le gain de tension d'un JFET est déterminé par la transconductance du JFET et la résistance de charge. Mesure du courant de drain.
Transconductance directe - (Mesuré en Siemens) - La transconductance directe d'un JFET est maximale à une tension de grille nulle et diminue à mesure que la tension de grille augmente.
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drainage d'un JFET peut être réduite en utilisant un JFET avec une largeur et une longueur de canal plus larges. Les JFET avec des largeurs et des longueurs de canal plus larges ont une résistance plus faible.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance directe: 2564.103 Siemens --> 2564.103 Siemens Aucune conversion requise
Résistance aux fuites: 0.12 Ohm --> 0.12 Ohm Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_v = -G_m*R_drain --> -2564.103*0.12

Évaluer ... ...

A_v = -307.69236

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-307.69236 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-307.69236 Volt <-- Gain de tension

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électrique » Électronique de puissance » Dispositifs à transistors avancés » FET » Gain de tension du FET

Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 10+ FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange = Conductance du canal*(Tension de drain vers la source+3/2*((Psi+Gain à la tension source-Tension de drain vers la source)^(3/2)-(Psi+Gain à la tension source)^(3/2))/((Psi+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller Transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation nulle)/Tension de pincement*(1-Gain à la tension source/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2

Capacité du substrat de porte du FET

Aller Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)

Capacité de source de porte du FET

Aller Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source

Transconductance directe du FET

Aller Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites

Gain de tension du FET Formule

Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites
A_v = -G_m*R_drain

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!