Spannungsverstärkung des FET Taschenrechner

✖Die Vorwärtssteilheit eines JFET ist bei einer Gate-Spannung von Null maximal und nimmt mit zunehmender Gate-Spannung ab.ⓘ Vorwärtstranskonduktanz [G_m]			+10% -10%
✖Der Drain-Widerstand eines JFET kann durch die Verwendung eines JFET mit einer größeren Kanalbreite und -länge verringert werden. JFETs mit größeren Kanalbreiten und -längen haben einen geringeren Widerstand.ⓘ Abflusswiderstand [R_drain]			+10% -10%

✖Die Spannungsverstärkung eines JFET wird durch die Transkonduktanz des JFET und den Lastwiderstand bestimmt. Maß dafür, wie hoch der Drainstrom ist.ⓘ Spannungsverstärkung des FET [A_v]

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Formel

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Spannungsverstärkung des FET

Formel

`"A"_{"v"} = -"G"_{"m"}*"R"_{"drain"}`

Beispiel

`"-307.69236V"=-"2564.103S"*"0.12Ω"`

Taschenrechner

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Spannungsverstärkung des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand
A_v = -G_m*R_drain
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Spannungsverstärkung - (Gemessen in Volt) - Die Spannungsverstärkung eines JFET wird durch die Transkonduktanz des JFET und den Lastwiderstand bestimmt. Maß dafür, wie hoch der Drainstrom ist.
Vorwärtstranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Vorwärtssteilheit eines JFET ist bei einer Gate-Spannung von Null maximal und nimmt mit zunehmender Gate-Spannung ab.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand eines JFET kann durch die Verwendung eines JFET mit einer größeren Kanalbreite und -länge verringert werden. JFETs mit größeren Kanalbreiten und -längen haben einen geringeren Widerstand.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Vorwärtstranskonduktanz: 2564.103 Siemens --> 2564.103 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Abflusswiderstand: 0.12 Ohm --> 0.12 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A_v = -G_m*R_drain --> -2564.103*0.12

Auswerten ... ...

A_v = -307.69236

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

-307.69236 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

-307.69236 Volt <-- Spannungsverstärkung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 9 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Kanalleitfähigkeit*(Drain-Source-Spannung+3/2*((Psi+Verstärkung zur Quellenspannung-Drain-Source-Spannung)^(3/2)-(Psi+Verstärkung zur Quellenspannung)^(3/2))/((Psi+Pinch-Off-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)

Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Quellenkapazität/(1-(Verstärkung zur Quellenspannung/Psi))^(1/3)

Gate-Substratkapazität des FET

Gehen Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand

Spannungsverstärkung des FET Formel

Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand
A_v = -G_m*R_drain

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