Capacité de jonction à polarisation nulle Calculatrice

✖La permittivité du silicium est une propriété matérielle qui décrit la façon dont un matériau réagit à un champ électrique.ⓘ Permitivité du silicium [ε_si]			+10% -10%
✖La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration dopante de l'accepteur [N_A]			+10% -10%
✖La concentration dopante du donneur fait référence à la concentration d’atomes donneurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration dopante du donneur [N_D]			+10% -10%
✖Le potentiel de jonction intégré fait référence à la différence de potentiel ou à la tension qui existe aux bornes d'une jonction semi-conductrice lorsqu'elle n'est pas connectée à une source de tension externe.ⓘ Potentiel de jonction intégré [Φ_o]			+10% -10%

✖La capacité de jonction à polarisation nulle fait référence au potentiel intégré d'une jonction semi-conductrice lorsqu'aucune tension externe (polarisation) ne lui est appliquée.ⓘ Capacité de jonction à polarisation nulle [C_j0]

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Formule

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Capacité de jonction à polarisation nulle

Formule

`"C"_{"j0"} = sqrt(("ε"_{"si"}*"[Charge-e]")/2*(("N"_{"A"}*"N"_{"D"})/("N"_{"A"}+"N"_{"D"}))*1/"Φ"_{"o"})`

Exemple

`"6.6E^-7F"=sqrt(("11.7F/m"*"[Charge-e]")/2*(("1.32electrons/cm³"*"3.01electrons/cm³")/("1.32electrons/cm³"+"3.01electrons/cm³"))*1/"2V")`

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Capacité de jonction à polarisation nulle Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de jonction à polarisation nulle = sqrt((Permitivité du silicium*[Charge-e])/2*((Concentration dopante de l'accepteur*Concentration dopante du donneur)/(Concentration dopante de l'accepteur+Concentration dopante du donneur))*1/Potentiel de jonction intégré)
C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o)
Cette formule utilise 1 Constantes, 1 Les fonctions, 5 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Capacité de jonction à polarisation nulle - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction à polarisation nulle fait référence au potentiel intégré d'une jonction semi-conductrice lorsqu'aucune tension externe (polarisation) ne lui est appliquée.
Permitivité du silicium - (Mesuré en Farad par mètre) - La permittivité du silicium est une propriété matérielle qui décrit la façon dont un matériau réagit à un champ électrique.
Concentration dopante de l'accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Concentration dopante du donneur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration dopante du donneur fait référence à la concentration d’atomes donneurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Potentiel de jonction intégré - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de jonction intégré fait référence à la différence de potentiel ou à la tension qui existe aux bornes d'une jonction semi-conductrice lorsqu'elle n'est pas connectée à une source de tension externe.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Permitivité du silicium: 11.7 Farad par mètre --> 11.7 Farad par mètre Aucune conversion requise
Concentration dopante de l'accepteur: 1.32 Électrons par centimètre cube --> 1320000 Électrons par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Concentration dopante du donneur: 3.01 Électrons par centimètre cube --> 3010000 Électrons par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Potentiel de jonction intégré: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o) --> sqrt((11.7*[Charge-e])/2*((1320000*3010000)/(1320000+3010000))*1/2)

Évaluer ... ...

C_j0 = 6.55759204749238E-07

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

6.55759204749238E-07 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

6.55759204749238E-07 ≈ 6.6E-7 Farad <-- Capacité de jonction à polarisation nulle

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 2 Amplificateurs MOSFET Calculatrices

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle

Aller Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densité de dopage des parois latérales*Concentration dopante du donneur)/(Densité de dopage des parois latérales+Concentration dopante du donneur))*1/Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)

Capacité de jonction à polarisation nulle

Aller Capacité de jonction à polarisation nulle = sqrt((Permitivité du silicium*[Charge-e])/2*((Concentration dopante de l'accepteur*Concentration dopante du donneur)/(Concentration dopante de l'accepteur+Concentration dopante du donneur))*1/Potentiel de jonction intégré)

Capacité de jonction à polarisation nulle Formule

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