Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung Taschenrechner

Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung = sqrt((Permitivität von Silizium*[Charge-e])/2*((Dopingkonzentration des Akzeptors*Dopingkonzentration des Spenders)/(Dopingkonzentration des Akzeptors+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Verbindungspotential)
C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 1 Funktionen, 5 Variablen
[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung - (Gemessen in Farad) - Die Null-Vorspannungs-Übergangskapazität bezieht sich auf das eingebaute Potenzial eines Halbleiterübergangs, wenn keine externe Spannung (Vorspannung) an ihn angelegt wird.
Permitivität von Silizium - (Gemessen in Farad pro Meter) - Die Permitivität von Silizium ist eine Materialeigenschaft, die beschreibt, wie ein Material auf ein elektrisches Feld reagiert.
Dopingkonzentration des Akzeptors - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
Dopingkonzentration des Spenders - (Gemessen in Elektronen pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration des Donors bezieht sich auf die Konzentration der Donoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.
Eingebautes Verbindungspotential - (Gemessen in Volt) - Das eingebaute Verbindungspotential bezieht sich auf die Potenzialdifferenz oder Spannung, die an einem Halbleiterübergang anliegt, wenn dieser nicht an eine externe Spannungsquelle angeschlossen ist.

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)