Емкость перехода с нулевым смещением Калькулятор

✖Диэлектрическая проницаемость кремния — это свойство материала, которое описывает, как материал реагирует на электрическое поле.ⓘ Диэлектрическая проницаемость кремния [ε_si]			+10% -10%
✖Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.ⓘ Легирующая концентрация акцептора [N_A]			+10% -10%
✖Легирующая концентрация донора относится к концентрации донорных атомов, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.ⓘ Допинговая концентрация донора [N_D]			+10% -10%
✖Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.ⓘ Встроенный потенциал соединения [Φ_o]			+10% -10%

✖Емкость перехода с нулевым смещением относится к внутреннему потенциалу полупроводникового перехода, когда к нему не приложено внешнее напряжение (смещение).ⓘ Емкость перехода с нулевым смещением [C_j0]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Емкость перехода с нулевым смещением

Формула

`"C"_{"j0"} = sqrt(("ε"_{"si"}*"[Charge-e]")/2*(("N"_{"A"}*"N"_{"D"})/("N"_{"A"}+"N"_{"D"}))*1/"Φ"_{"o"})`

Пример

`"6.6E^-7F"=sqrt(("11.7F/m"*"[Charge-e]")/2*(("1.32electrons/cm³"*"3.01electrons/cm³")/("1.32electrons/cm³"+"3.01electrons/cm³"))*1/"2V")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзисторные усилители Формулы PDF PDF Image

Емкость перехода с нулевым смещением Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость перехода с нулевым смещением = sqrt((Диэлектрическая проницаемость кремния*[Charge-e])/2*((Легирующая концентрация акцептора*Допинговая концентрация донора)/(Легирующая концентрация акцептора+Допинговая концентрация донора))*1/Встроенный потенциал соединения)
C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o)
В этой формуле используются 1 Константы, 1 Функции, 5 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Емкость перехода с нулевым смещением - (Измеряется в фарада) - Емкость перехода с нулевым смещением относится к внутреннему потенциалу полупроводникового перехода, когда к нему не приложено внешнее напряжение (смещение).
Диэлектрическая проницаемость кремния - (Измеряется в Фарада на метр) - Диэлектрическая проницаемость кремния — это свойство материала, которое описывает, как материал реагирует на электрическое поле.
Легирующая концентрация акцептора - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Допинговая концентрация донора - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Легирующая концентрация донора относится к концентрации донорных атомов, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Встроенный потенциал соединения - (Измеряется в вольт) - Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Диэлектрическая проницаемость кремния: 11.7 Фарада на метр --> 11.7 Фарада на метр Конверсия не требуется
Легирующая концентрация акцептора: 1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Допинговая концентрация донора: 3.01 Электронов на кубический сантиметр --> 3010000 Электронов на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Встроенный потенциал соединения: 2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o) --> sqrt((11.7*[Charge-e])/2*((1320000*3010000)/(1320000+3010000))*1/2)

Оценка ... ...

C_j0 = 6.55759204749238E-07

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

6.55759204749238E-07 фарада --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

6.55759204749238E-07 ≈ 6.6E-7 фарада <-- Емкость перехода с нулевым смещением

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » МОП-транзисторные усилители » Емкость перехода с нулевым смещением

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 2 МОП-транзисторные усилители Калькуляторы

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением

Идти Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Плотность легирования боковой стенки*Допинговая концентрация донора)/(Плотность легирования боковой стенки+Допинговая концентрация донора))*1/Заложенный потенциал соединений боковых стенок)

Емкость перехода с нулевым смещением

Идти Емкость перехода с нулевым смещением = sqrt((Диэлектрическая проницаемость кремния*[Charge-e])/2*((Легирующая концентрация акцептора*Допинговая концентрация донора)/(Легирующая концентрация акцептора+Допинговая концентрация донора))*1/Встроенный потенциал соединения)

Емкость перехода с нулевым смещением формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!