Capacitância de junção de polarização zero Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância de junção de polarização zero = sqrt((Permissividade do Silício*[Charge-e])/2*((Concentração de Dopagem do Aceitante*Concentração de Doping do Doador)/(Concentração de Dopagem do Aceitante+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial de junção integrado)
Cj0 = sqrt((εsi*[Charge-e])/2*((NA*ND)/(NA+ND))*1/Φo)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funções, 5 Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Capacitância de junção de polarização zero - (Medido em Farad) - Capacitância de junção de polarização zero refere-se ao potencial integrado de uma junção semicondutora quando nenhuma tensão externa (polarização) é aplicada a ela.
Permissividade do Silício - (Medido em Farad por Metro) - A permissividade do silício é uma propriedade do material que descreve como um material responde a um campo elétrico.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Concentração de Doping do Doador - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do doador refere-se à concentração de átomos doadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Potencial de junção integrado - (Medido em Volt) - Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Permissividade do Silício: 11.7 Farad por Metro --> 11.7 Farad por Metro Nenhuma conversão necessária
Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Concentração de Doping do Doador: 3.01 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 3010000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão ​aqui)
Potencial de junção integrado: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cj0 = sqrt((εsi*[Charge-e])/2*((NA*ND)/(NA+ND))*1/Φo) --> sqrt((11.7*[Charge-e])/2*((1320000*3010000)/(1320000+3010000))*1/2)
Avaliando ... ...
Cj0 = 6.55759204749238E-07
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
6.55759204749238E-07 Farad --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
6.55759204749238E-07 6.6E-7 Farad <-- Capacitância de junção de polarização zero
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Banu Prakash LinkedIn Logo
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
Banu Prakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Verificado por Dipanjona Mallick LinkedIn Logo
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
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Amplificadores MOSFET Calculadoras

Capacitância de junção da parede lateral com polarização zero
​ LaTeX ​ Vai Potencial de junção da parede lateral com polarização zero = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais*Concentração de Doping do Doador)/(Densidade de Dopagem nas Paredes Laterais+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial integrado de junções de paredes laterais)
Capacitância de junção de polarização zero
​ LaTeX ​ Vai Capacitância de junção de polarização zero = sqrt((Permissividade do Silício*[Charge-e])/2*((Concentração de Dopagem do Aceitante*Concentração de Doping do Doador)/(Concentração de Dopagem do Aceitante+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial de junção integrado)

Capacitância de junção de polarização zero Fórmula

​LaTeX ​Vai
Capacitância de junção de polarização zero = sqrt((Permissividade do Silício*[Charge-e])/2*((Concentração de Dopagem do Aceitante*Concentração de Doping do Doador)/(Concentração de Dopagem do Aceitante+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial de junção integrado)
Cj0 = sqrt((εsi*[Charge-e])/2*((NA*ND)/(NA+ND))*1/Φo)
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