Capacitância de junção de polarização zero Calculadora

Capacitância de junção de polarização zero = sqrt((Permissividade do Silício*[Charge-e])/2*((Concentração de Dopagem do Aceitante*Concentração de Doping do Doador)/(Concentração de Dopagem do Aceitante+Concentração de Doping do Doador))*1/Potencial de junção integrado)
C_j0 = sqrt((ε_si*[Charge-e])/2*((N_A*N_D)/(N_A+N_D))*1/Φ_o)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 1 Funções, 5 Variáveis
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)Capacitância de junção de polarização zero - (Medido em Farad) - Capacitância de junção de polarização zero refere-se ao potencial integrado de uma junção semicondutora quando nenhuma tensão externa (polarização) é aplicada a ela.
Permissividade do Silício - (Medido em Farad por Metro) - A permissividade do silício é uma propriedade do material que descreve como um material responde a um campo elétrico.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Concentração de Doping do Doador - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do doador refere-se à concentração de átomos doadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.
Potencial de junção integrado - (Medido em Volt) - Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)