Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle Calculatrice

Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densité de dopage des parois latérales*Concentration dopante du donneur)/(Densité de dopage des parois latérales+Concentration dopante du donneur))*1/Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 4 Variables
[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation - (Mesuré en Farad) - Le potentiel de jonction latérale à polarisation nulle est le potentiel intégré dans la jonction latérale de certaines structures de transistor.
Densité de dopage des parois latérales - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La densité de dopage des parois latérales fait référence à la concentration d'atomes dopants le long des parois latérales de la structure du transistor.
Concentration dopante du donneur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration dopante du donneur fait référence à la concentration d’atomes donneurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales - (Mesuré en Volt) - Le potentiel intégré des jonctions des parois latérales fait référence à la jonction formée le long des surfaces verticales ou des parois latérales de la structure du transistor.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)