MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण कैलकुलेटर

✖ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।ⓘ ऑक्साइड धारिता [C_ox]			+10% -10%
✖चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।ⓘ चैनल की चौड़ाई [W_c]			+10% -10%
✖चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।ⓘ चैनल की लंबाई [L]			+10% -10%
✖MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।ⓘ प्रभावी वोल्टेज [V_eff]			+10% -10%

✖चैनल में इलेक्ट्रॉन आवेश उपकरण में प्रयुक्त अर्धचालक सामग्री के चालन बैंड में एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए आवेश की मात्रा को संदर्भित करता है।ⓘ MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण [Q_e]

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सूत्र

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MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण

सूत्र

`"Q"_{"e"} = "C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*"L"*"V"_{"eff"}`

उदाहरण

`"1.598pC"="940μF"*"10μm"*"100μm"*"1.7V"`

कैलकुलेटर

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रीसेट

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MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff
यह सूत्र 5 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज - (में मापा गया कूलम्ब) - चैनल में इलेक्ट्रॉन आवेश उपकरण में प्रयुक्त अर्धचालक सामग्री के चालन बैंड में एक इलेक्ट्रॉन द्वारा किए गए आवेश की मात्रा को संदर्भित करता है।
ऑक्साइड धारिता - (में मापा गया फैरड) - ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।
चैनल की चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।
चैनल की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है।
प्रभावी वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

ऑक्साइड धारिता: 940 माइक्रोफ़ारड --> 0.00094 फैरड (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की चौड़ाई: 10 माइक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
चैनल की लंबाई: 100 माइक्रोमीटर --> 0.0001 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
प्रभावी वोल्टेज: 1.7 वोल्ट --> 1.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff --> 0.00094*1E-05*0.0001*1.7

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

Q_e = 1.598E-12

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

1.598E-12 कूलम्ब -->1.598 पीकोकूलम्ब (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

1.598 पीकोकूलम्ब <-- चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 आंतरिक कैपेसिटिव प्रभाव और उच्च आवृत्ति मॉडल कैलक्युलेटर्स

MOSFETs के चैनल का संचालन

जाओ चैनल का संचालन = चैनल की सतह पर इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*ऑक्साइड भर में वोल्टेज

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण

जाओ चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज

MOSFET की संक्रमण आवृत्ति

जाओ संक्रमण आवृत्ति = transconductance/(2*pi*(स्रोत गेट कैपेसिटेंस+गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस))

आउटपुट आरसी सर्किट में चरण बदलाव

जाओ चरण में बदलाव = arctan(कैपेसिटिव रिएक्शन/(प्रतिरोध+भार प्रतिरोध))

मॉसफेट की कम क्रांतिक आवृत्ति

जाओ कोने की आवृत्ति = 1/(2*pi*(प्रतिरोध+इनपुट प्रतिरोध)*समाई)

आउटपुट मिलर कैपेसिटेंस मॉसफेट

जाओ आउटपुट मिलर कैपेसिटेंस = गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस*((वोल्टेज बढ़ना+1)/वोल्टेज बढ़ना)

MOSFET के गेट टू सोर्स चैनल की चौड़ाई

जाओ चैनल की चौड़ाई = ओवरलैप कैपेसिटेंस/(ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई)

MOSFET की ओवरलैप कैपेसिटेंस

जाओ ओवरलैप कैपेसिटेंस = चैनल की चौड़ाई*ऑक्साइड धारिता*ओवरलैप लंबाई

MOSFETs के गेट और चैनल के बीच कुल समाई

जाओ गेट चैनल क्षमता = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई

उच्च आवृत्ति इनपुट आरसी सर्किट में महत्वपूर्ण आवृत्ति

जाओ कोने की आवृत्ति = 1/(2*pi*इनपुट प्रतिरोध*मिलर कैपेसिटेंस)

इनपुट आरसी सर्किट में चरण बदलाव

जाओ चरण में बदलाव = arctan(कैपेसिटिव रिएक्शन/इनपुट प्रतिरोध)

मॉसफेट का कैपेसिटिव रिएक्शन

जाओ कैपेसिटिव रिएक्शन = 1/(2*pi*आवृत्ति*समाई)

मॉसफेट की मिलर कैपेसिटेंस

जाओ मिलर कैपेसिटेंस = गेट-ड्रेन कैपेसिटेंस*(वोल्टेज बढ़ना+1)

मोस्फ़ेट की महत्वपूर्ण आवृत्ति

जाओ डेसिबल में क्रांतिक आवृत्ति = 10*log10(गंभीर आवृत्ति)

आरसी सर्किट का क्षीणन

जाओ क्षीणन = बेस वोल्टेज/इनपुट वोल्टेज

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण सूत्र

चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज
Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff

MOSFET के चैनल क्षेत्र की पूरी प्रक्रिया को समांतर-प्लेट संधारित्र बनाने की व्याख्या करें।

MOSFET के गेट और चैनल क्षेत्र एक समानांतर-प्लेट संधारित्र बनाते हैं, जिसमें ऑक्साइड परत संधारित्र ढांकता हुआ के रूप में कार्य करता है। सकारात्मक गेट वोल्टेज संधारित्र (गेट इलेक्ट्रोड) की शीर्ष प्लेट पर एक सकारात्मक चार्ज का कारण बनता है। नीचे की प्लेट पर संबंधित नकारात्मक आवेश प्रेरित चैनल में इलेक्ट्रॉनों द्वारा बनता है। एक विद्युत क्षेत्र इस प्रकार ऊर्ध्वाधर दिशा में विकसित होता है। यह वह क्षेत्र है जो चैनल में आवेश की मात्रा को नियंत्रित करता है, और इस प्रकार यह चैनल चालकता को निर्धारित करता है और, बदले में, एक वोल्टेज लागू होने पर चैनल के माध्यम से प्रवाह होगा।

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण की गणना कैसे करें?

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया ऑक्साइड धारिता (C_ox), ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत। के रूप में, चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है। के रूप में, चैनल की लंबाई (L), चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है। के रूप में & प्रभावी वोल्टेज (V_eff), MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के रूप में डालें। कृपया MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण गणना

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण कैलकुलेटर, चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज की गणना करने के लिए Electron Charge in Channel = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज का उपयोग करता है। MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण Q_e को MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण द्वारा दिया जाता है |Q| = कॉक्स (डब्ल्यूएल) वोव जहां कॉक्स, जिसे ऑक्साइड कैपेसिटेंस कहा जाता है, प्रति यूनिट गेट एरिया (एफ / एम की इकाइयों में) समानांतर प्लेट कैपेसिटर की कैपेसिटेंस है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 1.6E+12 = 0.00094*1E-05*0.0001*1.7. आप और अधिक MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण क्या है?

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण द्वारा दिया जाता है |Q| = कॉक्स (डब्ल्यूएल) वोव जहां कॉक्स, जिसे ऑक्साइड कैपेसिटेंस कहा जाता है, प्रति यूनिट गेट एरिया (एफ / एम की इकाइयों में) समानांतर प्लेट कैपेसिटर की कैपेसिटेंस है। है और इसे Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff या Electron Charge in Channel = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज के रूप में दर्शाया जाता है।

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण की गणना कैसे करें?

MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण को MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण द्वारा दिया जाता है |Q| = कॉक्स (डब्ल्यूएल) वोव जहां कॉक्स, जिसे ऑक्साइड कैपेसिटेंस कहा जाता है, प्रति यूनिट गेट एरिया (एफ / एम की इकाइयों में) समानांतर प्लेट कैपेसिटर की कैपेसिटेंस है। Electron Charge in Channel = ऑक्साइड धारिता*चैनल की चौड़ाई*चैनल की लंबाई*प्रभावी वोल्टेज Q_e = C_ox*W_c*L*V_eff के रूप में परिभाषित किया गया है। MOSFET के चैनल में इलेक्ट्रॉन चार्ज का परिमाण की गणना करने के लिए, आपको ऑक्साइड धारिता (C_ox), चैनल की चौड़ाई (W_c), चैनल की लंबाई (L) & प्रभावी वोल्टेज (V_eff) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको ऑक्साइड कैपेसिटेंस एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो एमओएस उपकरणों के प्रदर्शन को प्रभावित करता है, जैसे एकीकृत सर्किट की गति और बिजली की खपत।, चैनल की चौड़ाई वायरलेस संचार चैनल पर डेटा संचारित करने के लिए उपयोग की जाने वाली आवृत्तियों की सीमा को संदर्भित करती है। इसे बैंडविड्थ के रूप में भी जाना जाता है और इसे हर्ट्ज़ (हर्ट्ज) में मापा जाता है।, चैनल की लंबाई फ़ील्ड-इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) में स्रोत और ड्रेन टर्मिनलों के बीच की दूरी को संदर्भित करती है। & MOSFET (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) में प्रभावी वोल्टेज वह वोल्टेज है जो डिवाइस के व्यवहार को निर्धारित करता है। इसे गेट-सोर्स वोल्टेज के रूप में भी जाना जाता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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