पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज कैलकुलेटर

✖क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।ⓘ गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज [V_GS]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।ⓘ सीमा वोल्टेज [V_T]			+10% -10%

✖प्रभावी वोल्टेज समतुल्य डीसी वोल्टेज है जो प्रतिरोधक भार में उतनी ही मात्रा में बिजली अपव्यय का उत्पादन करेगा जितना कि एसी वोल्टेज को मापा जा रहा है।ⓘ पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज [V_ov]

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सूत्र

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पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज

सूत्र

`"V"_{"ov"} = "V"_{"GS"}-"modulus"("V"_{"T"})`

उदाहरण

`"2.16V"="2.86V"-"modulus"("0.7V")`

कैलकुलेटर

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पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

प्रभावी वोल्टेज = गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)
यह सूत्र 1 कार्यों, 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

उपयोग किए गए कार्य

modulus - किसी संख्या का मापांक तब शेषफल होता है जब उस संख्या को किसी अन्य संख्या से विभाजित किया जाता है।, modulus

चर

प्रभावी वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - प्रभावी वोल्टेज समतुल्य डीसी वोल्टेज है जो प्रतिरोधक भार में उतनी ही मात्रा में बिजली अपव्यय का उत्पादन करेगा जितना कि एसी वोल्टेज को मापा जा रहा है।
गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है।
सीमा वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज: 2.86 वोल्ट --> 2.86 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
सीमा वोल्टेज: 0.7 वोल्ट --> 0.7 वोल्ट कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

V_ov = V_GS-modulus(V_T) --> 2.86-modulus(0.7)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

V_ov = 2.16

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

2.16 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

2.16 वोल्ट <-- प्रभावी वोल्टेज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » पी-चैनल वृद्धि » पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई पायल प्रिया

बिरसा प्रौद्योगिकी संस्थान (बीआईटी), सिंदरी

पायल प्रिया ने इस कैलकुलेटर और 600+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 पी-चैनल वृद्धि कैलक्युलेटर्स

पीएमओएस ट्रांजिस्टर का ओवरऑल ड्रेन करंट

जाओ नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2*(1+नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज/modulus(प्रारंभिक वोल्टेज))

पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट

जाओ नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*((गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज-1/2*(नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)^2)

पीएमओएस में शारीरिक प्रभाव

जाओ दहलीज वोल्टेज में परिवर्तन = सीमा वोल्टेज+निर्माण प्रक्रिया पैरामीटर*(sqrt(2*भौतिक पैरामीटर+शरीर और स्रोत के बीच वोल्टेज)-sqrt(2*भौतिक पैरामीटर))

दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के ट्रायोड क्षेत्र में ड्रेन करेंट वीएसडी

जाओ नाली वर्तमान = पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(modulus(प्रभावी वोल्टेज)-1/2*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)*नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज

PMOS ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट

जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज))^2

पीएमओएस में बैकगेट इफेक्ट पैरामीटर

जाओ बैकगेट प्रभाव पैरामीटर = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*दाता एकाग्रता)/ऑक्साइड क्षमता

वर्तमान को स्रोत से नाली की ओर प्रवाहित करें

जाओ नाली वर्तमान = (जंक्शन की चौड़ाई*उलटा परत प्रभार*चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*चैनल में विद्युत क्षेत्र का क्षैतिज घटक)

पीएमओएस में पिंच-ऑफ कंडीशन पर इनवर्जन लेयर चार्ज

जाओ उलटा परत प्रभार = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज-नाली और स्रोत के बीच वोल्टेज)

दिए गए पीएमओएस ट्रांजिस्टर के संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करेंट

जाओ संतृप्ति नाली वर्तमान = 1/2*पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर*आस्पेक्ट अनुपात*(प्रभावी वोल्टेज)^2

पीएमओएस में इनवर्जन लेयर चार्ज

जाओ उलटा परत प्रभार = -ऑक्साइड क्षमता*(गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज

जाओ प्रभावी वोल्टेज = गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज)

पीएमओएस के उलटा चैनल में वर्तमान

जाओ नाली वर्तमान = (जंक्शन की चौड़ाई*उलटा परत प्रभार*उलटा बहाव वेग)

पीएमओएस का प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर

जाओ पीएमओएस में प्रोसेस ट्रांसकंडक्शन पैरामीटर = चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*ऑक्साइड क्षमता

पीएमओएस दी गई गतिशीलता के इनवर्जन चैनल में करंट

जाओ उलटा बहाव वेग = चैनल में छिद्रों की गतिशीलता*चैनल में विद्युत क्षेत्र का क्षैतिज घटक

पीएनपी ट्रांजिस्टर का पारगमन समय

जाओ पारगमन समय = आधार चौड़ाई^2/(2*पीएनपी के लिए प्रसार स्थिरांक)

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज सूत्र

प्रभावी वोल्टेज = गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज)
V_ov = V_GS-modulus(V_T)

PMOS में थ्रेसहोल्ड वोल्टेज नकारात्मक क्यों है?

आमतौर पर, थ्रेसहोल्ड वोल्टेज चैनल को उलटा के रूप में संदर्भित चैनल बनाने शुरू करने के लिए आवश्यक वीजीएस वोल्टेज है। PMOS के मामले में, बल्क / सब्सट्रेट और स्रोत टर्मिनल Vdd से जुड़े हैं। स्रोत टर्मिनल के संदर्भ में, यदि आप Vdd से अपने गेट वोल्टेज को कम करना शुरू करते हैं (NMOS के विपरीत जहां आप अपने गेट वोल्टेज को शून्य से शुरू करते हैं) एक बिंदु पर जहां आप चैनल उलटा निरीक्षण करते हैं, इस बिंदु पर यदि आप वीजीएस और स्रोत की गणना करते हैं उच्च क्षमता पर, आपको एक नकारात्मक मूल्य मिलता है। यही कारण है कि आपके पास PMOS के लिए Vth का नकारात्मक मान है। एक समान तर्क के साथ, आप देखेंगे कि NMOS में सकारात्मक Vth होगा।

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज की गणना कैसे करें?

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS), क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है। के रूप में & सीमा वोल्टेज (V_T), थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के रूप में डालें। कृपया पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज गणना

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज कैलकुलेटर, प्रभावी वोल्टेज की गणना करने के लिए Effective Voltage = गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज) का उपयोग करता है। पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज V_ov को PMOS फॉर्मूला के ओवरड्राइव वोल्टेज को ट्रांजिस्टर गेट और सोर्स (V) के बीच वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 2.16 = 2.86-modulus(0.7). आप और अधिक पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज क्या है?

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज PMOS फॉर्मूला के ओवरड्राइव वोल्टेज को ट्रांजिस्टर गेट और सोर्स (V) के बीच वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है है और इसे V_ov = V_GS-modulus(V_T) या Effective Voltage = गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज की गणना कैसे करें?

पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज को PMOS फॉर्मूला के ओवरड्राइव वोल्टेज को ट्रांजिस्टर गेट और सोर्स (V) के बीच वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है Effective Voltage = गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज-modulus(सीमा वोल्टेज) V_ov = V_GS-modulus(V_T) के रूप में परिभाषित किया गया है। पीएमओएस का ओवरड्राइव वोल्टेज की गणना करने के लिए, आपको गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज (V_GS) & सीमा वोल्टेज (V_T) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (FET) के गेट और स्रोत के बीच वोल्टेज को गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) के रूप में जाना जाता है। यह एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है जो FET के संचालन को प्रभावित करता है। & थ्रेशोल्ड वोल्टेज, जिसे गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज या केवल Vth के रूप में भी जाना जाता है, फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के संचालन में एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स में मूलभूत घटक हैं। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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