प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस कैलकुलेटर

✖जीरो बायस साइडवॉल जंक्शन पोटेंशियल कुछ ट्रांजिस्टर संरचनाओं के साइडवॉल जंक्शन में अंतर्निहित क्षमता है।ⓘ शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता [C_j0sw]			+10% -10%
✖साइडवॉल की गहराई किसी संरचना या सामग्री की सतह से साइडवॉल के भीतर एक निर्दिष्ट बिंदु तक की दूरी को संदर्भित करती है।ⓘ साइडवॉल की गहराई [x_j]			+10% -10%

✖साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस एक अर्धचालक जंक्शन के साइडवॉल से जुड़े कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है।ⓘ प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस [C_jsw]

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सूत्र

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प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

सूत्र

`"C"_{"jsw"} = "C"_{"j0sw"}*"x"_{"j"}`

उदाहरण

`"2.9E^-15F"="4.6E^-10F"*"6.32μm"`

कैलकुलेटर

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प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता*साइडवॉल की गहराई
C_jsw = C_j0sw*x_j
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस एक अर्धचालक जंक्शन के साइडवॉल से जुड़े कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है।
शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता - (में मापा गया फैरड) - जीरो बायस साइडवॉल जंक्शन पोटेंशियल कुछ ट्रांजिस्टर संरचनाओं के साइडवॉल जंक्शन में अंतर्निहित क्षमता है।
साइडवॉल की गहराई - (में मापा गया मीटर) - साइडवॉल की गहराई किसी संरचना या सामग्री की सतह से साइडवॉल के भीतर एक निर्दिष्ट बिंदु तक की दूरी को संदर्भित करती है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता: 4.6E-10 फैरड --> 4.6E-10 फैरड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
साइडवॉल की गहराई: 6.32 माइक्रोमीटर --> 6.32E-06 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_jsw = C_j0sw*x_j --> 4.6E-10*6.32E-06

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_jsw = 2.9072E-15

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

2.9072E-15 फैरड --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

2.9072E-15 ≈ 2.9E-15 फैरड <-- साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

आप यहाँ हैं -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » एमओएस ट्रांजिस्टर » प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई भानुप्रकाश

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बैंगलोर

भानुप्रकाश ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित दीपांजोना मलिक

हेरिटेज इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (हिटके), कोलकाता

दीपांजोना मलिक ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 21 एमओएस ट्रांजिस्टर कैलक्युलेटर्स

साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक

जाओ साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक = -(2*sqrt(साइडवॉल जंक्शनों की क्षमता में निर्मित)/(अंतिम वोल्टेज-प्रारंभिक वोल्टेज)*(sqrt(साइडवॉल जंक्शनों की क्षमता में निर्मित-अंतिम वोल्टेज)-sqrt(साइडवॉल जंक्शनों की क्षमता में निर्मित-प्रारंभिक वोल्टेज)))

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें

जाओ रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2))

दिए गए उदाहरण पर नोड वोल्टेज

जाओ दिए गए उदाहरण पर नोड वोल्टेज = (ट्रांसकंडक्टन्स फैक्टर/नोड कैपेसिटेंस)*int(exp(-(1/(नोड प्रतिरोध*नोड कैपेसिटेंस))*(समय सीमा-x))*नोड में प्रवाहित धारा*x,x,0,समय सीमा)

संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें

जाओ संतृप्ति क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2)

संतृप्ति समय

जाओ संतृप्ति समय = -2*भार क्षमता/(ट्रांसकंडक्टेंस प्रक्रिया पैरामीटर*(उच्च आउटपुट वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2)*int(1,x,उच्च आउटपुट वोल्टेज,उच्च आउटपुट वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

एमओएस ट्रांजिस्टर के माध्यम से बहने वाला ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा = (चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*int((गेट स्रोत वोल्टेज-x-सीमा वोल्टेज),x,0,नाली स्रोत वोल्टेज)

जब एनएमओएस रैखिक क्षेत्र में संचालित होता है तो समय विलंब

जाओ समय विलंब में रैखिक क्षेत्र = -2*जंक्शन कैपेसिटेंस*int(1/(ट्रांसकंडक्टेंस प्रक्रिया पैरामीटर*(2*(इनपुट वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*x-x^2)),x,प्रारंभिक वोल्टेज,अंतिम वोल्टेज)

ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व

जाओ ह्रास परत आवेश का घनत्व = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता*modulus(सतही क्षमता-थोक फर्मी क्षमता)))

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई

जाओ अपक्षय क्षेत्र की नाली की गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(जंक्शन क्षमता में निर्मित+नाली स्रोत वोल्टेज))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता))

डिप्लेशन क्षेत्र में निर्मित क्षमता

जाओ वोल्टेज में निर्मित = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता*modulus(-2*थोक फर्मी क्षमता)))

पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता

जाओ पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता = ([BoltZ]*निरपेक्ष तापमान)/[Charge-e]*ln(आंतरिक वाहक एकाग्रता/स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)

एमओएस ट्रांजिस्टर में संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट

जाओ संतृप्ति क्षेत्र अपवाह धारा = चैनल की चौड़ाई*संतृप्ति इलेक्ट्रॉन बहाव वेग*int(शुल्क*लघु चैनल पैरामीटर,x,0,प्रभावी चैनल लंबाई)

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता

जाओ समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता = (1/(अंतिम वोल्टेज-प्रारंभिक वोल्टेज))*int(जंक्शन कैपेसिटेंस*x,x,प्रारंभिक वोल्टेज,अंतिम वोल्टेज)

अधिकतम क्षय गहराई

जाओ अधिकतम क्षय गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*थोक फर्मी क्षमता))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता))

एन प्रकार के लिए फर्मी क्षमता

जाओ एन प्रकार के लिए फर्मी क्षमता = ([BoltZ]*निरपेक्ष तापमान)/[Charge-e]*ln(दाता डोपेंट एकाग्रता/आंतरिक वाहक एकाग्रता)

स्रोत से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई

जाओ स्रोत की कमी क्षेत्र की गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*जंक्शन क्षमता में निर्मित)/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता))

सब्सट्रेट पूर्वाग्रह गुणांक

जाओ सब्सट्रेट पूर्वाग्रह गुणांक = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)/ऑक्साइड धारिता

समय की अवधि में औसत बिजली व्यय

जाओ औसत शक्ति = (1/कुल लिया गया समय)*int(वोल्टेज*मौजूदा,x,0,कुल समय लिया गया)

समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता

जाओ समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता = साइडवॉल की परिधि*साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस*साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक

MOSFET में कार्य फ़ंक्शन

जाओ समारोह का कार्य = निर्वात स्तर+(चालन बैंड ऊर्जा स्तर-फर्मी स्तर)

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

जाओ साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता*साइडवॉल की गहराई

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस सूत्र

साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता*साइडवॉल की गहराई
C_jsw = C_j0sw*x_j

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता (C_j0sw), जीरो बायस साइडवॉल जंक्शन पोटेंशियल कुछ ट्रांजिस्टर संरचनाओं के साइडवॉल जंक्शन में अंतर्निहित क्षमता है। के रूप में & साइडवॉल की गहराई (x_j), साइडवॉल की गहराई किसी संरचना या सामग्री की सतह से साइडवॉल के भीतर एक निर्दिष्ट बिंदु तक की दूरी को संदर्भित करती है। के रूप में डालें। कृपया प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस गणना

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस कैलकुलेटर, साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए Sidewall Junction Capacitance = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता*साइडवॉल की गहराई का उपयोग करता है। प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस C_jsw को शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस प्रति यूनिट लंबाई फॉर्मूला को अर्धचालक जंक्शन के साइडवॉल से जुड़े कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 2.9E-15 = 4.6E-10*6.32E-06. आप और अधिक प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस क्या है?

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस प्रति यूनिट लंबाई फॉर्मूला को अर्धचालक जंक्शन के साइडवॉल से जुड़े कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे C_jsw = C_j0sw*x_j या Sidewall Junction Capacitance = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता*साइडवॉल की गहराई के रूप में दर्शाया जाता है।

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना कैसे करें?

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस को शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस प्रति यूनिट लंबाई फॉर्मूला को अर्धचालक जंक्शन के साइडवॉल से जुड़े कैपेसिटेंस के रूप में परिभाषित किया गया है। Sidewall Junction Capacitance = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता*साइडवॉल की गहराई C_jsw = C_j0sw*x_j के रूप में परिभाषित किया गया है। प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस की गणना करने के लिए, आपको शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता (C_j0sw) & साइडवॉल की गहराई (x_j) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको जीरो बायस साइडवॉल जंक्शन पोटेंशियल कुछ ट्रांजिस्टर संरचनाओं के साइडवॉल जंक्शन में अंतर्निहित क्षमता है। & साइडवॉल की गहराई किसी संरचना या सामग्री की सतह से साइडवॉल के भीतर एक निर्दिष्ट बिंदु तक की दूरी को संदर्भित करती है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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