Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base calcolatrice

✖La concentrazione di equilibrio termico è definita come la concentrazione di portatori in un amplificatore.ⓘ Concentrazione di equilibrio termico [n_po]			+10% -10%
✖La tensione base-emettitore è la tensione diretta tra la base e l'emettitore del transistor.ⓘ Tensione base-emettitore [V_BE]			+10% -10%
✖La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.ⓘ Tensione termica [V_t]			+10% -10%

✖La concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base è il numero di elettroni passati dall'emettitore alla base.ⓘ Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base [N_p]

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Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base = Concentrazione di equilibrio termico*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

e - Costante di Napier Valore preso come 2.71828182845904523536028747135266249

Variabili utilizzate

Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base è il numero di elettroni passati dall'emettitore alla base.
Concentrazione di equilibrio termico - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di equilibrio termico è definita come la concentrazione di portatori in un amplificatore.
Tensione base-emettitore - (Misurato in Volt) - La tensione base-emettitore è la tensione diretta tra la base e l'emettitore del transistor.
Tensione termica - (Misurato in Volt) - La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione di equilibrio termico: 1E+18 1 per metro cubo --> 1E+18 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Tensione base-emettitore: 5.15 Volt --> 5.15 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione termica: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

N_p = n_po*e^(V_BE/V_t) --> 1E+18*e^(5.15/4.7)

Valutare ... ...

N_p = 2.99140949952878E+18

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

2.99140949952878E+18 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

2.99140949952878E+18 ≈ 3E+18 1 per metro cubo <-- Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT

LaTeX Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)

Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT

LaTeX Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore

Capacità di diffusione di piccoli segnali

LaTeX Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza

Capacità di giunzione base-emettitore

LaTeX Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

Vedi altro >>

Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base Formula

LaTeX Partire

Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base = Concentrazione di equilibrio termico*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)
N_p = n_po*e^(V_BE/V_t)

Come vengono distribuiti i vettori di minoranza in BJT?

Il funzionamento fisico del BJT può essere migliorato considerando la distribuzione di portatori di carica minoritari nella base e nell'emettitore. I profili della concentrazione di elettroni nella base e dei buchi nell'emettitore di un transistor NPN operante in modalità attiva. Si noti che poiché la concentrazione di drogaggio nell'emettitore, ND, è molto più alta della concentrazione di drogaggio nella base, NA, la concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base, n

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