Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore
Qn = 𝛕F*Ic
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Carica elettronica immagazzinata - (Misurato in Coulomb) - La carica dell'elettrone immagazzinata viene solitamente eseguita da un condensatore, costituito da due piastre separate da un sottile materiale isolante noto come dielettrico.
Dispositivo costante - (Misurato in Secondo) - Un valore costante del dispositivo viene definito una volta e può essere referenziato molte volte in un programma.
Corrente del collettore - (Misurato in Ampere) - La corrente del collettore è una corrente di uscita amplificata di un transistor a giunzione bipolare.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Dispositivo costante: 2 Secondo --> 2 Secondo Nessuna conversione richiesta
Corrente del collettore: 5 Millampere --> 0.005 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Qn = 𝛕F*Ic --> 2*0.005
Valutare ... ...
Qn = 0.01
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.01 Coulomb --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.01 Coulomb <-- Carica elettronica immagazzinata
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

10+ Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di giunzione collettore-base
​ Partire Capacità di giunzione collettore-base = Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0/(1+(Tensione di polarizzazione inversa/Tensione incorporata))^Coefficiente di classificazione
Frequenza di transizione di BJT
​ Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))
Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base
​ Partire Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base = Concentrazione di equilibrio termico*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)
Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT
​ Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)
Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT
​ Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)
Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari
​ Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base
Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT
​ Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore
Capacità di diffusione di piccoli segnali
​ Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza
Frequenza di transizione di BJT data la costante del dispositivo
​ Partire Frequenza di transizione = 1/(2*pi*Dispositivo costante)
Capacità di giunzione base-emettitore
​ Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT Formula

Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore
Qn = 𝛕F*Ic

Come immagazzini gli elettroni?

Gli elettroni vengono regolarmente raccolti e immagazzinati in un anello di immagazzinamento di elettroni. Consiste in un insieme di elementi magnetici, principalmente dipoli per piegare le particelle in un anello e quadrupoli per mantenere gli elettroni ben focalizzati.

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