Capacità di giunzione base-emettitore calcolatrice

✖La capacità di giunzione base-emettitore è la capacità della giunzione polarizzata in avanti ed è rappresentata da un diodo.ⓘ Capacità di giunzione base-emettitore [C]

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Formula

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Capacità di giunzione base-emettitore

Formula

`"C" = 2*"C"_{"eb"}`

Esempio

`"3μF"=2*"1.5μF"`

Calcolatrice

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Capacità di giunzione base-emettitore Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore
C = 2*C_eb
Questa formula utilizza 2 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di giunzione base-emettitore - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione base-emettitore è la capacità della giunzione polarizzata in avanti ed è rappresentata da un diodo.
Capacità di base dell'emettitore - (Misurato in Farad) - La capacità emettitore-base è la capacità tra l'emettitore e la base.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di base dell'emettitore: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C = 2*C_eb --> 2*1.5E-06

Valutare ... ...

C = 3E-06

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

3E-06 Farad -->3 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

3 Microfarad <-- Capacità di giunzione base-emettitore

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Tu sei qui -

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 10+ Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di giunzione collettore-base

Partire Capacità di giunzione collettore-base = Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0/(1+(Tensione di polarizzazione inversa/Tensione incorporata))^Coefficiente di classificazione

Frequenza di transizione di BJT

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))

Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base

Partire Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base = Concentrazione di equilibrio termico*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT

Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)

Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari

Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base

Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT

Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore

Capacità di diffusione di piccoli segnali

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza

Frequenza di transizione di BJT data la costante del dispositivo

Partire Frequenza di transizione = 1/(2*pi*Dispositivo costante)

Capacità di giunzione base-emettitore

Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

Capacità di giunzione base-emettitore Formula

Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore
C = 2*C_eb

Cos'è il BJT e i suoi tipi?

Un transistor bipolare (transistor a giunzione bipolare: BJT) è costituito da tre regioni di semiconduttori che formano due giunzioni. Esistono due tipi di struttura: NPN e PNP. Sono disponibili prodotti con NPN fino a 800 V e PNP fino a -600 V. Inoltre, ci sono anche transistor integrati con resistenza di polarizzazione (BRT).

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