Densità del flusso di elettroni calcolatrice

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✖L'elettrone a percorso libero medio è definito come una distanza media percorsa da un elettrone in movimento tra impatti successivi, che ne modifica la direzione o l'energia o altre proprietà delle particelle.ⓘ Elettrone a cammino libero medio [L_e]			+10% -10%
✖Il tempo può essere definito come la sequenza in corso e continua di eventi che si verificano in successione, dal passato attraverso il presente al futuro.ⓘ Tempo [t]			+10% -10%
✖La differenza nella concentrazione elettronica è definita come la differenza tra la densità elettronica di due elettroni.ⓘ Differenza nella concentrazione di elettroni [ΔN]			+10% -10%

✖La densità del flusso di elettroni si riferisce alla quantità di elettroni per unità di volume in un dato materiale o regione. Rappresenta la misura di quanti elettroni sono presenti in uno spazio o volume specifico.ⓘ Densità del flusso di elettroni [Φ_n]

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Formula

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Densità del flusso di elettroni

Formula

`"Φ"_{"n"} = ("L"_{"e"}/(2*"t"))*"ΔN"`

Esempio

`"0.017718Wb/m²"=("25.47μm"/(2*"5.75s"))*"8000/m³"`

Calcolatrice

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Densità del flusso di elettroni Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Densità del flusso di elettroni - (Misurato in Tesla) - La densità del flusso di elettroni si riferisce alla quantità di elettroni per unità di volume in un dato materiale o regione. Rappresenta la misura di quanti elettroni sono presenti in uno spazio o volume specifico.
Elettrone a cammino libero medio - (Misurato in metro) - L'elettrone a percorso libero medio è definito come una distanza media percorsa da un elettrone in movimento tra impatti successivi, che ne modifica la direzione o l'energia o altre proprietà delle particelle.
Tempo - (Misurato in Secondo) - Il tempo può essere definito come la sequenza in corso e continua di eventi che si verificano in successione, dal passato attraverso il presente al futuro.
Differenza nella concentrazione di elettroni - (Misurato in 1 per metro cubo) - La differenza nella concentrazione elettronica è definita come la differenza tra la densità elettronica di due elettroni.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Elettrone a cammino libero medio: 25.47 Micrometro --> 2.547E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Tempo: 5.75 Secondo --> 5.75 Secondo Nessuna conversione richiesta
Differenza nella concentrazione di elettroni: 8000 1 per metro cubo --> 8000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN --> (2.547E-05/(2*5.75))*8000

Valutare ... ...

Φ_n = 0.0177182608695652

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0177182608695652 Tesla -->0.0177182608695652 Weber al metro quadro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.0177182608695652 ≈ 0.017718 Weber al metro quadro <-- Densità del flusso di elettroni

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 18 Elettroni Calcolatrici

Funzione d'onda Phi-dipendente

Partire Φ Funzione d'onda dipendente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Numero quantico dell'onda*Angolo della funzione d'onda))

Ordine di diffrazione

Partire Ordine di diffrazione = (2*Spazio di innesto*sin(Angolo incidente))/Lunghezza d'onda del raggio

Componente foro

Partire Componente foro = Componente elettronico*Efficienza di iniezione dell'emettitore/(1-Efficienza di iniezione dell'emettitore)

Densità del flusso di elettroni

Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni

Mean Free Path

Partire Elettrone a cammino libero medio = (Densità del flusso di elettroni/(Differenza nella concentrazione di elettroni))*2*Tempo

Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone

Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)

Stato quantico

Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Conduttanza CA

Partire Conduttanza CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corrente elettrica

Componente elettronico

Partire Componente elettronico = ((Componente foro)/Efficienza di iniezione dell'emettitore)-Componente foro

Differenza nella concentrazione di elettroni

Partire Differenza nella concentrazione di elettroni = concentrazione di elettroni 1-concentrazione di elettroni 2

Densità di corrente della portante totale

Partire Densità di corrente portante totale = Densità di corrente elettronica+Densità di corrente del foro

Densità della corrente elettronica

Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro

Densità di corrente del foro

Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica

Moltiplicazione di elettroni

Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione

Tempo medio speso per buca

Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario

Elettrone fuori regione

Partire Numero di elettroni fuori regione = Moltiplicazione elettronica*Numero di elettroni nella regione

Elettrone in regione

Partire Numero di elettroni nella regione = Numero di elettroni fuori regione/Moltiplicazione elettronica

Ampiezza della funzione d'onda

Partire Ampiezza della funzione d'onda = sqrt(2/Lunghezza potenziale del pozzo)

< 15 Porta semiconduttori Calcolatrici

Concentrazione portante intrinseca

Partire Concentrazione portante intrinseca = sqrt(Densità di stato effettiva in banda di valenza*Densità di stato effettiva in banda di conduzione)*exp(-Divario Energetico/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Partire Vettore a vita = 1/(Proporzionalità per la ricombinazione*(Concentrazione dei buchi nella banda di Valance+Concentrazione elettronica in banda di conduzione))

Densità del flusso di elettroni

Partire Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni

Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone

Partire Raggio dell'ennesima orbita dell'elettrone = ([Coulomb]*Numero quantico^2*[hP]^2)/(Massa della particella*[Charge-e]^2)

Stato quantico

Partire Energia in stato quantico = (Numero quantico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa della particella*Lunghezza potenziale del pozzo^2)

Funzione di Fermi

Partire Funzione di Fermi = Concentrazione elettronica in banda di conduzione/Densità di stato effettiva in banda di conduzione

Stato di Densità Efficace in Banda di Valenza

Partire Densità di stato effettiva in banda di valenza = Concentrazione dei buchi nella banda di Valance/(1-Funzione di Fermi)

Coefficiente di distribuzione

Partire Coefficiente di distribuzione = Concentrazione di impurità nel solido/Concentrazione di impurità nel liquido

Densità della corrente elettronica

Partire Densità di corrente elettronica = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente del foro

Densità di corrente del foro

Partire Densità di corrente del foro = Densità di corrente portante totale-Densità di corrente elettronica

Moltiplicazione di elettroni

Partire Moltiplicazione elettronica = Numero di elettroni fuori regione/Numero di elettroni nella regione

Tempo medio speso per buca

Partire Tempo medio speso per buca = Velocità di generazione ottica*Decadimento del vettore maggioritario

Eccessiva concentrazione del vettore

Partire Concentrazione in eccesso di portatori = Velocità di generazione ottica*Ricombinazione a vita

Energia della banda di conduzione

Partire Energia della banda di conduzione = Divario Energetico+Energia della banda di valenza

Energia fotoelettronica

Partire Energia fotoelettronica = [hP]*Frequenza della luce incidente

Densità del flusso di elettroni Formula

Densità del flusso di elettroni = (Elettrone a cammino libero medio/(2*Tempo))*Differenza nella concentrazione di elettroni
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN

Cos'è la densità elettronica?

La densità elettronica o densità elettronica è la misura della probabilità che un elettrone sia presente in un elemento infinitesimale di spazio che circonda un dato punto.

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