Elektronenfluxdichtheid Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

✖Mean Free Path-elektron wordt gedefinieerd als een gemiddelde afstand die wordt afgelegd door bewegende elektronen tussen opeenvolgende botsingen, waardoor de richting of energie of andere deeltjeseigenschappen worden gewijzigd.ⓘ Gemiddeld vrij pad-elektron [L_e]			+10% -10%
✖Tijd kan worden gedefinieerd als de voortdurende en continue opeenvolging van gebeurtenissen die achtereenvolgens plaatsvinden, van het verleden via het heden tot de toekomst.ⓘ Tijd [t]			+10% -10%
✖Verschil in elektronenconcentratie wordt gedefinieerd als het verschil tussen de elektronendichtheid van twee elektronen.ⓘ Verschil in elektronenconcentratie [ΔN]			+10% -10%

✖Elektronenfluxdichtheid verwijst naar de hoeveelheid elektronen per volume-eenheid in een bepaald materiaal of gebied. Het vertegenwoordigt de maat van hoeveel elektronen aanwezig zijn in een specifieke ruimte of volume.ⓘ Elektronenfluxdichtheid [Φ_n]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Elektronenfluxdichtheid

Formule

`"Φ"_{"n"} = ("L"_{"e"}/(2*"t"))*"ΔN"`

Voorbeeld

`"0.017718Wb/m²"=("25.47μm"/(2*"5.75s"))*"8000/m³"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden elektronen Formules Pdf PDF Image

Elektronenfluxdichtheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Elektronenfluxdichtheid = (Gemiddeld vrij pad-elektron/(2*Tijd))*Verschil in elektronenconcentratie
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Elektronenfluxdichtheid - (Gemeten in Tesla) - Elektronenfluxdichtheid verwijst naar de hoeveelheid elektronen per volume-eenheid in een bepaald materiaal of gebied. Het vertegenwoordigt de maat van hoeveel elektronen aanwezig zijn in een specifieke ruimte of volume.
Gemiddeld vrij pad-elektron - (Gemeten in Meter) - Mean Free Path-elektron wordt gedefinieerd als een gemiddelde afstand die wordt afgelegd door bewegende elektronen tussen opeenvolgende botsingen, waardoor de richting of energie of andere deeltjeseigenschappen worden gewijzigd.
Tijd - (Gemeten in Seconde) - Tijd kan worden gedefinieerd als de voortdurende en continue opeenvolging van gebeurtenissen die achtereenvolgens plaatsvinden, van het verleden via het heden tot de toekomst.
Verschil in elektronenconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Verschil in elektronenconcentratie wordt gedefinieerd als het verschil tussen de elektronendichtheid van twee elektronen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gemiddeld vrij pad-elektron: 25.47 Micrometer --> 2.547E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Tijd: 5.75 Seconde --> 5.75 Seconde Geen conversie vereist
Verschil in elektronenconcentratie: 8000 1 per kubieke meter --> 8000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN --> (2.547E-05/(2*5.75))*8000

Evalueren ... ...

Φ_n = 0.0177182608695652

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0177182608695652 Tesla -->0.0177182608695652 Weber per vierkante meter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0177182608695652 ≈ 0.017718 Weber per vierkante meter <-- Elektronenfluxdichtheid

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » elektronen » Elektronenfluxdichtheid

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 18 elektronen Rekenmachines

Phi-afhankelijke golffunctie

Gaan Φ Afhankelijke golffunctie = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Golfkwantumnummer*Golffunctie Hoek))

Straal van de N-de baan van het elektron

Gaan Straal van de n-de baan van het elektron = ([Coulomb]*Kwantum nummer^2*[hP]^2)/(Massa van deeltjes*[Charge-e]^2)

Quantum staat

Gaan Energie in kwantumtoestand = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa van deeltjes*Potentiële putlengte^2)

Hole Component

Gaan Gatencomponent = Elektronencomponent*Efficiëntie van emitterinjectie/(1-Efficiëntie van emitterinjectie)

Volgorde van diffractie

Gaan Orde van diffractie = (2*Enten Ruimte*sin(Invalshoek))/Golflengte van Ray

AC-geleiding

Gaan AC-geleiding = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatuur))*Elektrische stroom

Elektronenfluxdichtheid

Gaan Elektronenfluxdichtheid = (Gemiddeld vrij pad-elektron/(2*Tijd))*Verschil in elektronenconcentratie

Gemiddeld vrij pad

Gaan Gemiddeld vrij pad-elektron = (Elektronenfluxdichtheid/(Verschil in elektronenconcentratie))*2*Tijd

Elektronencomponent

Gaan Elektronencomponent = ((Gatencomponent)/Efficiëntie van emitterinjectie)-Gatencomponent

Elektronenvermenigvuldiging

Gaan Vermenigvuldiging van elektronen = Aantal elektronen buiten regio/Aantal elektronen in regio

Elektron buiten regio

Gaan Aantal elektronen buiten regio = Vermenigvuldiging van elektronen*Aantal elektronen in regio

Elektron in regio

Gaan Aantal elektronen in regio = Aantal elektronen buiten regio/Vermenigvuldiging van elektronen

Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Gaan Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay

Verschil in elektronenconcentratie

Gaan Verschil in elektronenconcentratie = Elektronenconcentratie 1-Elektronenconcentratie 2

Totale stroomdichtheid van de draaggolf

Gaan Totale draaggolfstroomdichtheid = Elektronenstroomdichtheid+Gat huidige dichtheid

Elektronenstroomdichtheid

Gaan Elektronenstroomdichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Gat huidige dichtheid

Hole Huidige Dichtheid

Gaan Gat huidige dichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Elektronenstroomdichtheid

Amplitude golffunctie

Gaan Amplitude van golffunctie = sqrt(2/Potentiële putlengte)

< 15 Halfgeleider dragers Rekenmachines

Intrinsieke dragerconcentratie

Gaan Intrinsieke dragerconcentratie = sqrt(Effectieve staatsdichtheid in valentieband*Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband)*exp(-Energie kloof/(2*[BoltZ]*Temperatuur))

Levensduur van de drager

Gaan Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))

Straal van de N-de baan van het elektron

Gaan Straal van de n-de baan van het elektron = ([Coulomb]*Kwantum nummer^2*[hP]^2)/(Massa van deeltjes*[Charge-e]^2)

Quantum staat

Gaan Energie in kwantumtoestand = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Massa van deeltjes*Potentiële putlengte^2)

Elektronenfluxdichtheid

Gaan Elektronenfluxdichtheid = (Gemiddeld vrij pad-elektron/(2*Tijd))*Verschil in elektronenconcentratie

Distributiecoëfficiënt

Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Fermi-functie

Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Effectieve dichtheidstoestand in valentieband

Gaan Effectieve staatsdichtheid in valentieband = Gaten Concentratie in Valance Band/(1-Fermi-functie)

Elektronenvermenigvuldiging

Gaan Vermenigvuldiging van elektronen = Aantal elektronen buiten regio/Aantal elektronen in regio

Gemiddelde tijdsbesteding per hole

Gaan Gemiddelde tijdsbesteding per hole = Optische generatiesnelheid*Meerderheid Carrier Decay

Overmatige dragerconcentratie

Gaan Overmatige dragerconcentratie = Optische generatiesnelheid*Levensduur recombinatie

Elektronenstroomdichtheid

Gaan Elektronenstroomdichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Gat huidige dichtheid

Hole Huidige Dichtheid

Gaan Gat huidige dichtheid = Totale draaggolfstroomdichtheid-Elektronenstroomdichtheid

Foto-elektronen energie

Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Elektronenfluxdichtheid Formule

Elektronenfluxdichtheid = (Gemiddeld vrij pad-elektron/(2*Tijd))*Verschil in elektronenconcentratie
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN

Wat is elektronendichtheid?

Elektronendichtheid of elektronische dichtheid is de maatstaf voor de waarschijnlijkheid dat een elektron aanwezig is op een oneindig klein ruimtelijk element dat een bepaald punt omringt.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!