Calculadora Densidad de flujo de electrones

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✖El electrón de trayectoria libre media se define como la distancia promedio recorrida por un electrón en movimiento entre impactos sucesivos, lo que modifica su dirección o energía u otras propiedades de la partícula.ⓘ Electrón de camino libre medio [L_e]			+10% -10%
✖El tiempo se puede definir como la secuencia constante y continua de eventos que ocurren en sucesión, desde el pasado, pasando por el presente, hasta el futuro.ⓘ Tiempo [t]			+10% -10%
✖La diferencia en la concentración de electrones se define como la diferencia entre la densidad electrónica de dos electrones.ⓘ Diferencia en la concentración de electrones [ΔN]			+10% -10%

✖La densidad de flujo de electrones se refiere a la cantidad de electrones por unidad de volumen en un material o región determinada. Representa la medida de cuántos electrones están presentes en un espacio o volumen específico.ⓘ Densidad de flujo de electrones [Φ_n]

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Fórmula

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Densidad de flujo de electrones

Fórmula

`"Φ"_{"n"} = ("L"_{"e"}/(2*"t"))*"ΔN"`

Ejemplo

`"0.017718Wb/m²"=("25.47μm"/(2*"5.75s"))*"8000/m³"`

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Densidad de flujo de electrones Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Densidad de flujo de electrones - (Medido en tesla) - La densidad de flujo de electrones se refiere a la cantidad de electrones por unidad de volumen en un material o región determinada. Representa la medida de cuántos electrones están presentes en un espacio o volumen específico.
Electrón de camino libre medio - (Medido en Metro) - El electrón de trayectoria libre media se define como la distancia promedio recorrida por un electrón en movimiento entre impactos sucesivos, lo que modifica su dirección o energía u otras propiedades de la partícula.
Tiempo - (Medido en Segundo) - El tiempo se puede definir como la secuencia constante y continua de eventos que ocurren en sucesión, desde el pasado, pasando por el presente, hasta el futuro.
Diferencia en la concentración de electrones - (Medido en 1 por metro cúbico) - La diferencia en la concentración de electrones se define como la diferencia entre la densidad electrónica de dos electrones.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Electrón de camino libre medio: 25.47 Micrómetro --> 2.547E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Tiempo: 5.75 Segundo --> 5.75 Segundo No se requiere conversión
Diferencia en la concentración de electrones: 8000 1 por metro cúbico --> 8000 1 por metro cúbico No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN --> (2.547E-05/(2*5.75))*8000

Evaluar ... ...

Φ_n = 0.0177182608695652

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.0177182608695652 tesla -->0.0177182608695652 Weber por metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.0177182608695652 ≈ 0.017718 Weber por metro cuadrado <-- Densidad de flujo de electrones

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 18 electrones Calculadoras

Función de onda dependiente de Phi

Vamos Φ función de onda dependiente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Número cuántico de onda*Ángulo de función de onda))

Orden de Difracción

Vamos Orden de Difracción = (2*Espacio de injerto*sin(Ángulo de incidencia))/Longitud de onda del rayo

Densidad de flujo de electrones

Vamos Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones

Componente de agujero

Vamos Componente de agujero = Componente de electrones*Eficiencia de inyección del emisor/(1-Eficiencia de inyección del emisor)

Camino libre medio

Vamos Electrón de camino libre medio = (Densidad de flujo de electrones/(Diferencia en la concentración de electrones))*2*Tiempo

Radio de la enésima órbita del electrón

Vamos Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)

Estado cuántico

Vamos Energía en Estado Cuántico = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa de partícula*Longitud potencial del pozo^2)

Componente de electrones

Vamos Componente de electrones = ((Componente de agujero)/Eficiencia de inyección del emisor)-Componente de agujero

Conductancia de CA

Vamos Conductancia de CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corriente eléctrica

Densidad total de la corriente del portador

Vamos Densidad de corriente total del portador = Densidad de corriente de electrones+Densidad de corriente del agujero

Densidad de corriente de electrones

Vamos Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente del agujero

Densidad actual del agujero

Vamos Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones

Diferencia en la concentración de electrones

Vamos Diferencia en la concentración de electrones = Concentración de electrones 1-Concentración de electrones 2

Multiplicación de electrones

Vamos Multiplicación de electrones = Número de electrones fuera de la región/Número de electrones en la región

Electrón fuera de la región

Vamos Número de electrones fuera de la región = Multiplicación de electrones*Número de electrones en la región

electrón en la región

Vamos Número de electrones en la región = Número de electrones fuera de la región/Multiplicación de electrones

Tiempo medio gastado por hoyo

Vamos Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario

Amplitud de la función de onda

Vamos Amplitud de la función de onda = sqrt(2/Longitud potencial del pozo)

< 15 Portadores de semiconductores Calculadoras

Concentración de portador intrínseco

Vamos Concentración de portador intrínseco = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Carrier Lifetime

Vamos Portador de por vida = 1/(Proporcionalidad para la recombinación*(Concentración de agujeros en la banda de cenefa+Concentración de electrones en banda de conducción))

Densidad de flujo de electrones

Vamos Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones

Radio de la enésima órbita del electrón

Vamos Radio de la enésima órbita del electrón = ([Coulomb]*Número cuántico^2*[hP]^2)/(Masa de partícula*[Charge-e]^2)

Estado cuántico

Vamos Energía en Estado Cuántico = (Número cuántico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Masa de partícula*Longitud potencial del pozo^2)

Función Fermi

Vamos Función de Fermi = Concentración de electrones en banda de conducción/Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción

Estado de densidad efectiva en la banda de valencia

Vamos Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia = Concentración de agujeros en la banda de cenefa/(1-Función de Fermi)

Densidad de corriente de electrones

Vamos Densidad de corriente de electrones = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente del agujero

Densidad actual del agujero

Vamos Densidad de corriente del agujero = Densidad de corriente total del portador-Densidad de corriente de electrones

Coeficiente de distribución

Vamos Coeficiente de distribución = Concentración de impurezas en sólidos/Concentración de impurezas en líquido

Multiplicación de electrones

Vamos Multiplicación de electrones = Número de electrones fuera de la región/Número de electrones en la región

Exceso de concentración de portadores

Vamos Exceso de concentración de portadores = Tasa de generación óptica*Vida útil de la recombinación

Tiempo medio gastado por hoyo

Vamos Tiempo medio gastado por hoyo = Tasa de generación óptica*Decaimiento de portador mayoritario

Energía de banda de conducción

Vamos Energía de banda de conducción = Brecha de energía+Energía de la banda de valencia

Energía de fotoelectrones

Vamos Energía de fotoelectrones = [hP]*Frecuencia de luz incidente

Densidad de flujo de electrones Fórmula

Densidad de flujo de electrones = (Electrón de camino libre medio/(2*Tiempo))*Diferencia en la concentración de electrones
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN

¿Qué es la densidad de electrones?

La densidad electrónica o densidad electrónica es la medida de la probabilidad de que un electrón esté presente en un elemento infinitesimal del espacio que rodea cualquier punto dado.

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