Densidade de fluxo de elétrons Calculadora

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Portadores de semicondutores

✖O elétron de caminho livre médio é definido como uma distância média percorrida por um elétron em movimento entre impactos sucessivos, que modifica sua direção ou energia ou outras propriedades da partícula.ⓘ Elétron de caminho livre médio [L_e]			+10% -10%
✖O tempo pode ser definido como a sequência contínua e contínua de eventos que ocorrem em sucessão, do passado ao presente e ao futuro.ⓘ Tempo [t]			+10% -10%
✖A diferença na concentração de elétrons é definida como a diferença entre a densidade eletrônica de dois elétrons.ⓘ Diferença na concentração de elétrons [ΔN]			+10% -10%

✖A densidade de fluxo de elétrons refere-se à quantidade de elétrons por unidade de volume em um determinado material ou região. Representa a medida de quantos elétrons estão presentes em um espaço ou volume específico.ⓘ Densidade de fluxo de elétrons [Φ_n]

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Fórmula

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Densidade de fluxo de elétrons

Fórmula

`"Φ"_{"n"} = ("L"_{"e"}/(2*"t"))*"ΔN"`

Exemplo

`"0.017718Wb/m²"=("25.47μm"/(2*"5.75s"))*"8000/m³"`

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Densidade de fluxo de elétrons Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Densidade do fluxo de elétrons = (Elétron de caminho livre médio/(2*Tempo))*Diferença na concentração de elétrons
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Densidade do fluxo de elétrons - (Medido em Tesla) - A densidade de fluxo de elétrons refere-se à quantidade de elétrons por unidade de volume em um determinado material ou região. Representa a medida de quantos elétrons estão presentes em um espaço ou volume específico.
Elétron de caminho livre médio - (Medido em Metro) - O elétron de caminho livre médio é definido como uma distância média percorrida por um elétron em movimento entre impactos sucessivos, que modifica sua direção ou energia ou outras propriedades da partícula.
Tempo - (Medido em Segundo) - O tempo pode ser definido como a sequência contínua e contínua de eventos que ocorrem em sucessão, do passado ao presente e ao futuro.
Diferença na concentração de elétrons - (Medido em 1 por metro cúbico) - A diferença na concentração de elétrons é definida como a diferença entre a densidade eletrônica de dois elétrons.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Elétron de caminho livre médio: 25.47 Micrômetro --> 2.547E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tempo: 5.75 Segundo --> 5.75 Segundo Nenhuma conversão necessária
Diferença na concentração de elétrons: 8000 1 por metro cúbico --> 8000 1 por metro cúbico Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN --> (2.547E-05/(2*5.75))*8000

Avaliando ... ...

Φ_n = 0.0177182608695652

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0177182608695652 Tesla -->0.0177182608695652 Weber por metro quadrado (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.0177182608695652 ≈ 0.017718 Weber por metro quadrado <-- Densidade do fluxo de elétrons

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 18 Elétrons Calculadoras

Função de onda dependente de Phi

Vai Φ Função de Onda Dependente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Número Quântico da Onda*Ângulo da Função de Onda))

Ordem de Difração

Vai Ordem de difração = (2*Espaço de enxerto*sin(Ângulo de incidência))/Comprimento de onda do raio

estado quântico

Vai Energia no Estado Quântico = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*massa de partícula*Comprimento potencial do poço^2)

Densidade de fluxo de elétrons

Vai Densidade do fluxo de elétrons = (Elétron de caminho livre médio/(2*Tempo))*Diferença na concentração de elétrons

Significa caminho livre

Vai Elétron de caminho livre médio = (Densidade do fluxo de elétrons/(Diferença na concentração de elétrons))*2*Tempo

Componente de furo

Vai Componente do furo = Componente Eletrônico*Eficiência de Injeção do Emissor/(1-Eficiência de Injeção do Emissor)

Raio da Nésima Órbita do Elétron

Vai Raio da enésima órbita do elétron = ([Coulomb]*Número quântico^2*[hP]^2)/(massa de partícula*[Charge-e]^2)

Condutância CA

Vai Condutância CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corrente elétrica

Componente Eletrônico

Vai Componente Eletrônico = ((Componente do furo)/Eficiência de Injeção do Emissor)-Componente do furo

Densidade de corrente total da portadora

Vai Densidade total de corrente portadora = Densidade de Corrente Eletrônica+Densidade atual do furo

Densidade de corrente de elétrons

Vai Densidade de Corrente Eletrônica = Densidade total de corrente portadora-Densidade atual do furo

Densidade de corrente de furo

Vai Densidade atual do furo = Densidade total de corrente portadora-Densidade de Corrente Eletrônica

Diferença na concentração de elétrons

Vai Diferença na concentração de elétrons = Concentração de elétrons 1-Concentração de elétrons 2

Multiplicação de elétrons

Vai Multiplicação de elétrons = Número de elétrons fora da região/Número de elétrons na região

Elétron fora da região

Vai Número de elétrons fora da região = Multiplicação de elétrons*Número de elétrons na região

Elétron na região

Vai Número de elétrons na região = Número de elétrons fora da região/Multiplicação de elétrons

Tempo médio gasto por buraco

Vai Tempo médio gasto por buraco = Taxa de geração óptica*Decaimento do portador majoritário

Amplitude da Função de Onda

Vai Amplitude da função de onda = sqrt(2/Comprimento potencial do poço)

< 15 Portadores de semicondutores Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos

Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Tempo de vida da transportadora

Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))

estado quântico

Vai Energia no Estado Quântico = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*massa de partícula*Comprimento potencial do poço^2)

Densidade de fluxo de elétrons

Vai Densidade do fluxo de elétrons = (Elétron de caminho livre médio/(2*Tempo))*Diferença na concentração de elétrons

Raio da Nésima Órbita do Elétron

Vai Raio da enésima órbita do elétron = ([Coulomb]*Número quântico^2*[hP]^2)/(massa de partícula*[Charge-e]^2)

Estado de densidade efetiva na banda de valência

Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)

Função Fermi

Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução

Coeficiente de Distribuição

Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido

Densidade de corrente de elétrons

Vai Densidade de Corrente Eletrônica = Densidade total de corrente portadora-Densidade atual do furo

Densidade de corrente de furo

Vai Densidade atual do furo = Densidade total de corrente portadora-Densidade de Corrente Eletrônica

Excesso de concentração de portador

Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação

Multiplicação de elétrons

Vai Multiplicação de elétrons = Número de elétrons fora da região/Número de elétrons na região

Tempo médio gasto por buraco

Vai Tempo médio gasto por buraco = Taxa de geração óptica*Decaimento do portador majoritário

Energia da Banda de Condução

Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência

Energia fotoelétron

Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Densidade de fluxo de elétrons Fórmula

Densidade do fluxo de elétrons = (Elétron de caminho livre médio/(2*Tempo))*Diferença na concentração de elétrons
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN

O que é densidade de elétrons?

A densidade do elétron ou densidade eletrônica é a medida da probabilidade de um elétron estar presente em um elemento infinitesimal do espaço ao redor de um determinado ponto.

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