Elektronenflussdichte Taschenrechner

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✖Die mittlere freie Weglänge eines Elektrons ist definiert als die durchschnittliche Entfernung, die ein sich bewegendes Elektron zwischen aufeinanderfolgenden Stößen zurücklegt, wodurch sich seine Richtung, Energie oder andere Teilcheneigenschaften ändern.ⓘ Mittleres freies Wegelektron [L_e]			+10% -10%
✖Zeit kann als die fortlaufende und kontinuierliche Abfolge von Ereignissen definiert werden, die nacheinander auftreten, von der Vergangenheit über die Gegenwart bis in die Zukunft.ⓘ Zeit [t]			+10% -10%
✖Der Unterschied in der Elektronenkonzentration ist definiert als der Unterschied zwischen der Elektronendichte zweier Elektronen.ⓘ Unterschied in der Elektronenkonzentration [ΔN]			+10% -10%

✖Die Elektronenflussdichte bezieht sich auf die Menge an Elektronen pro Volumeneinheit in einem bestimmten Material oder einer bestimmten Region. Es stellt das Maß dafür dar, wie viele Elektronen in einem bestimmten Raum oder Volumen vorhanden sind.ⓘ Elektronenflussdichte [Φ_n]

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Formel

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Elektronenflussdichte

Formel

`"Φ"_{"n"} = ("L"_{"e"}/(2*"t"))*"ΔN"`

Beispiel

`"0.017718Wb/m²"=("25.47μm"/(2*"5.75s"))*"8000/m³"`

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Elektronenflussdichte Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Elektronenflussdichte - (Gemessen in Tesla) - Die Elektronenflussdichte bezieht sich auf die Menge an Elektronen pro Volumeneinheit in einem bestimmten Material oder einer bestimmten Region. Es stellt das Maß dafür dar, wie viele Elektronen in einem bestimmten Raum oder Volumen vorhanden sind.
Mittleres freies Wegelektron - (Gemessen in Meter) - Die mittlere freie Weglänge eines Elektrons ist definiert als die durchschnittliche Entfernung, die ein sich bewegendes Elektron zwischen aufeinanderfolgenden Stößen zurücklegt, wodurch sich seine Richtung, Energie oder andere Teilcheneigenschaften ändern.
Zeit - (Gemessen in Zweite) - Zeit kann als die fortlaufende und kontinuierliche Abfolge von Ereignissen definiert werden, die nacheinander auftreten, von der Vergangenheit über die Gegenwart bis in die Zukunft.
Unterschied in der Elektronenkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Der Unterschied in der Elektronenkonzentration ist definiert als der Unterschied zwischen der Elektronendichte zweier Elektronen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Mittleres freies Wegelektron: 25.47 Mikrometer --> 2.547E-05 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Zeit: 5.75 Zweite --> 5.75 Zweite Keine Konvertierung erforderlich
Unterschied in der Elektronenkonzentration: 8000 1 pro Kubikmeter --> 8000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN --> (2.547E-05/(2*5.75))*8000

Auswerten ... ...

Φ_n = 0.0177182608695652

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0177182608695652 Tesla -->0.0177182608695652 Weber pro Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.0177182608695652 ≈ 0.017718 Weber pro Quadratmeter <-- Elektronenflussdichte

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Elektronen Taschenrechner

Phi-abhängige Wellenfunktion

Gehen Φ abhängige Wellenfunktion = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Wellenquantenzahl*Wellenfunktionswinkel))

Ordnung der Beugung

Gehen Ordnung der Beugung = (2*Veredelungsraum*sin(Einfallswinkel))/Wellenlänge von Ray

Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons

Gehen Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)

Mittlerer freier Pfad

Gehen Mittleres freies Wegelektron = (Elektronenflussdichte/(Unterschied in der Elektronenkonzentration))*2*Zeit

Elektronenflussdichte

Gehen Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration

AC-Leitfähigkeit

Gehen AC-Leitfähigkeit = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatur))*Elektrischer Strom

Quantenzustand

Gehen Energie im Quantenzustand = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Teilchenmasse*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Lochkomponente

Gehen Lochkomponente = Elektronenkomponente*Emitter-Injektionseffizienz/(1-Emitter-Injektionseffizienz)

Elektronenkomponente

Gehen Elektronenkomponente = ((Lochkomponente)/Emitter-Injektionseffizienz)-Lochkomponente

Elektron außerhalb der Region

Gehen Anzahl der Elektronen außerhalb der Region = Elektronenmultiplikation*Anzahl der Elektronen in der Region

Elektronenvervielfachung

Gehen Elektronenmultiplikation = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Anzahl der Elektronen in der Region

Elektron in der Region

Gehen Anzahl der Elektronen in der Region = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Elektronenmultiplikation

Unterschied in der Elektronenkonzentration

Gehen Unterschied in der Elektronenkonzentration = Elektronenkonzentration 1-Elektronenkonzentration 2

Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch

Gehen Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay

Gesamtträgerstromdichte

Gehen Gesamtträgerstromdichte = Elektronenstromdichte+Lochstromdichte

Elektronenstromdichte

Gehen Elektronenstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Lochstromdichte

Lochstromdichte

Gehen Lochstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Elektronenstromdichte

Amplitude der Wellenfunktion

Gehen Amplitude der Wellenfunktion = sqrt(2/Mögliche Bohrlochlänge)

< 15 Halbleiterträger Taschenrechner

Intrinsische Trägerkonzentration

Gehen Intrinsische Trägerkonzentration = sqrt(Effektive Zustandsdichte im Valenzband*Effektive Zustandsdichte im Leitungsband)*exp(-Energielücke/(2*[BoltZ]*Temperatur))

Trägerlebensdauer

Gehen Trägerlebensdauer = 1/(Verhältnismäßigkeit für Rekombination*(Lochkonzentration im Volantband+Elektronenkonzentration im Leitungsband))

Radius der N-ten Umlaufbahn des Elektrons

Gehen Radius der n-ten Umlaufbahn des Elektrons = ([Coulomb]*Quantenzahl^2*[hP]^2)/(Teilchenmasse*[Charge-e]^2)

Elektronenflussdichte

Gehen Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration

Quantenzustand

Gehen Energie im Quantenzustand = (Quantenzahl^2*pi^2*[hP]^2)/(2*Teilchenmasse*Mögliche Bohrlochlänge^2)

Verteilungskoeffizient

Gehen Verteilungskoeffizient = Verunreinigungskonzentration im Feststoff/Verunreinigungskonzentration in Flüssigkeit

Elektronenvervielfachung

Gehen Elektronenmultiplikation = Anzahl der Elektronen außerhalb der Region/Anzahl der Elektronen in der Region

Fermi-Funktion

Gehen Fermi-Funktion = Elektronenkonzentration im Leitungsband/Effektive Zustandsdichte im Leitungsband

Zustand der effektiven Dichte im Valenzband

Gehen Effektive Zustandsdichte im Valenzband = Lochkonzentration im Volantband/(1-Fermi-Funktion)

Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch

Gehen Durchschnittlicher Zeitaufwand pro Loch = Optische Erzeugungsrate*Majority Carrier Decay

Übermäßige Trägerkonzentration

Gehen Überschüssige Trägerkonzentration = Optische Erzeugungsrate*Rekombinationslebensdauer

Photoelektronenenergie

Gehen Photoelektronenenergie = [hP]*Häufigkeit des einfallenden Lichts

Elektronenstromdichte

Gehen Elektronenstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Lochstromdichte

Lochstromdichte

Gehen Lochstromdichte = Gesamtträgerstromdichte-Elektronenstromdichte

Leitungsbandenergie

Gehen Leitungsbandenergie = Energielücke+Valenzbandenergie

Elektronenflussdichte Formel

Elektronenflussdichte = (Mittleres freies Wegelektron/(2*Zeit))*Unterschied in der Elektronenkonzentration
Φ_n = (L_e/(2*t))*ΔN

Was ist Elektronendichte?

Die Elektronendichte oder elektronische Dichte ist das Maß für die Wahrscheinlichkeit, dass ein Elektron an einem infinitesimalen Raumelement vorhanden ist, das einen bestimmten Punkt umgibt.

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