लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार
Af = gm*Rout
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
प्रवर्धन घटक - अॅम्प्लीफिकेशन फॅक्टर हे एखाद्या उपकरणातून जाताना विद्युत सिग्नलच्या शक्तीमध्ये वाढ होण्याचे मोजमाप आहे. आउटपुट मोठेपणा किंवा इनपुट मोठेपणाच्या शक्तीचे गुणोत्तर म्हणून त्याची व्याख्या केली जाते.
Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.
आउटपुट प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - आउटपुट रेझिस्टन्स म्हणजे इलेक्ट्रोनिक सर्किटच्या विद्युत् प्रवाहाच्या प्रतिरोधनाचा संदर्भ आहे जेव्हा लोड त्याच्या आउटपुटशी जोडलेला असतो.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
Transconductance: 0.5 मिलिसीमेन्स --> 0.0005 सीमेन्स (रूपांतरण तपासा ​येथे)
आउटपुट प्रतिकार: 4.5 किलोहम --> 4500 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Af = gm*Rout --> 0.0005*4500
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Af = 2.25
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
2.25 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
2.25 <-- प्रवर्धन घटक
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित प्रल्हाद सिंग
जयपूर अभियांत्रिकी महाविद्यालय व संशोधन केंद्र (जेईसीआरसी), जयपूर
प्रल्हाद सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 10+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 लहान सिग्नल विश्लेषण कॅल्क्युलेटर

इनपुट रेझिस्टन्सच्या संदर्भात लहान सिग्नल व्होल्टेज वाढ
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध/(इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध+स्वयंप्रेरित प्रतिकार))*((स्रोत प्रतिकार*आउटपुट प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+आउटपुट प्रतिकार))/(1/Transconductance+((स्रोत प्रतिकार*आउटपुट प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+आउटपुट प्रतिकार)))
स्मॉल सिग्नल रेझिस्टन्सच्या संदर्भात गेट टू सोर्स व्होल्टेज
​ जा गंभीर व्होल्टेज = इनपुट व्होल्टेज*((1/Transconductance)/((1/Transconductance)*((स्रोत प्रतिकार*लहान सिग्नल प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+लहान सिग्नल प्रतिकार))))
लहान सिग्नलमध्ये कॉमन ड्रेन आउटपुट व्होल्टेज
​ जा आउटपुट व्होल्टेज = Transconductance*गंभीर व्होल्टेज*((स्रोत प्रतिकार*लहान सिग्नल प्रतिकार)/(स्रोत प्रतिकार+लहान सिग्नल प्रतिकार))
लहान सिग्नल पी-चॅनेलचे आउटपुट व्होल्टेज
​ जा आउटपुट व्होल्टेज = Transconductance*गेट व्होल्टेजचा स्त्रोत*((आउटपुट प्रतिकार*निचरा प्रतिकार)/(निचरा प्रतिकार+आउटपुट प्रतिकार))
लहान सिग्नलसाठी व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (Transconductance*(1/((1/लोड प्रतिकार)+(1/निचरा प्रतिकार))))/(1+(Transconductance*स्वयंप्रेरित प्रतिकार))
ड्रेन रेझिस्टन्सच्या संदर्भात स्मॉल-सिग्नल व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (Transconductance*((आउटपुट प्रतिकार*निचरा प्रतिकार)/(आउटपुट प्रतिकार+निचरा प्रतिकार)))
लहान सिग्नलचा आउटपुट करंट
​ जा आउटपुट वर्तमान = (Transconductance*गंभीर व्होल्टेज)*(निचरा प्रतिकार/(लोड प्रतिकार+निचरा प्रतिकार))
लहान सिग्नलचा इनपुट करंट
​ जा लहान सिग्नलचा इनपुट करंट = (गंभीर व्होल्टेज*((1+Transconductance*स्वयंप्रेरित प्रतिकार)/स्वयंप्रेरित प्रतिकार))
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलसाठी प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = 1/इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*sqrt((2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर)/ड्रेन करंट)
लहान सिग्नल पॅरामीटर्स दिलेले ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = 2*ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट ते सोर्स व्होल्टेजचा DC घटक-एकूण व्होल्टेज)
लहान सिग्नलमध्ये गेट टू सोर्स व्होल्टेज
​ जा गंभीर व्होल्टेज = इनपुट व्होल्टेज/(1+स्वयंप्रेरित प्रतिकार*Transconductance)
लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)
लहान सिग्नल आउटपुट व्होल्टेज
​ जा आउटपुट व्होल्टेज = Transconductance*गेट व्होल्टेजचा स्त्रोत*लोड प्रतिकार
MOSFET स्मॉल सिग्नलचा ड्रेन करंट
​ जा ड्रेन करंट = 1/(इलेक्ट्रॉन मीन फ्री पाथ*आउटपुट प्रतिकार)
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार

16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
​ जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)
MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
MOSFET ची संक्रमण वारंवारता
​ जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))
बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)
MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट
​ जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज
​ जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
Transconductance वर शरीर प्रभाव
​ जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
MOSFET चे बायस व्होल्टेज
​ जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज
सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज
MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज
​ जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार
MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक सुत्र

प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार
Af = gm*Rout

एमओएसएफईटीमध्ये ट्रान्सकंडक्टन्सचा उपयोग काय आहे?

ट्रान्सकंडक्टन्स एक द्विध्रुवीय ट्रान्झिस्टर किंवा फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (एफईटी) च्या कामगिरीची अभिव्यक्ती आहे. सर्वसाधारणपणे, डिव्हाइससाठी ट्रान्सकंडक्टन्सची संख्या जितकी मोठी असते तितके जास्त प्रमाणात (प्रवर्धन) ते वितरीत करण्यास सक्षम असते, जेव्हा इतर सर्व घटक स्थिर असतात.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!