कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स कॅल्क्युलेटर

✖0 व्होल्टेजवर कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स म्हणजे शून्य व्होल्टेजवर कलेक्टर-बेसच्या जंक्शनवरील कॅपेसिटन्स.ⓘ कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स 0 व्होल्टेजवर [C_cb0]			+10% -10%
✖रिव्हर्स-बायस व्होल्टेज म्हणजे डायोडला उलट दिशेने व्होल्टेज लावणे.ⓘ रिव्हर्स-बायस व्होल्टेज [V_DB]			+10% -10%
✖बिल्ट-इन व्होल्टेज म्हणजे पी- आणि एन-टाइप सेमीकंडक्टरमध्ये सामील होण्यापूर्वीच्या फर्मी स्तरांमधील फरक.ⓘ अंगभूत व्होल्टेज [V_binc]			+10% -10%
✖ग्रेडिंग गुणांक हे चाळणी विश्लेषणाद्वारे ग्रेडेशन वक्र वापरून अंदाजित पॅरामीटर आहे.ⓘ प्रतवारी गुणांक [m]			+10% -10%

✖सक्रिय मोडमधील कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स रिव्हर्स बायस्ड आहे आणि कलेक्टर आणि बेसमधील कॅपेसिटन्स आहे.ⓘ कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स [C_cb]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स

सुत्र

`"C"_{"cb"} = "C"_{"cb0"}/(1+("V"_{"DB"}/"V"_{"binc"}))^"m"`

उदाहरण

`"0.842761μF"="2.3μF"/(1+("13V"/"1.15V"))^"0.4"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा बीजेटी सुत्र PDF PDF Image

कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स = कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स 0 व्होल्टेजवर/(1+(रिव्हर्स-बायस व्होल्टेज/अंगभूत व्होल्टेज))^प्रतवारी गुणांक
C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - सक्रिय मोडमधील कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स रिव्हर्स बायस्ड आहे आणि कलेक्टर आणि बेसमधील कॅपेसिटन्स आहे.
कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स 0 व्होल्टेजवर - (मध्ये मोजली फॅरड) - 0 व्होल्टेजवर कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स म्हणजे शून्य व्होल्टेजवर कलेक्टर-बेसच्या जंक्शनवरील कॅपेसिटन्स.
रिव्हर्स-बायस व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - रिव्हर्स-बायस व्होल्टेज म्हणजे डायोडला उलट दिशेने व्होल्टेज लावणे.
अंगभूत व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - बिल्ट-इन व्होल्टेज म्हणजे पी- आणि एन-टाइप सेमीकंडक्टरमध्ये सामील होण्यापूर्वीच्या फर्मी स्तरांमधील फरक.
प्रतवारी गुणांक - ग्रेडिंग गुणांक हे चाळणी विश्लेषणाद्वारे ग्रेडेशन वक्र वापरून अंदाजित पॅरामीटर आहे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स 0 व्होल्टेजवर: 2.3 मायक्रोफरॅड --> 2.3E-06 फॅरड (रूपांतरण तपासा येथे)
रिव्हर्स-बायस व्होल्टेज: 13 व्होल्ट --> 13 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंगभूत व्होल्टेज: 1.15 व्होल्ट --> 1.15 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
प्रतवारी गुणांक: 0.4 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m --> 2.3E-06/(1+(13/1.15))^0.4

मूल्यांकन करत आहे ... ...

C_cb = 8.42760934851159E-07

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

8.42760934851159E-07 फॅरड -->0.842760934851159 मायक्रोफरॅड (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

0.842760934851159 ≈ 0.842761 मायक्रोफरॅड <-- कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » बीजेटी » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल » कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 11 अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल कॅल्क्युलेटर

कलेक्टर-बेस कॅपेसिटन्स

जा कलेक्टर बेस कॅपेसिटन्स = एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*sqrt((चार्ज करा*परवानगी*डोपिंग घनता)/(2*(बिल्ट इन पोटेंशियल+रिव्हर्स बायस जंक्शन)))

कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स

जा कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स = कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स 0 व्होल्टेजवर/(1+(रिव्हर्स-बायस व्होल्टेज/अंगभूत व्होल्टेज))^प्रतवारी गुणांक

बीजेटीची संक्रमण वारंवारता

जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(एमिटर-बेस कॅपेसिटन्स+कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स))

एमिटरपासून बेसपर्यंत इंजेक्ट केलेल्या इलेक्ट्रॉन्सची एकाग्रता

जा उत्सर्जक ते बेस पर्यंत इंजेक्ट केलेल्या ई-ची एकाग्रता = थर्मल समतोल एकाग्रता*e^(बेस-एमिटर व्होल्टेज/थर्मल व्होल्टेज)

BJT चे युनिटी-गेन बँडविड्थ

जा एकता-बँडविड्थ मिळवा = Transconductance/(एमिटर-बेस कॅपेसिटन्स+कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स)

BJT चे स्मॉल-सिग्नल डिफ्यूजन कॅपेसिटन्स

जा एमिटर-बेस कॅपेसिटन्स = डिव्हाइस स्थिर*(जिल्हाधिकारी वर्तमान/थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

अल्पसंख्याक शुल्क वाहक थर्मल समतोल एकाग्रता

जा थर्मल समतोल एकाग्रता = ((आंतरिक वाहक घनता)^2)/बेसची डोपिंग एकाग्रता

BJT च्या बेस मध्ये संग्रहित इलेक्ट्रॉन चार्ज

जा संग्रहित इलेक्ट्रॉन चार्ज = डिव्हाइस स्थिर*जिल्हाधिकारी वर्तमान

लहान-सिग्नल डिफ्यूजन कॅपेसिटन्स

जा एमिटर-बेस कॅपेसिटन्स = डिव्हाइस स्थिर*Transconductance

BJT ची संक्रमण वारंवारता दिलेली डिव्हाइस स्थिरांक

जा संक्रमण वारंवारता = 1/(2*pi*डिव्हाइस स्थिर)

बेस-एमिटर जंक्शन कॅपेसिटन्स

जा बेस-एमिटर जंक्शन कॅपेसिटन्स = 2*एमिटर-बेस कॅपेसिटन्स

कलेक्टर-बेस जंक्शन कॅपेसिटन्स सुत्र

कलेक्टर बेस आणि एमिटर म्हणजे काय?

एमिटर-बेस जंक्शन बेसमध्ये मोठ्या प्रमाणात चार्ज कॅरिअर इंजेक्शन करते कारण ते जास्त प्रमाणात डोप केलेले आणि मध्यम आकाराचे आहे. जिल्हाधिकारी - जो विभाग एमिटरद्वारे पुरविल्या जाणा charge्या बहुसंख्य शुल्क वाहकाचा मोठा भाग गोळा करतो त्याला जिल्हाधिकारी म्हणतात.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!