Calculadora Capacitancia de la unión de la base del colector

✖La capacitancia de la unión colector-base a voltaje 0 es la capacitancia en la unión del colector-base a voltaje cero.ⓘ Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0 [C_cb0]			+10% -10%
✖El voltaje de polarización inversa significa poner un voltaje a través de un diodo en la dirección opuesta.ⓘ Voltaje de polarización inversa [V_DB]			+10% -10%
✖El voltaje incorporado es simplemente la diferencia de los niveles de Fermi en los semiconductores de tipo p y n antes de que se unieran.ⓘ Voltaje incorporado [V_binc]			+10% -10%
✖El Coeficiente de clasificación es el parámetro estimado utilizando la curva de clasificación a través del análisis de tamiz.ⓘ Coeficiente de calificación [m]			+10% -10%

✖La capacitancia de unión colector-base en modo activo tiene polarización inversa y es la capacitancia entre el colector y la base.ⓘ Capacitancia de la unión de la base del colector [C_cb]

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Fórmula

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Capacitancia de la unión de la base del colector

Fórmula

`"C"_{"cb"} = "C"_{"cb0"}/(1+("V"_{"DB"}/"V"_{"binc"}))^"m"`

Ejemplo

`"0.842761μF"="2.3μF"/(1+("13V"/"1.15V"))^"0.4"`

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Capacitancia de la unión de la base del colector Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Capacitancia de la unión de la base del colector = Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0/(1+(Voltaje de polarización inversa/Voltaje incorporado))^Coeficiente de calificación
C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Capacitancia de la unión de la base del colector - (Medido en Faradio) - La capacitancia de unión colector-base en modo activo tiene polarización inversa y es la capacitancia entre el colector y la base.
Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0 - (Medido en Faradio) - La capacitancia de la unión colector-base a voltaje 0 es la capacitancia en la unión del colector-base a voltaje cero.
Voltaje de polarización inversa - (Medido en Voltio) - El voltaje de polarización inversa significa poner un voltaje a través de un diodo en la dirección opuesta.
Voltaje incorporado - (Medido en Voltio) - El voltaje incorporado es simplemente la diferencia de los niveles de Fermi en los semiconductores de tipo p y n antes de que se unieran.
Coeficiente de calificación - El Coeficiente de clasificación es el parámetro estimado utilizando la curva de clasificación a través del análisis de tamiz.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0: 2.3 Microfaradio --> 2.3E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Voltaje de polarización inversa: 13 Voltio --> 13 Voltio No se requiere conversión
Voltaje incorporado: 1.15 Voltio --> 1.15 Voltio No se requiere conversión
Coeficiente de calificación: 0.4 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m --> 2.3E-06/(1+(13/1.15))^0.4

Evaluar ... ...

C_cb = 8.42760934851159E-07

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

8.42760934851159E-07 Faradio -->0.842760934851159 Microfaradio (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.842760934851159 ≈ 0.842761 Microfaradio <-- Capacitancia de la unión de la base del colector

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 10+ Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de la unión de la base del colector

Vamos Capacitancia de la unión de la base del colector = Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0/(1+(Voltaje de polarización inversa/Voltaje incorporado))^Coeficiente de calificación

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base

Vamos Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Carga de electrones almacenados en la base de BJT

Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente

Capacitancia de difusión de señal pequeña

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia

Frecuencia de transición de BJT dado dispositivo constante

Vamos Frecuencia de transición = 1/(2*pi*Constante del dispositivo)

Capacitancia de unión base-emisor

Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

Capacitancia de la unión de la base del colector Fórmula

¿Qué es la base del colector y el emisor?

La unión emisor-base inyecta una gran cantidad de portador de carga mayoritario en la base porque está muy dopada y tiene un tamaño moderado. Colector: la sección que recoge la mayor parte del portador de carga mayoritario suministrado por el emisor se denomina colector.

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