Kollektor-Basis-Übergangskapazität Taschenrechner

✖Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung ist die Kapazität am Kollektor-Basis-Übergang bei Nullspannung.ⓘ Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung [C_cb0]			+10% -10%
✖Sperrspannung bedeutet, dass eine Spannung in entgegengesetzter Richtung an eine Diode angelegt wird.ⓘ Sperrvorspannung [V_DB]			+10% -10%
✖Die eingebaute Spannung ist einfach die Differenz der Fermi-Niveaus in Halbleitern vom p- und n-Typ, bevor sie verbunden wurden.ⓘ Eingebaute Spannung [V_binc]			+10% -10%
✖Der Sortierungskoeffizient ist der Parameter, der unter Verwendung der Gradationskurve durch Siebanalyse geschätzt wird.ⓘ Bewertungskoeffizient [m]			+10% -10%

✖Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität im aktiven Modus ist in Sperrrichtung vorgespannt und ist die Kapazität zwischen Kollektor und Basis.ⓘ Kollektor-Basis-Übergangskapazität [C_cb]

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Formel

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Kollektor-Basis-Übergangskapazität

Formel

`"C"_{"cb"} = "C"_{"cb0"}/(1+("V"_{"DB"}/"V"_{"binc"}))^"m"`

Beispiel

`"0.842761μF"="2.3μF"/(1+("13V"/"1.15V"))^"0.4"`

Taschenrechner

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Kollektor-Basis-Übergangskapazität Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient
C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Kollektor-Basis-Übergangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität im aktiven Modus ist in Sperrrichtung vorgespannt und ist die Kapazität zwischen Kollektor und Basis.
Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung - (Gemessen in Farad) - Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung ist die Kapazität am Kollektor-Basis-Übergang bei Nullspannung.
Sperrvorspannung - (Gemessen in Volt) - Sperrspannung bedeutet, dass eine Spannung in entgegengesetzter Richtung an eine Diode angelegt wird.
Eingebaute Spannung - (Gemessen in Volt) - Die eingebaute Spannung ist einfach die Differenz der Fermi-Niveaus in Halbleitern vom p- und n-Typ, bevor sie verbunden wurden.
Bewertungskoeffizient - Der Sortierungskoeffizient ist der Parameter, der unter Verwendung der Gradationskurve durch Siebanalyse geschätzt wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung: 2.3 Mikrofarad --> 2.3E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Sperrvorspannung: 13 Volt --> 13 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Eingebaute Spannung: 1.15 Volt --> 1.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Bewertungskoeffizient: 0.4 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m --> 2.3E-06/(1+(13/1.15))^0.4

Auswerten ... ...

C_cb = 8.42760934851159E-07

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

8.42760934851159E-07 Farad -->0.842760934851159 Mikrofarad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.842760934851159 ≈ 0.842761 Mikrofarad <-- Kollektor-Basis-Übergangskapazität

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Kollektor-Basis-Übergangskapazität

Gehen Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient

Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen

Gehen Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT

Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom

Kleinsignal-Diffusionskapazität

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit

Übergangsfrequenz von BJT bei gegebener Gerätekonstante

Gehen Übergangsfrequenz = 1/(2*pi*Gerätekonstante)

Basis-Emitter-Übergangskapazität

Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

Kollektor-Basis-Übergangskapazität Formel

Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient
C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m

Was ist Kollektorbasis und Emitter?

Der Emitter-Basis-Übergang injiziert eine große Menge eines Mehrheitsladungsträgers in die Basis, da er stark dotiert und von mäßiger Größe ist. Kollektor - Der Abschnitt, der den Hauptteil des vom Emitter gelieferten Mehrheitsladungsträgers sammelt, wird als Kollektor bezeichnet.

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