Capacité de jonction collecteur-base Calculatrice

✖La capacité de jonction collecteur-base à tension nulle est la capacité à la jonction collecteur-base à tension nulle.ⓘ Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension [C_cb0]			+10% -10%
✖La tension de polarisation inverse signifie mettre une tension aux bornes d'une diode dans la direction opposée.ⓘ Tension de polarisation inverse [V_DB]			+10% -10%
✖La tension intégrée est simplement la différence des niveaux de Fermi dans les semi-conducteurs de type p et n avant qu'ils ne soient joints.ⓘ Tension intégrée [V_binc]			+10% -10%
✖Le coefficient de gradation est le paramètre estimé à l'aide de la courbe de gradation par analyse tamisée.ⓘ Coefficient de classement [m]			+10% -10%

✖La capacité de jonction collecteur-base en mode actif est polarisée en inverse et correspond à la capacité entre le collecteur et la base.ⓘ Capacité de jonction collecteur-base [C_cb]

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Formule

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Capacité de jonction collecteur-base

Formule

`"C"_{"cb"} = "C"_{"cb0"}/(1+("V"_{"DB"}/"V"_{"binc"}))^"m"`

Exemple

`"0.842761μF"="2.3μF"/(1+("13V"/"1.15V"))^"0.4"`

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Capacité de jonction collecteur-base Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement
C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Capacité de jonction collecteur-base - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction collecteur-base en mode actif est polarisée en inverse et correspond à la capacité entre le collecteur et la base.
Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction collecteur-base à tension nulle est la capacité à la jonction collecteur-base à tension nulle.
Tension de polarisation inverse - (Mesuré en Volt) - La tension de polarisation inverse signifie mettre une tension aux bornes d'une diode dans la direction opposée.
Tension intégrée - (Mesuré en Volt) - La tension intégrée est simplement la différence des niveaux de Fermi dans les semi-conducteurs de type p et n avant qu'ils ne soient joints.
Coefficient de classement - Le coefficient de gradation est le paramètre estimé à l'aide de la courbe de gradation par analyse tamisée.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension: 2.3 microfarades --> 2.3E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Tension de polarisation inverse: 13 Volt --> 13 Volt Aucune conversion requise
Tension intégrée: 1.15 Volt --> 1.15 Volt Aucune conversion requise
Coefficient de classement: 0.4 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m --> 2.3E-06/(1+(13/1.15))^0.4

Évaluer ... ...

C_cb = 8.42760934851159E-07

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

8.42760934851159E-07 Farad -->0.842760934851159 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.842760934851159 ≈ 0.842761 microfarades <-- Capacité de jonction collecteur-base

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 10+ Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de jonction collecteur-base

Aller Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base

Aller Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base = Concentration d'équilibre thermique*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Capacité de diffusion de petit signal de BJT

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Charge d'électrons stockée dans la base de BJT

Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur

Capacité de diffusion de petits signaux

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance

Fréquence de transition du BJT donné Constante de l'appareil

Aller Fréquence de transition = 1/(2*pi*Constante de l'appareil)

Capacité de jonction base-émetteur

Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

Capacité de jonction collecteur-base Formule

Qu'est-ce que la base du collecteur et l'émetteur?

La jonction émetteur-base injecte une grande quantité de porteurs de charge majoritaires dans la base car elle est fortement dopée et de taille moyenne. Collecteur - La section qui recueille la majeure partie du porteur de charge majoritaire fourni par l'émetteur est appelée un collecteur.

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