Capacità di giunzione collettore-base calcolatrice

✖La capacità di giunzione collettore-base a tensione 0 è la capacità alla giunzione della base collettore a tensione zero.ⓘ Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0 [C_cb0]			+10% -10%
✖Tensione di polarizzazione inversa significa mettere una tensione attraverso un diodo nella direzione opposta.ⓘ Tensione di polarizzazione inversa [V_DB]			+10% -10%
✖La tensione incorporata è semplicemente la differenza dei livelli di Fermi nei semiconduttori di tipo p e n prima che fossero uniti.ⓘ Tensione incorporata [V_binc]			+10% -10%
✖Il Coefficiente di gradazione è il parametro stimato utilizzando la curva di gradazione attraverso l'analisi al setaccio.ⓘ Coefficiente di classificazione [m]			+10% -10%

✖La capacità di giunzione collettore-base in modalità attiva è polarizzata inversamente ed è la capacità tra collettore e base.ⓘ Capacità di giunzione collettore-base [C_cb]

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Formula

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Capacità di giunzione collettore-base

Formula

`"C"_{"cb"} = "C"_{"cb0"}/(1+("V"_{"DB"}/"V"_{"binc"}))^"m"`

Esempio

`"0.842761μF"="2.3μF"/(1+("13V"/"1.15V"))^"0.4"`

Calcolatrice

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Capacità di giunzione collettore-base Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità di giunzione collettore-base = Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0/(1+(Tensione di polarizzazione inversa/Tensione incorporata))^Coefficiente di classificazione
C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità di giunzione collettore-base - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione collettore-base in modalità attiva è polarizzata inversamente ed è la capacità tra collettore e base.
Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0 - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione collettore-base a tensione 0 è la capacità alla giunzione della base collettore a tensione zero.
Tensione di polarizzazione inversa - (Misurato in Volt) - Tensione di polarizzazione inversa significa mettere una tensione attraverso un diodo nella direzione opposta.
Tensione incorporata - (Misurato in Volt) - La tensione incorporata è semplicemente la differenza dei livelli di Fermi nei semiconduttori di tipo p e n prima che fossero uniti.
Coefficiente di classificazione - Il Coefficiente di gradazione è il parametro stimato utilizzando la curva di gradazione attraverso l'analisi al setaccio.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0: 2.3 Microfarad --> 2.3E-06 Farad (Controlla la conversione qui)
Tensione di polarizzazione inversa: 13 Volt --> 13 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione incorporata: 1.15 Volt --> 1.15 Volt Nessuna conversione richiesta
Coefficiente di classificazione: 0.4 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_cb = C_cb0/(1+(V_DB/V_binc))^m --> 2.3E-06/(1+(13/1.15))^0.4

Valutare ... ...

C_cb = 8.42760934851159E-07

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

8.42760934851159E-07 Farad -->0.842760934851159 Microfarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.842760934851159 ≈ 0.842761 Microfarad <-- Capacità di giunzione collettore-base

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 10+ Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di giunzione collettore-base

Partire Capacità di giunzione collettore-base = Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0/(1+(Tensione di polarizzazione inversa/Tensione incorporata))^Coefficiente di classificazione

Frequenza di transizione di BJT

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))

Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base

Partire Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base = Concentrazione di equilibrio termico*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT

Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)

Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari

Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base

Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT

Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore

Capacità di diffusione di piccoli segnali

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza

Frequenza di transizione di BJT data la costante del dispositivo

Partire Frequenza di transizione = 1/(2*pi*Dispositivo costante)

Capacità di giunzione base-emettitore

Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

Capacità di giunzione collettore-base Formula

Cosa sono la base e l'emettitore del collettore?

La giunzione emettitore-base inietta una grande quantità di portatore di carica maggioritaria nella base perché è fortemente drogata e di dimensioni moderate. Collettore - La sezione che raccoglie la maggior parte del vettore di carica maggioritario fornito dall'emettitore è chiamata collettore.

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