मसावि कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण कॅल्क्युलेटर

अभियांत्रिकी आरोग्य आर्थिक खेळाचे मैदान अधिक >>

↳

इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन उत्पादन अभियांत्रिकी दिवाणी अधिक >>

⤿

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग अँटेना आणि वेव्ह प्रोपोगेशन अॅनालॉग कम्युनिकेशन्स अधिक >>

⤿

MOSFET बीजेटी

⤿

विद्युतदाब MOSFET वैशिष्ट्ये Transconductance अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल अधिक >>

✖चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता म्हणजे ट्रान्झिस्टरमधील सिलिकॉन चॅनेलसारख्या अर्धसंवाहक सामग्रीच्या पृष्ठभागावर हलविण्याची किंवा प्रवास करण्याची इलेक्ट्रॉनची क्षमता.ⓘ चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता [μ_s]			+10% -10%
✖ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.ⓘ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स [C_ox]			+10% -10%
✖चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.ⓘ चॅनेल रुंदी [W_c]			+10% -10%
✖चॅनेलची लांबी फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील अंतर दर्शवते.ⓘ चॅनेलची लांबी [L]			+10% -10%
✖गेट-स्रोत व्होल्टेज हे एक गंभीर पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते आणि ते सहसा डिव्हाइसचे वर्तन नियंत्रित करण्यासाठी वापरले जाते.ⓘ गेट-स्रोत व्होल्टेज [V_gs]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_th]			+10% -10%

✖वाहिनीचे प्रवाहकत्व हे सामान्यत: चॅनेलमधून जाणारे विद्युत् प्रवाह आणि त्यावरील व्होल्टेजचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.ⓘ गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण [G]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
G = μ_s*C_ox*W_c/L*(V_gs-V_th)
हे सूत्र 7 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

चॅनेलचे संचालन - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - वाहिनीचे प्रवाहकत्व हे सामान्यत: चॅनेलमधून जाणारे विद्युत् प्रवाह आणि त्यावरील व्होल्टेजचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.
चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता म्हणजे ट्रान्झिस्टरमधील सिलिकॉन चॅनेलसारख्या अर्धसंवाहक सामग्रीच्या पृष्ठभागावर हलविण्याची किंवा प्रवास करण्याची इलेक्ट्रॉनची क्षमता.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
चॅनेल रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची रुंदी वायरलेस कम्युनिकेशन चॅनेलवर डेटा प्रसारित करण्यासाठी वापरल्या जाणार्‍या फ्रिक्वेन्सीच्या श्रेणीचा संदर्भ देते. हे बँडविड्थ म्हणून देखील ओळखले जाते आणि हर्ट्झ (Hz) मध्ये मोजले जाते.
चॅनेलची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची लांबी फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) मध्ये स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील अंतर दर्शवते.
गेट-स्रोत व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - गेट-स्रोत व्होल्टेज हे एक गंभीर पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते आणि ते सहसा डिव्हाइसचे वर्तन नियंत्रित करण्यासाठी वापरले जाते.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता: 38 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 38 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स: 940 मायक्रोफरॅड --> 0.00094 फॅरड (रूपांतरण तपासा येथे)
चॅनेल रुंदी: 10 मायक्रोमीटर --> 1E-05 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
चॅनेलची लांबी: 100 मायक्रोमीटर --> 0.0001 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
गेट-स्रोत व्होल्टेज: 4 व्होल्ट --> 4 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 2.3 व्होल्ट --> 2.3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

G = μ_s*C_ox*W_c/L*(V_gs-V_th) --> 38*0.00094*1E-05/0.0001*(4-2.3)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

G = 0.0060724

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.0060724 सीमेन्स -->6.0724 मिलिसीमेन्स (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

6.0724 मिलिसीमेन्स <-- चॅनेलचे संचालन

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » विद्युतदाब » गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< विद्युतदाब कॅल्क्युलेटर

कॉमन-मोड सिग्नल दिलेला MOSFET च्या ड्रेन Q1 वर आउटपुट व्होल्टेज

LaTeX जा ड्रेन व्होल्टेज Q1 = -आउटपुट प्रतिकार*(Transconductance*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल)/(1+(2*Transconductance*आउटपुट प्रतिकार))

कॉमन-मोड सिग्नल दिलेला MOSFET च्या ड्रेन Q2 वर आउटपुट व्होल्टेज

LaTeX जा ड्रेन व्होल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिकार/((1/Transconductance)+2*आउटपुट प्रतिकार))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

MOSFET च्या ड्रेन Q1 वर आउटपुट व्होल्टेज

LaTeX जा ड्रेन व्होल्टेज Q1 = -(आउटपुट प्रतिकार*एकूण वर्तमान)

MOSFET च्या ड्रेन Q2 वर आउटपुट व्होल्टेज

LaTeX जा ड्रेन व्होल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिकार*एकूण वर्तमान)

अजून पहा >>

< MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे

LaTeX जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

LaTeX जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)

ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन

LaTeX जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज

सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ

LaTeX जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज

अजून पहा >>

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण सुत्र

LaTeX जा

MOSFET मध्ये कंडक्टन्सचे अनुप्रयोग काय आहेत?

MOSFETs मध्ये कंडक्टन्सचे ऍप्लिकेशन्स विशाल आणि विविध आहेत. त्यामध्ये उच्च-फ्रिक्वेंसी अॅम्प्लिफायर्स, स्विचेस, व्होल्टेज रेग्युलेटर, ऑसिलेटर आणि डिजिटल लॉजिक सर्किट्स समाविष्ट आहेत. विद्युत प्रवाह नियंत्रित करण्यासाठी आणि सिग्नल ध्रुवीयतेमध्ये फेरफार करण्याच्या MOSFET च्या क्षमतेमध्ये आचरण देखील महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते, ज्यामुळे ते आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक प्रणालींमध्ये एक आवश्यक घटक बनतात.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!