एन-प्रकारासाठी बाह्य सेमीकंडक्टरची चालकता कॅल्क्युलेटर

✖दाता एकाग्रता म्हणजे दात्याच्या अवस्थेतील इलेक्ट्रॉनची एकाग्रता.ⓘ दात्याची एकाग्रता [N_d]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता प्रति युनिट इलेक्ट्रिक फील्डच्या सरासरी प्रवाह गतीची परिमाण म्हणून परिभाषित केली जाते.ⓘ इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता [μ_n]			+10% -10%

✖बाह्य अर्धसंवाहकांची चालकता (n-प्रकार) हे n-प्रकारच्या बाह्य सेमीकंडक्टर सामग्रीमधून विद्युत चार्ज किंवा उष्णता किती सहजतेने जाऊ शकते याचे मोजमाप आहे.ⓘ एन-प्रकारासाठी बाह्य सेमीकंडक्टरची चालकता [σ_n]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

एन-प्रकारासाठी बाह्य सेमीकंडक्टरची चालकता

सुत्र

`"σ"_{"n"} = "N"_{"d"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"n"}`

उदाहरण

`"5.767836S/m"="2e17/m³"*"[Charge-e]"*"180m²/V*s"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा सेमीकंडक्टर वैशिष्ट्ये सूत्रे PDF PDF Image

एन-प्रकारासाठी बाह्य सेमीकंडक्टरची चालकता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

बाह्य सेमीकंडक्टर्सची चालकता (n-प्रकार) = दात्याची एकाग्रता*[Charge-e]*इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n
हे सूत्र 1 स्थिर, 3 व्हेरिएबल्स वापरते

सतत वापरलेले

[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज मूल्य घेतले म्हणून 1.60217662E-19

व्हेरिएबल्स वापरलेले

बाह्य सेमीकंडक्टर्सची चालकता (n-प्रकार) - (मध्ये मोजली सीमेन्स / मीटर) - बाह्य अर्धसंवाहकांची चालकता (n-प्रकार) हे n-प्रकारच्या बाह्य सेमीकंडक्टर सामग्रीमधून विद्युत चार्ज किंवा उष्णता किती सहजतेने जाऊ शकते याचे मोजमाप आहे.
दात्याची एकाग्रता - (मध्ये मोजली 1 प्रति घनमीटर) - दाता एकाग्रता म्हणजे दात्याच्या अवस्थेतील इलेक्ट्रॉनची एकाग्रता.
इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता प्रति युनिट इलेक्ट्रिक फील्डच्या सरासरी प्रवाह गतीची परिमाण म्हणून परिभाषित केली जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

दात्याची एकाग्रता: 2E+17 1 प्रति घनमीटर --> 2E+17 1 प्रति घनमीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता: 180 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 180 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n --> 2E+17*[Charge-e]*180

मूल्यांकन करत आहे ... ...

σ_n = 5.767835832

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

5.767835832 सीमेन्स / मीटर --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

5.767835832 ≈ 5.767836 सीमेन्स / मीटर <-- बाह्य सेमीकंडक्टर्सची चालकता (n-प्रकार)

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » ईडीसी » सेमीकंडक्टर वैशिष्ट्ये » एन-प्रकारासाठी बाह्य सेमीकंडक्टरची चालकता

जमा

ने निर्मित अक्षदा कुलकर्णी

राष्ट्रीय माहिती तंत्रज्ञान संस्था (एनआयआयटी), नीमराणा

अक्षदा कुलकर्णी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित टीम सॉफ्टसविस्टा

सॉफ्टसव्हिस्टा कार्यालय (पुणे), भारत

टीम सॉफ्टसविस्टा यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1100+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 13 सेमीकंडक्टर वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

सेमीकंडक्टरमध्ये चालकता

जा वाहकता = (इलेक्ट्रॉन घनता*[Charge-e]*इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता)+(छिद्रांची घनता*[Charge-e]*छिद्रांची गतिशीलता)

फर्मी डिरॅक वितरण कार्य

जा फर्मी डिरॅक वितरण कार्य = 1/(1+e^((फर्मी लेव्हल एनर्जी-फर्मी लेव्हल एनर्जी)/([BoltZ]*तापमान)))

पी-प्रकारासाठी बाह्य सेमीकंडक्टरची चालकता

जा बाह्य सेमीकंडक्टर्सची चालकता (पी-प्रकार) = स्वीकारणारा एकाग्रता*[Charge-e]*छिद्रांची गतिशीलता

एन-प्रकारासाठी बाह्य सेमीकंडक्टरची चालकता

जा बाह्य सेमीकंडक्टर्सची चालकता (n-प्रकार) = दात्याची एकाग्रता*[Charge-e]*इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता

इलेक्ट्रॉन प्रसरण लांबी

जा इलेक्ट्रॉन प्रसार लांबी = sqrt(इलेक्ट्रॉन प्रसार स्थिरांक*अल्पसंख्याक वाहक आजीवन)

एनर्जी बँड गॅप

जा एनर्जी बँड गॅप = एनर्जी बँड गॅप 0K वर-(तापमान*साहित्य विशिष्ट स्थिरांक)

आंतरिक सेमीकंडक्टरची फर्मी पातळी

जा फर्मी लेव्हल इंट्रीन्सिक सेमीकंडक्टर = (कंडक्शन बँड एनर्जी+Valance बँड ऊर्जा)/2

p-प्रकारासाठी सेमीकंडक्टरमध्ये बहुसंख्य वाहक एकाग्रता

जा बहुसंख्य वाहक एकाग्रता = आंतरिक वाहक एकाग्रता^2/अल्पसंख्याक वाहक एकाग्रता

सेमीकंडक्टरमध्ये बहुसंख्य वाहक एकाग्रता

चार्ज वाहकांची गतिशीलता

जा चार्ज वाहक गतिशीलता = वाहून जाण्याची गती/इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज वापरून संपृक्तता व्होल्टेज

जा संपृक्तता व्होल्टेज = गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

प्रवाहाची घनता

जा प्रवाहाची घनता = छिद्रे वर्तमान घनता+इलेक्ट्रॉन वर्तमान घनता

हॉल व्होल्टेजमुळे इलेक्ट्रिक फील्ड

जा हॉल इलेक्ट्रिक फील्ड = हॉल व्होल्टेज/कंडक्टर रुंदी

एन-प्रकारासाठी बाह्य सेमीकंडक्टरची चालकता सुत्र

बाह्य सेमीकंडक्टर्सची चालकता (n-प्रकार) = दात्याची एकाग्रता*[Charge-e]*इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता
σ_n = N_d*[Charge-e]*μ_n

बाह्य सेमीकंडक्टर म्हणजे काय?

एक्सट्रिनसिक सेमीकंडक्टर फक्त आंतरिक अर्धसंवाहक आहेत जे अशुद्धता अणू (या प्रकरणात एक आयामी बदली दोष) सह डोप केले गेले आहेत. डोपिंग ही अशी प्रक्रिया आहे जिथे सेमीकंडक्टर वेगवेगळ्या घटकांचे अणू त्यांच्या जाळीमध्ये घालून त्यांची विद्युत चालकता वाढवतात.

एन-प्रकार बाह्य अर्धवाहक म्हणजे काय?

जेव्हा एन आणि टाइप सेमीकंडक्टर तयार केले जाते जेव्हा सी आणि जी सारख्या शुद्ध सेमीकंडक्टर पेन्टाव्हॅलेंट घटकांसह डोप केले जातात. अर्धसंवाहक पेंटाव्हॅलेंट अणूसह डोप केला जातो तेव्हा इलेक्ट्रॉन बहुतेक शुल्क वाहक असतात. दुसरीकडे, छिद्र हे अल्पसंख्याक शुल्क वाहक आहेत. म्हणून, अशा बाह्य अर्धवाहकांना एन-प्रकार अर्धवाहक म्हणतात. एन-टाइप सेमीकंडक्टरमध्ये, विनामूल्य इलेक्ट्रॉनांची संख्या >> छिद्रांची संख्या

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!