मसावि कॅल्क्युलेटर

एमओएस ट्रान्झिस्टरमध्ये संतृप्ति प्रदेशातील प्रवाह प्रवाह कॅल्क्युलेटर

अभियांत्रिकी आरोग्य आर्थिक खेळाचे मैदान अधिक >>

↳

इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन उत्पादन अभियांत्रिकी दिवाणी अधिक >>

⤿

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग अँटेना आणि वेव्ह प्रोपोगेशन अॅनालॉग कम्युनिकेशन्स अधिक >>

⤿

MOSFET बीजेटी

⤿

एमओएस ट्रान्झिस्टर MOSFET वैशिष्ट्ये Transconductance अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल अधिक >>

✖चॅनेलची रुंदी MOSFET मधील कंडक्टिंग चॅनेलची रुंदी दर्शवते, ती हाताळू शकणाऱ्या करंटच्या प्रमाणात थेट परिणाम करते.ⓘ चॅनेल रुंदी [W]			+10% -10%
✖संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग कमी विद्युत क्षेत्रावर असलेल्या MOSFET मध्ये संपृक्ततेवर इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग दर्शवते.ⓘ संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग [V_d(sat)]			+10% -10%
✖चार्ज हा पदार्थाच्या स्वरूपाचा मूलभूत गुणधर्म आहे जो इतर पदार्थांच्या उपस्थितीत इलेक्ट्रोस्टॅटिक आकर्षण किंवा प्रतिकर्षण प्रदर्शित करतो.ⓘ चार्ज करा [q]			+10% -10%
✖शॉर्ट चॅनल पॅरामीटर हे पॅरामीटर आहे (संभाव्यत: मॉडेल-विशिष्ट) शॉर्ट-चॅनल MOSFET मध्ये चॅनेल प्रदेशाच्या वैशिष्ट्याचे वर्णन करण्यासाठी वापरले जाते.ⓘ लहान चॅनेल पॅरामीटर [n_x]			+10% -10%
✖प्रभावी चॅनेलची लांबी हा चॅनेलचा भाग आहे जो ट्रान्झिस्टर चालू असताना सक्रियपणे विद्युत प्रवाह चालवतो.ⓘ प्रभावी चॅनेलची लांबी [L_eff]			+10% -10%

✖संपृक्तता क्षेत्र ड्रेन करंट म्हणजे ट्रांझिस्टर विशिष्ट मोडमध्ये कार्यरत असताना ड्रेन टर्मिनलमधून स्त्रोत टर्मिनलकडे वाहणारा प्रवाह.ⓘ एमओएस ट्रान्झिस्टरमध्ये संतृप्ति प्रदेशातील प्रवाह प्रवाह [I_D(sat)]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

एमओएस ट्रान्झिस्टरमध्ये संतृप्ति प्रदेशातील प्रवाह प्रवाह उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

संपृक्तता प्रदेश निचरा वर्तमान = चॅनेल रुंदी*संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग*int(चार्ज करा*लहान चॅनेल पॅरामीटर,x,0,प्रभावी चॅनेलची लांबी)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
हे सूत्र 1 कार्ये, 6 व्हेरिएबल्स वापरते

कार्ये वापरली

int - निव्वळ स्वाक्षरी केलेल्या क्षेत्राची गणना करण्यासाठी निश्चित पूर्णांक वापरला जाऊ शकतो, जे x -axis च्या वरचे क्षेत्र वजा x -axis च्या खाली असलेले क्षेत्र आहे., int(expr, arg, from, to)

व्हेरिएबल्स वापरलेले

संपृक्तता प्रदेश निचरा वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - संपृक्तता क्षेत्र ड्रेन करंट म्हणजे ट्रांझिस्टर विशिष्ट मोडमध्ये कार्यरत असताना ड्रेन टर्मिनलमधून स्त्रोत टर्मिनलकडे वाहणारा प्रवाह.
चॅनेल रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - चॅनेलची रुंदी MOSFET मधील कंडक्टिंग चॅनेलची रुंदी दर्शवते, ती हाताळू शकणाऱ्या करंटच्या प्रमाणात थेट परिणाम करते.
संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग - (मध्ये मोजली मीटर प्रति सेकंद) - संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग कमी विद्युत क्षेत्रावर असलेल्या MOSFET मध्ये संपृक्ततेवर इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग दर्शवते.
चार्ज करा - (मध्ये मोजली कुलम्ब ) - चार्ज हा पदार्थाच्या स्वरूपाचा मूलभूत गुणधर्म आहे जो इतर पदार्थांच्या उपस्थितीत इलेक्ट्रोस्टॅटिक आकर्षण किंवा प्रतिकर्षण प्रदर्शित करतो.
लहान चॅनेल पॅरामीटर - शॉर्ट चॅनल पॅरामीटर हे पॅरामीटर आहे (संभाव्यत: मॉडेल-विशिष्ट) शॉर्ट-चॅनल MOSFET मध्ये चॅनेल प्रदेशाच्या वैशिष्ट्याचे वर्णन करण्यासाठी वापरले जाते.
प्रभावी चॅनेलची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - प्रभावी चॅनेलची लांबी हा चॅनेलचा भाग आहे जो ट्रान्झिस्टर चालू असताना सक्रियपणे विद्युत प्रवाह चालवतो.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

चॅनेल रुंदी: 2.678 मीटर --> 2.678 मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग: 5.773 मीटर प्रति सेकंद --> 5.773 मीटर प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चार्ज करा: 0.3 कुलम्ब --> 0.3 कुलम्ब कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
लहान चॅनेल पॅरामीटर: 5.12 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
प्रभावी चॅनेलची लांबी: 7.76 मीटर --> 7.76 मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff) --> 2.678*5.773*int(0.3*5.12,x,0,7.76)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

I_D(sat) = 184.27442601984

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

184.27442601984 अँपिअर --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

184.27442601984 ≈ 184.2744 अँपिअर <-- संपृक्तता प्रदेश निचरा वर्तमान

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » एमओएस ट्रान्झिस्टर » एमओएस ट्रान्झिस्टरमध्ये संतृप्ति प्रदेशातील प्रवाह प्रवाह

जमा

ने निर्मित विघ्नेश नायडू

वेल्लोर इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (VIT), वेल्लोर, तामिळनाडू

विघ्नेश नायडू यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 10+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित दिपांजोना मल्लिक

हेरिटेज इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (HITK), कोलकाता

दिपांजोना मल्लिक यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< एमओएस ट्रान्झिस्टर कॅल्क्युलेटर

साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक

LaTeX जा साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक = -(2*sqrt(साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले)/(अंतिम व्होल्टेज-प्रारंभिक व्होल्टेज)*(sqrt(साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले-अंतिम व्होल्टेज)-sqrt(साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले-प्रारंभिक व्होल्टेज)))

पी प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल

LaTeX जा पी प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल = ([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान)/[Charge-e]*ln(आंतरिक वाहक एकाग्रता/स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता)

समतुल्य मोठे सिग्नल जंक्शन कॅपेसिटन्स

LaTeX जा समतुल्य मोठे सिग्नल जंक्शन कॅपेसिटन्स = साइडवॉलची परिमिती*साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स*साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स प्रति युनिट लांबी

LaTeX जा साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन संभाव्य*साइडवॉलची खोली

अजून पहा >>