थर च्या शीट प्रतिकार कॅल्क्युलेटर

✖पदार्थाच्या एककाचे वैशिष्ट्य चार्ज करा जे प्रोटॉनपेक्षा जास्त किंवा कमी इलेक्ट्रॉन आहेत हे व्यक्त करते.ⓘ चार्ज करा [q]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी हे वैशिष्ट्य दर्शवते की इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्राद्वारे खेचल्यावर धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून किती वेगाने फिरू शकतो.ⓘ इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी [μ_n]			+10% -10%
✖एन-टाइपची समतोल एकाग्रता दात्याच्या अणूंच्या घनतेइतकी असते कारण वहनासाठी इलेक्ट्रॉन्स केवळ दात्याच्या अणूद्वारे दिले जातात.ⓘ एन-टाइपची समतोल एकाग्रता [N_d]			+10% -10%
✖भिंतीची रचना योग्य प्रमाणात सामग्रीसह तयार केली गेली आहे हे सुनिश्चित करण्यासाठी लेयरची जाडी बहुतेक वेळा कास्ट केलेल्या भागांच्या निर्मितीसाठी वापरली जाते.ⓘ लेयरची जाडी [t]			+10% -10%

✖शीट रेझिस्टन्स म्हणजे चौकोनाच्या दोन विरुद्ध बाजूंना बनवलेल्या संपर्कांसह पातळ पदार्थाच्या चौरस तुकड्याचा प्रतिकार.ⓘ थर च्या शीट प्रतिकार [R_s]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

थर च्या शीट प्रतिकार

सुत्र

`"R"_{"s"} = 1/("q"*"μ"_{"n"}*"N"_{"d"}*"t")`

उदाहरण

`"0.116377Ω"=1/("5mC"*"0.38cm²/V*s"*"45/cm³"*"100.5cm")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा इलेक्ट्रॉनिक्स सुत्र PDF PDF Image

थर च्या शीट प्रतिकार उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

पत्रक प्रतिकार = 1/(चार्ज करा*इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता*लेयरची जाडी)
R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

पत्रक प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - शीट रेझिस्टन्स म्हणजे चौकोनाच्या दोन विरुद्ध बाजूंना बनवलेल्या संपर्कांसह पातळ पदार्थाच्या चौरस तुकड्याचा प्रतिकार.
चार्ज करा - (मध्ये मोजली कुलम्ब ) - पदार्थाच्या एककाचे वैशिष्ट्य चार्ज करा जे प्रोटॉनपेक्षा जास्त किंवा कमी इलेक्ट्रॉन आहेत हे व्यक्त करते.
इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी हे वैशिष्ट्य दर्शवते की इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्राद्वारे खेचल्यावर धातू किंवा सेमीकंडक्टरमधून किती वेगाने फिरू शकतो.
एन-टाइपची समतोल एकाग्रता - (मध्ये मोजली 1 प्रति घनमीटर) - एन-टाइपची समतोल एकाग्रता दात्याच्या अणूंच्या घनतेइतकी असते कारण वहनासाठी इलेक्ट्रॉन्स केवळ दात्याच्या अणूद्वारे दिले जातात.
लेयरची जाडी - (मध्ये मोजली मीटर) - भिंतीची रचना योग्य प्रमाणात सामग्रीसह तयार केली गेली आहे हे सुनिश्चित करण्यासाठी लेयरची जाडी बहुतेक वेळा कास्ट केलेल्या भागांच्या निर्मितीसाठी वापरली जाते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

चार्ज करा: 5 मिलिकुलॉम्ब --> 0.005 कुलम्ब (रूपांतरण तपासा येथे)
इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी: 0.38 चौरस सेंटीमीटर प्रति व्होल्ट सेकंद --> 3.8E-05 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा येथे)
एन-टाइपची समतोल एकाग्रता: 45 1 प्रति घन सेंटीमीटर --> 45000000 1 प्रति घनमीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
लेयरची जाडी: 100.5 सेंटीमीटर --> 1.005 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

R_s = 0.116377178435309

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.116377178435309 ओहम --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.116377178435309 ≈ 0.116377 ओहम <-- पत्रक प्रतिकार

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन » थर च्या शीट प्रतिकार

जमा

ने निर्मित राहुल गुप्ता

चंदीगड विद्यापीठ (CU), मोहाली, पंजाब

राहुल गुप्ता यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 25+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित परमिंदर सिंग

चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब

परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 19 बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

आयताकृती समांतर पाईपचा प्रतिकार

जा प्रतिकार = ((प्रतिरोधकता*लेयरची जाडी)/(डिफ्यूज्ड लेयरची रुंदी*डिफ्यूज्ड लेयरची लांबी))*(ln(तळाच्या आयताची रुंदी/तळाच्या आयताची लांबी)/(तळाच्या आयताची रुंदी-तळाच्या आयताची लांबी))

अशुद्धता अणू प्रति युनिट क्षेत्र

जा एकूण अशुद्धता = प्रभावी प्रसार*(एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*((चार्ज करा*आंतरिक एकाग्रता^2)/जिल्हाधिकारी वर्तमान)*exp(व्होल्टेज बेस एमिटर/थर्मल व्होल्टेज))

पी-प्रकारची चालकता

जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*(आंतरिक एकाग्रता^2/पी-टाइपची समतोल एकाग्रता)+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*पी-टाइपची समतोल एकाग्रता)

N-प्रकारची चालकता

जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*(आंतरिक एकाग्रता^2/एन-टाइपची समतोल एकाग्रता))

गेट सोर्स कॅपेसिटन्स दिलेली ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स

जा गेट सोर्स कॅपेसिटन्स = (2/3*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स)+(ट्रान्झिस्टरची रुंदी*ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स)

अशुद्धतेची ओमिक चालकता

जा ओमिक चालकता = चार्ज करा*(इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता+भोक डोपिंग सिलिकॉन गतिशीलता*भोक एकाग्रता)

पीएनपी ट्रान्झिस्टरचे कलेक्टर-करंट

जा जिल्हाधिकारी वर्तमान = (चार्ज करा*एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता*PNP साठी प्रसार स्थिरांक)/पाया रुंदी

ट्रान्झिस्टरमध्ये संपृक्तता प्रवाह

जा संपृक्तता वर्तमान = (चार्ज करा*एमिटर बेस जंक्शन क्षेत्र*प्रभावी प्रसार*आंतरिक एकाग्रता^2)/एकूण अशुद्धता

पुरवठा व्होल्टेज दिलेला कॅपेसिटिव्ह लोड वीज वापर

जा कॅपेसिटिव्ह लोड पॉवर वापर = लोड कॅपेसिटन्स*पुरवठा व्होल्टेज^2*आउटपुट सिग्नल वारंवारता*आउटपुट स्विचिंगची एकूण संख्या

थर च्या शीट प्रतिकार

जा पत्रक प्रतिकार = 1/(चार्ज करा*इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता*लेयरची जाडी)

डिफ्यूज्ड लेयरचा प्रतिकार

जा प्रतिकार = (1/ओमिक चालकता)*(डिफ्यूज्ड लेयरची लांबी/(डिफ्यूज्ड लेयरची रुंदी*लेयरची जाडी))

वर्तमान घनता भोक

जा भोक वर्तमान घनता = चार्ज करा*PNP साठी प्रसार स्थिरांक*(भोक समतोल एकाग्रता/पाया रुंदी)

कलेक्टर एमिटरचे ब्रेकआउट व्होल्टेज

जा कलेक्टर एमिटर ब्रेकआउट व्होल्टेज = कलेक्टर बेस ब्रेकआउट व्होल्टेज/(BJT चा सध्याचा फायदा)^(1/रूट क्रमांक)

आंतरिक एकाग्रतेसह अशुद्धता

जा आंतरिक एकाग्रता = sqrt((इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*भोक एकाग्रता)/तापमान अशुद्धता)

एमिटर इंजेक्शन कार्यक्षमता

जा एमिटर इंजेक्शन कार्यक्षमता = एमिटर करंट/(इलेक्ट्रॉन्समुळे उत्सर्जक करंट+छिद्रांमुळे उत्सर्जक करंट)

डोपिंग स्थिरांक दिलेली एमिटर इंजेक्शनची कार्यक्षमता

जा एमिटर इंजेक्शन कार्यक्षमता = एन-साइड वर डोपिंग/(एन-साइड वर डोपिंग+पी-साइड वर डोपिंग)

जेनर डायोडमध्ये प्रवाही प्रवाह

जा डायोड करंट = (इनपुट संदर्भ व्होल्टेज-स्थिर आउटपुट व्होल्टेज)/जेनर प्रतिकार

ICs मध्ये व्होल्टेज ते वारंवारता रूपांतरण घटक

जा ICs मध्ये व्होल्टेज ते वारंवारता रूपांतरण घटक = आउटपुट सिग्नल वारंवारता/इनपुट व्होल्टेज

बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर दिलेली बेस रुंदी

जा बेस ट्रान्सपोर्ट फॅक्टर = 1-(1/2*(भौतिक रुंदी/इलेक्ट्रॉन प्रसार लांबी)^2)

थर च्या शीट प्रतिकार सुत्र

पत्रक प्रतिकार = 1/(चार्ज करा*इलेक्ट्रॉन डोपिंग सिलिकॉन मोबिलिटी*एन-टाइपची समतोल एकाग्रता*लेयरची जाडी)
R_s = 1/(q*μ_n*N_d*t)

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!