Concentratie van acceptordoteringsmiddel Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep)
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 5 Variabelen
Gebruikte constanten
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288
Variabelen gebruikt
Concentratie van acceptordoteringsmiddel - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Acceptor Doteringsconcentratie is de mobiliteit van ladingsdragers (in dit geval gaten) en de afmetingen van het halfgeleiderapparaat.
Lengte van de transistor - (Gemeten in Meter) - Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Transistorbreedte - (Gemeten in Meter) - Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Gatenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Hole Mobility vertegenwoordigt het vermogen van deze ladingsdragers om te bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Capaciteit van de uitputtingslaag - (Gemeten in Farad) - De capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid is de capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Lengte van de transistor: 3.2 Micrometer --> 3.2E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Transistorbreedte: 5.5 Micrometer --> 5.5E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Gatenmobiliteit: 400 Vierkante meter per volt per seconde --> 400 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Capaciteit van de uitputtingslaag: 1.4 Microfarad --> 1.4E-06 Farad (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep) --> 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06)
Evalueren ... ...
Na = 1.00788050957133E+32
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.00788050957133E+32 Elektronen per kubieke meter --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
1.00788050957133E+32 1E+32 Elektronen per kubieke meter <-- Concentratie van acceptordoteringsmiddel
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET
​ Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))
Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied
​ Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Kanaal weerstand
​ Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
​ Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Formule

Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)
Na = 1/(2*pi*Lt*Wt*[Charge-e]*μp*Cdep)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!