Lichaamseffect in MOSFET Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Drempelspanning met nullichaamsbias verwijst naar de drempelspanning wanneer er geen externe voorspanning wordt toegepast op het halfgeleidersubstraat (lichaamsaansluiting).ⓘ Drempelspanning zonder lichaamsafwijking [V_th]			+10% -10%
✖Body Effect Parameter is een parameter die de gevoeligheid van de drempelspanning van MOSFET karakteriseert.ⓘ Lichaamseffectparameter [γ]			+10% -10%
✖Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.ⓘ Bulk Fermi-potentieel [Φ_f]			+10% -10%
✖Op lichaam toegepaste spanning is de spanning die op de lichaamsaansluiting wordt toegepast. Deze spanning kan een aanzienlijke invloed hebben op het gedrag en de prestaties van de MOSFET.ⓘ Spanning toegepast op lichaam [V_bs]			+10% -10%

✖Drempelspanning met substraat is een cruciale parameter die het punt definieert waarop de transistor stroom begint te geleiden van de bron naar de afvoer.ⓘ Lichaamseffect in MOSFET [V_t]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Lichaamseffect in MOSFET

Formule

`"V"_{"t"} = "V"_{"th"}+"γ"*(sqrt(2*"Φ"_{"f"}+"V"_{"bs"})-sqrt(2*"Φ"_{"f"}))`

Voorbeeld

`"3.962586V"="3.4V"+"0.56"*(sqrt(2*"0.25V"+"2.43V")-sqrt(2*"0.25V"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Lichaamseffect in MOSFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))
V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Drempelspanning met substraat - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning met substraat is een cruciale parameter die het punt definieert waarop de transistor stroom begint te geleiden van de bron naar de afvoer.
Drempelspanning zonder lichaamsafwijking - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning met nullichaamsbias verwijst naar de drempelspanning wanneer er geen externe voorspanning wordt toegepast op het halfgeleidersubstraat (lichaamsaansluiting).
Lichaamseffectparameter - Body Effect Parameter is een parameter die de gevoeligheid van de drempelspanning van MOSFET karakteriseert.
Bulk Fermi-potentieel - (Gemeten in Volt) - Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.
Spanning toegepast op lichaam - (Gemeten in Volt) - Op lichaam toegepaste spanning is de spanning die op de lichaamsaansluiting wordt toegepast. Deze spanning kan een aanzienlijke invloed hebben op het gedrag en de prestaties van de MOSFET.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Drempelspanning zonder lichaamsafwijking: 3.4 Volt --> 3.4 Volt Geen conversie vereist
Lichaamseffectparameter: 0.56 --> Geen conversie vereist
Bulk Fermi-potentieel: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Geen conversie vereist
Spanning toegepast op lichaam: 2.43 Volt --> 2.43 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_t = V_th+γ*(sqrt(2*Φ_f+V_bs)-sqrt(2*Φ_f)) --> 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25))

Evalueren ... ...

V_t = 3.96258579757846

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.96258579757846 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.96258579757846 ≈ 3.962586 Volt <-- Drempelspanning met substraat

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Lichaamseffect in MOSFET

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Lichaamseffect in MOSFET Formule

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!