MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Transconductantie in MOSFET is een belangrijke parameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft.ⓘ Transconductantie in MOSFET [g_m]			+10% -10%
✖Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET).ⓘ Gate-broncapaciteit [C_gs]			+10% -10%
✖Gate Drain Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en drain-aansluitingen van het apparaat.ⓘ Poortafvoercapaciteit [C_gd]			+10% -10%

✖Unity Gain Frequency in MOSFET verwijst naar de frequentie waarbij de spanningsversterking van het apparaat daalt tot 1 (0dB) in een common-source-configuratie met een resistieve belasting.ⓘ MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie [f_t]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Formule

`"f"_{"t"} = "g"_{"m"}/("C"_{"gs"}+"C"_{"gd"})`

Voorbeeld

`"37.41497kHz"="2.2S"/("56μF"+"2.8μF")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET - (Gemeten in Hertz) - Unity Gain Frequency in MOSFET verwijst naar de frequentie waarbij de spanningsversterking van het apparaat daalt tot 1 (0dB) in een common-source-configuratie met een resistieve belasting.
Transconductantie in MOSFET - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie in MOSFET is een belangrijke parameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft.
Gate-broncapaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET).
Poortafvoercapaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate Drain Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en drain-aansluitingen van het apparaat.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Transconductantie in MOSFET: 2.2 Siemens --> 2.2 Siemens Geen conversie vereist
Gate-broncapaciteit: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
Poortafvoercapaciteit: 2.8 Microfarad --> 2.8E-06 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

f_t = g_m/(C_gs+C_gd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)

Evalueren ... ...

f_t = 37414.9659863946

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

37414.9659863946 Hertz -->37.4149659863946 Kilohertz (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

37.4149659863946 ≈ 37.41497 Kilohertz <-- Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie Formule

Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)
f_t = g_m/(C_gs+C_gd)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!