GGD rekenmachine

Kanaal weerstand Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

MOS IC-fabricage Bipolaire IC-fabricage Schmitt trigger

✖Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.ⓘ Lengte van de transistor [L_t]			+10% -10%
✖Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.ⓘ Transistorbreedte [W_t]			+10% -10%
✖Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.ⓘ Elektronenmobiliteit [μ_n]			+10% -10%
✖Dragerdichtheid verwijst naar het aantal ladingsdragers (elektronen of gaten) dat aanwezig is in het halfgeleiderkanaal.ⓘ Dragerdichtheid [Q_on]			+10% -10%

✖Kanaalweerstand verwijst naar de weerstand die wordt geboden door het halfgeleidermateriaal in het kanaal waardoor de stroom tussen de source- en drainterminals stroomt.ⓘ Kanaal weerstand [R_ch]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Kanaal weerstand Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)
R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Kanaal weerstand - (Gemeten in Ohm) - Kanaalweerstand verwijst naar de weerstand die wordt geboden door het halfgeleidermateriaal in het kanaal waardoor de stroom tussen de source- en drainterminals stroomt.
Lengte van de transistor - (Gemeten in Meter) - Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Transistorbreedte - (Gemeten in Meter) - Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Elektronenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Dragerdichtheid - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dragerdichtheid verwijst naar het aantal ladingsdragers (elektronen of gaten) dat aanwezig is in het halfgeleiderkanaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Lengte van de transistor: 3.2 Micrometer --> 3.2E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Transistorbreedte: 5.5 Micrometer --> 5.5E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Elektronenmobiliteit: 30 Vierkante meter per volt per seconde --> 30 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Dragerdichtheid: 0.0056 Elektronen per kubieke meter --> 0.0056 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

R_ch = L_t/W_t*1/(μ_n*Q_on) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)

Evalueren ... ...

R_ch = 3.46320346320346

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.46320346320346 Ohm --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.46320346320346 ≈ 3.463203 Ohm <-- Kanaal weerstand

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Kanaal weerstand

Credits

Gemaakt door Banu Prakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banu Prakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET

LaTeX Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Kanaal weerstand

LaTeX Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

LaTeX Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Bekijk meer >>