Collector-basiscapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Collectorbasiscapaciteit = Zenderbasisverbindingsgebied*sqrt((Aanval*Permittiviteit*Dopingdichtheid)/(2*(Ingebouwd potentieel+Omgekeerde bias-verbinding)))
Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb)))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 7 Variabelen
Functies die worden gebruikt
sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
Variabelen gebruikt
Collectorbasiscapaciteit - (Gemeten in Farad) - De collectorbasiscapaciteit is eenvoudigweg de capaciteit van de collector-basisovergang, inclusief zowel het vlakke bodemgedeelte van de kruising als de zijwanden.
Zenderbasisverbindingsgebied - (Gemeten in Plein Meter) - Emitter Base Junction Area is een PN-overgang gevormd tussen het zwaar gedoteerde P-type materiaal (emitter) en het licht gedoteerde N-type materiaal (basis) van de transistor.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Permittiviteit - (Gemeten in Farad per meter) - Permittiviteit is een fysieke eigenschap die beschrijft hoeveel weerstand een materiaal biedt tegen de vorming van een elektrisch veld daarin.
Dopingdichtheid - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingdichtheid is een proces waarbij bepaalde onzuiverheidsatomen, zoals fosfor of boor, in de halfgeleider worden geïntroduceerd om de elektrische eigenschappen ervan te veranderen.
Ingebouwd potentieel - (Gemeten in Volt) - Het ingebouwde potentieel beïnvloedt de grootte van het uitputtingsgebied, wat op zijn beurt de capaciteit van de junctie beïnvloedt.
Omgekeerde bias-verbinding - (Gemeten in Ampère) - Reverse Bias Junction verwijst naar de toestand in een halfgeleiderapparaat, waarbij de over de junctie aangelegde spanning de normale stroom door het apparaat tegenwerkt.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Zenderbasisverbindingsgebied: 1.75 Plein Centimeter --> 0.000175 Plein Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie ​hier)
Permittiviteit: 71 Farad per meter --> 71 Farad per meter Geen conversie vereist
Dopingdichtheid: 26 Elektronen per kubieke meter --> 26 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
Ingebouwd potentieel: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Geen conversie vereist
Omgekeerde bias-verbinding: 2.55 Ampère --> 2.55 Ampère Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb))) --> 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55)))
Evalueren ... ...
Ccb = 0.000138669270808881
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.000138669270808881 Farad -->138.669270808881 Microfarad (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
138.669270808881 138.6693 Microfarad <-- Collectorbasiscapaciteit
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Rahul Gupta
Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

11 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Collector-basiscapaciteit
​ Gaan Collectorbasiscapaciteit = Zenderbasisverbindingsgebied*sqrt((Aanval*Permittiviteit*Dopingdichtheid)/(2*(Ingebouwd potentieel+Omgekeerde bias-verbinding)))
Collector-Base Junction Capaciteit
​ Gaan Collector-Base Junction Capaciteit = Collector-Base Junction Capaciteit bij 0 spanning/(1+(Omgekeerde voorspanning/Ingebouwde spanning))^Beoordelingscoëfficiënt
Overgangsfrequentie van BJT
​ Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))
Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis
​ Gaan Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)
Unity-Gain-bandbreedte van BJT
​ Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)
Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT
​ Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)
Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager
​ Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base
Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT
​ Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom
Klein-signaalverspreidingscapaciteit
​ Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie
Overgangsfrequentie van BJT gegeven apparaatconstante
​ Gaan Overgangsfrequentie = 1/(2*pi*Apparaat constant)
Base-Emitter Junction Capaciteit
​ Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

Collector-basiscapaciteit Formule

Collectorbasiscapaciteit = Zenderbasisverbindingsgebied*sqrt((Aanval*Permittiviteit*Dopingdichtheid)/(2*(Ingebouwd potentieel+Omgekeerde bias-verbinding)))
Ccb = A*sqrt((q*ε*Nb)/(2*(ψo+Vrb)))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!