Capacitância Base do Coletor Calculadora

Capacitância Base do Coletor = Área de junção da base do emissor*sqrt((Cobrar*Permissividade*Densidade de dopagem)/(2*(Potencial integrado+Junção de polarização reversa)))
C_cb = A*sqrt((q*ε*N_b)/(2*(ψ_o+V_rb)))
Esta fórmula usa 1 Funções, 7 Variáveis
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)Capacitância Base do Coletor - (Medido em Farad) - A capacitância da base do coletor é simplesmente a capacitância da junção da base do coletor, incluindo a parte inferior plana da junção e as paredes laterais.
Área de junção da base do emissor - (Medido em Metro quadrado) - A área de junção da base do emissor é uma junção PN formada entre o material do tipo P fortemente dopado (emissor) e o material do tipo N levemente dopado (base) do transistor.
Cobrar - (Medido em Coulomb) - Carregue uma característica de uma unidade de matéria que expressa até que ponto ela possui mais ou menos elétrons do que prótons.
Permissividade - (Medido em Farad por Metro) - A permissividade é uma propriedade física que descreve quanta resistência um material oferece à formação de um campo elétrico em seu interior.
Densidade de dopagem - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - Densidade de dopagem é um processo no qual certos átomos de impureza, como fósforo ou boro, são introduzidos no semicondutor para alterar suas propriedades elétricas.
Potencial integrado - (Medido em Volt) - O Potencial Construído afeta o tamanho da região de depleção, que por sua vez influencia a capacitância da junção.
Junção de polarização reversa - (Medido em Ampere) - Junção de polarização reversa refere-se à condição em um dispositivo semicondutor, onde a tensão aplicada através da junção se opõe ao fluxo normal de corrente através do dispositivo.

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