Емкость коллектор-база Калькулятор

✖Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.ⓘ Зона базового соединения эмиттера [A]			+10% -10%
✖Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.ⓘ Заряжать [q]			+10% -10%
✖Диэлектрическая проницаемость — это физическое свойство, которое описывает, какое сопротивление материал оказывает образованию внутри него электрического поля.ⓘ Диэлектрическая проницаемость [ε]			+10% -10%
✖Плотность легирования — это процесс, при котором определенные атомы примесей, такие как фосфор или бор, вводятся в полупроводник для изменения его электрических свойств.ⓘ Плотность легирования [N_b]			+10% -10%
✖Встроенный потенциал влияет на размер области обеднения, что, в свою очередь, влияет на емкость перехода.ⓘ Встроенный потенциал [ψ_o]			+10% -10%
✖Соединение обратного смещения относится к состоянию полупроводникового устройства, при котором напряжение, приложенное к переходу, противодействует нормальному протеканию тока через устройство.ⓘ Соединение обратного смещения [V_rb]			+10% -10%

✖Емкость базы коллектора — это просто емкость перехода коллектор-база, включая плоскую нижнюю часть перехода и боковые стенки.ⓘ Емкость коллектор-база [C_cb]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Емкость коллектор-база

Формула

`"C"_{"cb"} = "A"*sqrt(("q"*"ε"*"N"_{"b"})/(2*("ψ"_{"o"}+"V"_{"rb"})))`

Пример

`"138.6693μF"="1.75cm²"*sqrt(("5mC"*"71F/m"*"26electrons/m³")/(2*("4.8V"+"2.55A")))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF PDF Image

Емкость коллектор-база Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Базовая емкость коллектора = Зона базового соединения эмиттера*sqrt((Заряжать*Диэлектрическая проницаемость*Плотность легирования)/(2*(Встроенный потенциал+Соединение обратного смещения)))
C_cb = A*sqrt((q*ε*N_b)/(2*(ψ_o+V_rb)))
В этой формуле используются 1 Функции, 7 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Базовая емкость коллектора - (Измеряется в фарада) - Емкость базы коллектора — это просто емкость перехода коллектор-база, включая плоскую нижнюю часть перехода и боковые стенки.
Зона базового соединения эмиттера - (Измеряется в Квадратный метр) - Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.
Заряжать - (Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Диэлектрическая проницаемость - (Измеряется в Фарада на метр) - Диэлектрическая проницаемость — это физическое свойство, которое описывает, какое сопротивление материал оказывает образованию внутри него электрического поля.
Плотность легирования - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Плотность легирования — это процесс, при котором определенные атомы примесей, такие как фосфор или бор, вводятся в полупроводник для изменения его электрических свойств.
Встроенный потенциал - (Измеряется в вольт) - Встроенный потенциал влияет на размер области обеднения, что, в свою очередь, влияет на емкость перехода.
Соединение обратного смещения - (Измеряется в Ампер) - Соединение обратного смещения относится к состоянию полупроводникового устройства, при котором напряжение, приложенное к переходу, противодействует нормальному протеканию тока через устройство.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Зона базового соединения эмиттера: 1.75 Площадь Сантиметр --> 0.000175 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)
Заряжать: 5 Милликулон --> 0.005 Кулон (Проверьте преобразование здесь)
Диэлектрическая проницаемость: 71 Фарада на метр --> 71 Фарада на метр Конверсия не требуется
Плотность легирования: 26 Электронов на кубический метр --> 26 Электронов на кубический метр Конверсия не требуется
Встроенный потенциал: 4.8 вольт --> 4.8 вольт Конверсия не требуется
Соединение обратного смещения: 2.55 Ампер --> 2.55 Ампер Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_cb = A*sqrt((q*ε*N_b)/(2*(ψ_o+V_rb))) --> 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55)))

Оценка ... ...

C_cb = 0.000138669270808881

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.000138669270808881 фарада -->138.669270808881 Микрофарад (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

138.669270808881 ≈ 138.6693 Микрофарад <-- Базовая емкость коллектора

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Емкость коллектор-база

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 11 Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Емкость коллектор-база

Идти Базовая емкость коллектора = Зона базового соединения эмиттера*sqrt((Заряжать*Диэлектрическая проницаемость*Плотность легирования)/(2*(Встроенный потенциал+Соединение обратного смещения)))

Емкость перехода коллектор-база

Идти Емкость перехода коллектор-база = Емкость перехода коллектор-база при нулевом напряжении/(1+(Напряжение обратного смещения/Встроенное напряжение))^Коэффициент оценки

Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу

Идти Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе = Тепловая равновесная концентрация*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Частота перехода BJT

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))

Пропускная способность Unity-Gain BJT

Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания

Сохраненный электронный заряд в базе BJT

Идти Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток