Drift huidige dichtheid Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Gaten Stroomdichtheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid elektrische stroom die voortvloeit als gevolg van gaten per eenheid van dwarsdoorsnede. Het wordt stroomdichtheid genoemd en uitgedrukt in ampère per vierkante meter.ⓘ Gaten Huidige Dichtheid [J_p]			+10% -10%
✖Elektronenstroomdichtheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid elektrische stroom als gevolg van het reizen van elektronen per dwarsdoorsnede-eenheid. Het wordt stroomdichtheid genoemd en uitgedrukt in ampère per vierkante meter.ⓘ Elektronenstroomdichtheid [J_n]			+10% -10%

✖Drift Current Density verwijst naar de stroom van ladingsdragers in een materiaal als gevolg van de invloed van een elektrisch veld.ⓘ Drift huidige dichtheid [J_drift]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Drift huidige dichtheid

Formule

`"J"_{"drift"} = "J"_{"p"}+"J"_{"n"}`

Voorbeeld

`"49.79A/m²"="17.79A/m²"+"32A/m²"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf

Drift huidige dichtheid Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid
J_drift = J_p+J_n
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Drift huidige dichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Drift Current Density verwijst naar de stroom van ladingsdragers in een materiaal als gevolg van de invloed van een elektrisch veld.
Gaten Huidige Dichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Gaten Stroomdichtheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid elektrische stroom die voortvloeit als gevolg van gaten per eenheid van dwarsdoorsnede. Het wordt stroomdichtheid genoemd en uitgedrukt in ampère per vierkante meter.
Elektronenstroomdichtheid - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Elektronenstroomdichtheid wordt gedefinieerd als de hoeveelheid elektrische stroom als gevolg van het reizen van elektronen per dwarsdoorsnede-eenheid. Het wordt stroomdichtheid genoemd en uitgedrukt in ampère per vierkante meter.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gaten Huidige Dichtheid: 17.79 Ampère per vierkante meter --> 17.79 Ampère per vierkante meter Geen conversie vereist
Elektronenstroomdichtheid: 32 Ampère per vierkante meter --> 32 Ampère per vierkante meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

J_drift = J_p+J_n --> 17.79+32

Evalueren ... ...

J_drift = 49.79

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

49.79 Ampère per vierkante meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

49.79 Ampère per vierkante meter <-- Drift huidige dichtheid

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Drift huidige dichtheid

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Drift huidige dichtheid Formule

Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid
J_drift = J_p+J_n

Wat wordt driftstroom genoemd?

Driftstroom is de elektrische stroom, of beweging van ladingsdragers, die het gevolg is van het aangelegde elektrische veld, vaak aangeduid als de elektromotorische kracht over een bepaalde afstand.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!