Driftstromdichte Taschenrechner

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Halbleitereigenschaften

Betriebsparameter des Transistors

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Elektrostatische Parameter

Ladungsträgereigenschaften

✖Die Stromdichte von Löchern ist definiert als die Menge an elektrischem Strom, die durch Löcher pro Einheitsquerschnittsfläche fließt. Sie wird als Stromdichte bezeichnet und in Ampere pro Quadratmeter ausgedrückt.ⓘ Löcher Stromdichte [J_p]			+10% -10%
✖Die Elektronenstromdichte ist definiert als die Menge an elektrischem Strom, die durch die Bewegung von Elektronen pro Einheitsquerschnittsfläche entsteht. Sie wird als Stromdichte bezeichnet und in Ampere pro Quadratmeter ausgedrückt.ⓘ Elektronenstromdichte [J_n]			+10% -10%

✖Unter Driftstromdichte versteht man den Fluss von Ladungsträgern in einem Material aufgrund des Einflusses eines elektrischen Feldes.ⓘ Driftstromdichte [J_drift]

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Formel

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Driftstromdichte

Formel

`"J"_{"drift"} = "J"_{"p"}+"J"_{"n"}`

Beispiel

`"49.79A/m²"="17.79A/m²"+"32A/m²"`

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Driftstromdichte Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte
J_drift = J_p+J_n
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Driftstromdichte - (Gemessen in Ampere pro Quadratmeter) - Unter Driftstromdichte versteht man den Fluss von Ladungsträgern in einem Material aufgrund des Einflusses eines elektrischen Feldes.
Löcher Stromdichte - (Gemessen in Ampere pro Quadratmeter) - Die Stromdichte von Löchern ist definiert als die Menge an elektrischem Strom, die durch Löcher pro Einheitsquerschnittsfläche fließt. Sie wird als Stromdichte bezeichnet und in Ampere pro Quadratmeter ausgedrückt.
Elektronenstromdichte - (Gemessen in Ampere pro Quadratmeter) - Die Elektronenstromdichte ist definiert als die Menge an elektrischem Strom, die durch die Bewegung von Elektronen pro Einheitsquerschnittsfläche entsteht. Sie wird als Stromdichte bezeichnet und in Ampere pro Quadratmeter ausgedrückt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Löcher Stromdichte: 17.79 Ampere pro Quadratmeter --> 17.79 Ampere pro Quadratmeter Keine Konvertierung erforderlich
Elektronenstromdichte: 32 Ampere pro Quadratmeter --> 32 Ampere pro Quadratmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

J_drift = J_p+J_n --> 17.79+32

Auswerten ... ...

J_drift = 49.79

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

49.79 Ampere pro Quadratmeter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

49.79 Ampere pro Quadratmeter <-- Driftstromdichte

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Halbleitereigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit in Halbleitern

Gehen Leitfähigkeit = (Elektronendichte*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons)+(Lochdichte*[Charge-e]*Mobilität von Löchern)

Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion

Gehen Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion = 1/(1+e^((Fermi-Niveau-Energie-Fermi-Niveau-Energie)/([BoltZ]*Temperatur)))

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons

Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern

Elektronendiffusionslänge

Gehen Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)

Energiebandlücke

Gehen Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

Gehen Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2

Mobilität von Ladungsträgern

Gehen Ladungsträgermobilität = Driftgeschwindigkeit/Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte

Gehen Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte

Sättigungsspannung unter Verwendung der Schwellenspannung

Gehen Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Elektrisches Feld aufgrund der Hall-Spannung

Gehen Hall elektrisches Feld = Hall-Spannung/Leiterbreite

Driftstromdichte Formel

Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte
J_drift = J_p+J_n

Was nennt man Driftstrom?

Driftstrom ist der elektrische Strom oder die Bewegung von Ladungsträgern, die auf das angelegte elektrische Feld zurückzuführen ist und oft als elektromotorische Kraft über eine bestimmte Entfernung bezeichnet wird.

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